带电子控制的低功率放大器。 无线电电子电气工程百科全书
无线电电子与电气工程百科全书 / 晶体管功率放大器
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我已经提到了,有一个欧洲商业组织叫 飞利浦. 她制作了各种有趣的微电路,我们现在将讨论其中的两个。
第一个是 TDA8551。 该微电路是一个桥式放大器,在电源电压为1V时输出功率为5瓦。 同时,静音模式下的电流消耗仅为10mA。 该芯片采用8引脚封装,无需散热器,可用于各种小型设备。 微电路配有过热保护,内部有负载连接延迟电路——所以当你打开它时,你不会听到喘息、放屁和其他瞬态的美妙音乐。
嗯,这个微电路配备的另一件好事是电子音量控制。 然而,我是什么都在文字中,但在文字中 - 我们看图表。
如此简单的电路,主要需要并联电容器,并且其数量足以让猫在不紧张的情况下哭泣。 按钮S1和S2调节音量,开关SW1-放大器的工作模式。 我必须说,所选择的音量水平将保持不变,直到从微电路上物理移除电源为止。 在待机模式下,它将以进入此模式之前的音量退出。 然而,如果要完全切断电源,则在下次通电时,微电路将从与 -20dB 增益水平相对应的音量控制位置开始。 一个带有元素的盘子......虽然,这里有元素......
图上的名称 |
标称 |
C1 |
100uFx10V |
C2 |
0,33 |
C3 |
0,1 |
C4 |
0,1 |
C5 |
200uFx10V |
|
|
R1 |
2,2 欧姆 |
|
|
DA1 |
TDA8551 |
第二个芯片实际上是前一个芯片的双重副本。 它 - TDA8552。 该芯片的一个封装包含两个相同的放大器。 唯一的区别是输出功率稍高 - 每通道 1,4 瓦。 但是,尽管如此,它也不需要散热器,可以在任何地方使用。 切换方案如下。
该微电路还有一个不同之处 - 输出编号 4 的存在。该输出允许您控制耳机的连接(当然,当使用正确的连接器时)并自动降低输出功率和电源消耗的电流。 但是,我没有把它画在图表上 - 我将把它发送给你数据表,否则你会变得完全懒惰。
图上的名称 |
标称 |
C1 |
0,33 |
C2 |
0,33 |
C3 |
0,1 |
C4 |
0,1 |
C5 |
220uFx10V |
C6 |
220uFx10V |
C7 |
220uFx10V |
C8 |
220uFx10V |
C9 |
0,1 |
R1 |
2,2 欧姆 |
R2 |
2,2 欧姆 |
R3 |
1 欧姆 |
R4 |
1 欧姆 |
DA1 |
TDA8552 |
出版:radiokot.ru
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索尼半导体解决方案谈到了与 ReRAM 内存相关的发展,它结合了 DRAM 和 NAND 的优势。
索尼专家开发的关键技术将使高密度 ReRAM 存储芯片的生产成为可能。
由 Sony Semiconductor Solutions 创建的内存使用铜离子。 电池设计仅包括一个样品元件和一个电阻元件(1S1R 结构)。 这使得可以以相交线的简单矩阵形式制造存储器,并将这种矩阵排列成多层,从而提高密度。
其中一项新的发展是离子储存器和电解质之间的屏障,它减少了不均匀的电阻。 因此,可以增加存储密度。
第二种技术是用硼和碳掺杂采样元件,从而减少漏电流并增加资源。
据索尼半导体解决方案公司称,开发的技术将有可能生产写入时间为 100 ns、资源为 10 万次、密度约为 100 Gbps 的 ReRAM 内存。
ReRAM 有望填补 DRAM 和 NAND 在成本、性能和集成方面的差距。
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