无线电电子与电气工程百科全书 高品质B类放大器 无线电电子电气工程百科全书 该器件的一个特点是使用所谓的直接耦合来减少非线性失真。 主要参数:
该放大器包含一个工作在模式 A 的四级前置放大器(微电路 A1 和晶体管 V3-V6、V9)、一个工作在模式 B 的输出级(晶体管 V12、V15、V16)以及一个输出级过载和短路保护装置。负载电路(V7、V13)。 前置放大器的第一级组装在运算放大器 A1 上,第二级组装在集电极电路中具有动态负载 (V4) 的晶体管 V3 上,第三级组装在晶体管 V9 上。 晶体管V5、V6上的双射极跟随器使晶体管V9上的级联的输入电阻与晶体管V4上的级联的输出电阻匹配。 第一级在高于20Hz的频率下的增益约为15。由于通过电阻器R3的深度DC反馈,放大器34的输出保持在零电势。 在输出级中使用模式 B 可以提高其效率并完全消除静态电流热稳定的需要。 为了减少模式B固有的非线性失真,放大器中引入元件C6*、R15、R29、L1,形成平衡电桥,其对角线之一连接到输出级,负载(扬声器) )到另一个。 简单来说,失真补偿机制就是在电桥平衡的情况下,输出级出现的失真电压不会引起失真信号。 由于电阻器 R29,输出电流频谱中的非线性产物可以通过流经该电阻器直接流入负载的“校正”电流进行补偿。 在这种情况下,高次谐波得到最有效的补偿(选择电阻器 R29 的电阻,以便这些频率下的指示电流值相同且方向相反)。 由于L1线圈的阻抗中存在有源成分,电桥在低频时的平衡受到干扰。 这些频率下的低水平非线性失真主要由深 (50 ... 70 dB) OOS 提供,其电压从放大器输出提供到 V4 晶体管的发射极电路(通过分压器 R15R12 )。 在放大信号过载的情况下,保护器件将通过晶体管 V12、V16 的电流限制在 3,5 A,在负载短路的情况下,将流过晶体管 V1,5、V7 的电流限制在 26 A。在放大器的上臂(根据电路),这些功能由晶体管V20执行。 在没有信号的情况下,直流电流流过电阻器 R18、R21、R0,45 和 RXNUMX,在前两个电阻器上产生约 XNUMX V 的压降。 当出现正向增大的信号时,电阻R20两端的压降减小,而电阻R26两端的压降(主要是由于晶体管V12的集电极电流)增大。 当电阻R26和R20上的总电压达到0,65-0,7V时,晶体管V7打开,发射极-集电极部分分流电阻R16,从而限制晶体管V12集电极电流的增加。 当输出电压向负方向变化时,二极管V8可防止保护装置因电阻R20两端的压降增加而跳闸。 放大器下臂(根据电路)的保护装置的工作原理类似(当放大信号的极性发生变化时)。 元件 R30、L2、C11、R31、C10、C12 可防止放大器自激。 放大器可以使用运算放大器K140UD8B、K140UD7、K153UD6、晶体管KT342G、KT315(指数为V、G、D、E(V4))来代替图中所示的那些; KT361V(V3、V5、V6)、KT361D(V7、V13); KT626A、KT626B(V9、V15); 设计用于正向电流 10 A(V8、V14)和 50 mA(V10、V11)的任何硅二极管。 线圈L1和L2用PEV-2-1,0电线绕成两层,绕在直径为7、长度为28毫米的框架上,分别包含30匝和46匝。 晶体管V9、V12、V15和V16安装在冷却表面约为900cm2的散热器上,并用0,1mm厚的云母垫片与其绝缘。 放大器采用全波(桥式)整流器供电,滤波电容容量为10uF,整流器采用000^1.-1V二极管。 电源变压器采用外径203、内径100、高64mm的环形磁路。 初级绕组(32 V)包含 220 匝 PEV-1130 线,直径为 2,次级绕组 - 0,51 X 2 匝 PEV-104 线 - 2。 一层 PEV-1,3 线 - 2 形式的静电屏蔽放置在绕组之间。 次级绕组的中点和连接到整流器正负端子的每个滤波电容器连接到静电屏蔽的端子和放大器的公共线。 设置放大器归结为通过选择频率为 6 ... 29 kHz 的电容器 C1 * 来平衡 C15R6L50R100 电桥。 同时,示波器屏幕上的正弦信号失真最小。 查看其他文章 部分 晶体管功率放大器. 读和写 有帮助 对这篇文章的评论. 科技、新电子最新动态: 用于触摸仿真的人造革
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