来自档案馆的随机新闻 RRAM 内存芯片 200 mm2 1 TB
10.08.2013
Crossbar 宣布它已经在一个典型的商业工厂中构建了一个工作电阻存储器阵列 (RRAM)。 这表明大规模生产(理论上)并不遥远。 鉴于这种内存的第一批样品是在 2006 年获得的,而当时计划在 2010 年获得商业样品,Crossbar 目前的成就是相当重要的。
回想一下,电阻式存储器的特点是高速和低功耗。 此外,由于向更薄的技术工艺(与 NAND 存储器相比)过渡的问题更少,预计 RRAM 将成为现代闪存的替代品。
回到 Crossbar,该公司声称其开发将允许您创建容量为 1 TB、芯片面积为 200 平方毫米的内存。 此外,由于“三维”架构的可能性,可以创建具有数 TB 容量的芯片。 开发人员声称,其内存在写入速度方面比最好的现代 NAND 映像要高 2 倍,在功耗方面要高出 20 倍,并且使用寿命要长一个数量级。
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