理论：AF功率放大器。方案、说明

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为了对抗“阶跃”类型的失真，将小的初始偏置电压施加到 UMZCH 输出级晶体管的基极，设置 B 类模式或。为了确保没有失真，AB 类，通过晶体管传递一个小的初始电流（静态电流）。

另一种方法是引入负反馈（NFB）。减少失真。通常这两个选项会一起使用。

因为设计用于产生初始偏置的分压器会吸收一些电流。方便利用末级电流，放大电压，工作在A类模式。

具有前置放大级和单极性电源的UMZCH电路如图38所示。 XNUMX.

理论：AF功率放大器

让我们仔细看看他的作品。

输入信号通过去耦电容C1馈送到末级晶体管VT1的基极。偏置通过电阻器 R1 提供。事实上，正如我们之前看到的，这个电阻应该连接在晶体管VT1的基极和集电极之间。然而，鉴于输出级是射极跟随器，最好将其连接到输出，其中直流电压相同，但 OOS 也会覆盖输出级，从而减少信号失真。

VD1 二极管正向连接到前置放大器级晶体管的集电极电路，其两端的电压降在输出级晶体管的基极处产生初始偏置。可以使用一个小电阻的电阻器来代替二极管，但二极管可以为整个放大器提供更好的温度稳定性。

事实是，随着温度的升高，输出晶体管的基极-发射极电压降低，这是提供所选静态电流所必需的。二极管两端的正向电压也会随着温度的升高而降低，从而防止静态电流增加。对于强大的放大器，该二极管被放置在输出晶体管的散热器上。要调整静态电流，请选择连接的二极管数量，而不是串联或并联 VD1。您可以在二极管上添加一个调谐电阻。

电流输出级放大的信号通过大容量隔离电容C2馈送到动磁头BA1。电容器 C3 也很大，用于分流电源。当电池部分放电且内阻增加时需要进行此操作。然后，电容器积累电池的能量，确保在响度峰值时将大电流脉冲返回到负载。有市电时，可作为整流器的平滑电容器。

注意前级负载电阻的连接——不是连接到电源的正极，而是连接到动圈头BA1的输出端。这不会影响直流放大器模式，因为头电阻很小，但由于产生的“电压提升”，放大器在音频频率下的操作得到显着改善。当信号的正半波作用于放大器的输入端时，晶体管VT1的电流增大，其集电极的电压下降，形成输出信号的负半波。在这种情况下，部分集电极电流分支到晶体管VT3的基极-发射极结，将其打开。

当输入信号的负半波作用于放大器的输入端时，晶体管VT1和VT3截止，VT2截止，电流流经负载电阻R2。如果其电阻很大，则晶体管 VT2 的开路性能比 VT3 差。这导致输出信号的正半波的限制，即到扭曲。根据电路，通过将电阻器 R2 连接到动态磁头的底部输出，我们很大程度上消除了这些失真，因为输出信号的正半波的该输出处的瞬时电压变得大于电源电压。这提供了晶体管 VT2 的最佳“积累”。

总之，我们给出了该放大器的近似计算。假设电源电压为6V，动圈电阻为6欧姆（可以使用其他数据）。从波形图中可以看出，输出信号的幅度不能超过电源电压的一半，即3 V。因此，头部电流的最大幅度将为 3 V / 6 Ohm = 0.5 A。放大器的最大输出功率等于电流和电压幅度值乘积的一半，并且为0.75瓦。 B类模式设置情况下电源消耗的平均电流为0,32峰值，即175 mA，功耗 - 1.05 W。处于 AB 类模式和电流。和更多的电力消耗。由此可见，输出级必须使用中等功率晶体管。

前终端级联的计算更加简单。如果我们问自己输出晶体管的静态电流传输系数（比如 50）。那么我们就可以确定它们基极的交流电流的幅度。将为 0.5 A / 50 = 10 mA。预端子级的集电极电流也应该相同。由于电源电压的一半下降在负载电阻器 R2 上，因此我们确定其电阻：3 V / 0,01 A × 300 欧姆。

我们通过将负载电阻乘以晶体管 VT1 的静态电流传输系数来找到电阻器 R1 的电阻。例如，如果它等于 100，则电阻将为 30 kOhm。通过测量输出晶体管发射极的电压，可以更容易地通过实验选择该电阻器 - 它应该是电源电压的一半。

从这样的近似计算可以清楚地看出，为了提高UMZCH的效率和有效性，使用具有高电流传输系数值的晶体管是有利的。

作者：V.Polyakov，莫斯科

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