来自档案馆的随机新闻 IBM 将闪存容量提高了 100 倍
13.01.2012
IBM 在磁存储器领域取得了突破,实现了比当前技术高 100 倍的信息密度。
位于加利福尼亚州圣何塞的 IBM 研究实验室的科学家使用扫描隧道显微镜,能够将 12 位数据写入 1 个反铁磁原子。 在此之前,从来没有可能将信息放在如此少量的物质基本粒子中。 相比之下,在现代硬盘驱动器中,1 位数据存储在大约 1 万个原子中。 更重要的是,由于反铁磁体的特性,这些钻头能够在不改变磁矩的情况下相互靠近。 这是磁存储器发展的一个突破,因为存储 2 位或更多位所需的材料总面积大大减少。
反铁磁体是原子磁矩方向不同的物质(与方向相同的铁磁体相反)。 今天,这种物质被用于硬盘记录头的设计,以及同样由 IBM 开发的 STT-RAM 磁存储器。 IBM 研究绝对原子结构分析的首席专家 Andreas Heinrich 评论说:“半导体行业正在走向小型化,但我们从另一端开始——物质的基本元素,单个原子。”
作为一项实验,科学家们将 IBM 的口号“思考”保留在反铁磁体(氮化铜)中。 写每个字母的 ASCII 码需要 1 个字节——即 8 位或 96 个原子。 该工作在接近绝对零的温度下进行。 通过将这些位更紧密地放在一起,科学家们已经能够实现比当今硬盘驱动器和闪存中的记录密度高约 100 倍的记录密度。 换句话说,与现代信息存储设备相比,记录数据所需的空间少了 100 倍。 实验结果发表在《科学》杂志上。
|