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电子束焊工的职位描述。 完整文件

劳动保护

劳动保护 / 职位介绍

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一,总则

  1. 阴极束焊机直接隶属于_______。
  2. 阴极束焊机遵循说明_______。
  3. 阴极束焊机取代了_______。
  4. 阴极束上的焊机由_______代替。
  5. 电子束焊工的职务任免,由部门负责人经部门负责人同意后任免。
  6. 当调任其他工作或被解雇时,焊工有责任将案件正确及时地移交给担任该职位的人员,如果没有,则移交给接替他的人或直接移交给他的主管。
  7. 必须知道:
  • 电子束装置的电气和运动控制电路;
  • 服务设施的设计;
  • 电子束枪的几何形状对装置电气参数的影响;
  • 焊接金属的机械和工艺性能;
  • 最有利的焊接模式;
  • 具有复杂方案的泵送系统的布置和用途;
  • 泵送复杂系统的模式和规则;
  • 泵送过程每个阶段的目的及其顺序;
  • 所从事工作范围内的真空技术、电子学和基础电气工程基础知识。

二、 工作职责

焊工履行以下职责:

  1. 由特殊合金制成的昂贵部件和零件的真空电子束焊接。
  2. 复杂组件和零件的焊接,加热程度有限的产品的焊接。
  3. 小型和微型产品的焊接。
  4. 设计用于在冲击和振动负载下运行的产品的焊接。
  5. 通过自动控制或连续生产周期维护高真空系统。
  6. 焊接金属和合金的各种组合,金属厚度可达 0,8 毫米。
  7. 根据仪器读数连续监控泵送过程并控制焊接过程。
  8. 获得电子束的最佳参数并改变它们以获得最佳的接缝横截面。

三、 权利

焊工有权:

  1. 向下属员工分配任务,处理其职能职责中包含的一系列问题;
  2. 控制生产任务的完成,及时执行下属员工的个人订单;
  3. 索取和接收与其下属员工的活动和活动相关的必要材料和文件;
  4. 在属于其职能职责的生产和其他问题上与企业的其他服务互动;
  5. 熟悉公司管理层关于部门活动的决定草案;
  6. 提出改进与本职位描述规定的职责相关的工作的建议,供经理考虑;
  7. 提请领导审议关于提拔优秀员工、对违反生产劳动纪律者进行处罚的议案;
  8. 向经理报告所有发现的与所执行工作有关的违规行为和缺点。

四。 一份责任

焊工负责:

  1. 不当履行或不履行本职位描述规定的公务 - 在乌克兰劳动立法规定的范围内;
  2. 违反有关企业活动的规章制度;
  3. 在开展活动的过程中犯下的罪行 - 在乌克兰现行行政、刑事和民事立法规定的限度内;
  4. 造成物质损失 - 在乌克兰现行劳动和民事立法规定的限度内;
  5. 遵守现行指示、命令和保护商业秘密和机密信息的命令;
  6. 遵守内部规定、安全和消防安全规则。

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美国国家标准与技术研究院 (NIST) 的研究人员提出了一种测量硅中带电粒子迁移率的新方法,该方法如果不被推翻,将大大扩展对半导体电荷转移过程的理解。

科学家们提出的方法可以对硅中电荷的移动速度进行最灵敏的测量,这是其作为半导体有效性的一个指标。 因此,新方法将使更准确地评估某些掺杂剂对硅电导率的影响成为可能,并将为改善半导体器件的特性奠定基础。 只有通过更好地了解流程,这是一个几乎无偿提高芯片性能的机会。 可以这么说,进行调音。

传统上,硅中电子和空穴的迁移率是通过霍尔法测量的。 该方法假设触点焊接在硅(半导体)样品上以通过电流。 这种方法的缺点是焊点处会出现缺陷或杂质,从而导致测量结果失真。

为了实验的纯度,NIST 的科学家使用了非接触式方法。 硅样品首先以可见光的超短脉冲形式暴露在低强度的光下,然后用远红外或微波范围的辐射脉冲照射样品。 弱可见光对硅产生了光掺杂效应:带电粒子以电子和空穴的形式出现在硅层中。

由于显而易见的原因,可见光无法穿透硅的厚度。 为此,用太赫兹辐射(在远红外范围内)照射光掺杂样品,其中硅是透明的。 并且样品中的带电粒子越多,穿透或被样品吸收的光就越多。 这里需要注意的是,为了更准确地测量样品中的电子迁移率,它的厚度应该相当大,最高可达 1 毫米。 这排除了样品表面缺陷对测量的影响。

然而,样品中可见光“引入”的电子和空穴数量必须尽可能少,以降低测量过程中的灵敏度阈值。 通常,为此,用一个光子照射样品,但在厚样品的情况下,一个光子会敲除硅中带电不足的粒子。 在用两个可见光光子照射样品中找到了一条出路。 之后,太赫兹辐射自由穿过样品,材料主体中的带电粒子数量最少。 据科学家称,灵敏度阈值从每平方厘米 10 万亿个电荷载流子降低了 100 倍至 2 万亿。

敏感度的门槛一降低,惊喜就一目了然。 事实证明,硅中电子的迁移率甚至能够增长到材料中非常稀少的载流子状态,这是以前没有人怀疑过的。 实际上,流动性本身比之前想象的要高 50%。 对于对照检查,使用同样是光敏半导体的砷化镓 (GaAs) 进行了类似的实验。 发现这种材料中电荷载流子的迁移率随着它们的密度降低而继续增长。 用新方法测得的载流子密度极限比之前认为的低约 100 倍。

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