无线电电子与电气工程百科全书 参数稳压器的改进。 无线电电子电气工程百科全书 尽管集成稳压器正在逐渐取代齐纳二极管参数稳压器,但在各种电子设备的开发和构建中,无线电业余爱好者,尤其是初学者广泛使用齐纳二极管参数稳压器。 参数电压调节器的框图如图 1 所示。 1、由镇流电阻Rb和稳压二极管VDXNUMX组成,并联负载Rn。 负载和齐纳二极管电流流过电阻器 Rb,其值必须能够在工作区域内提供负载电流和齐纳二极管电流。 而且,电源电压的所有值都必须满足这个条件。 因此,这种稳定器的效率和稳定系数通常较低。 上图。 图 2 以图形方式显示了负载电压对电源电压(输入)的依赖性,其中详细信息如图所示以及电源电压从 6 V 到 9 V 的变化。曲线 1 针对电阻 Rb = 100 Ohm,曲线 2 针对 Rb = 300 Ohm。 在第一种情况下,稳定器消耗的电流从6mA到30mA不等,但当电源电压低于7V时,负载电压开始急剧下降。 第二种情况,电流变化范围为5~11mA,稳定效果很弱。 如果您安装具有电流稳定器特性的设备(例如适当连接的场效应晶体管)而不是电阻器,则可以改善稳定器的参数(图 3)。 上图。 图 2 中的曲线 3 显示了使用初始漏极电流为 10 mA 的场效应晶体管时负载电压对输入电压的依赖性。 在这种情况下,消耗的电流也在 6 至 10 mA 之间变化,但负载处的电压稳定性明显更高。 然而,当电源电压低于7V时,负载上的电压也会显着下降。 这是因为在漏极-源极电压低于1…1,5V时,场效应晶体管的稳定性能急剧恶化。 此外,选择具有所需参数的场效应晶体管也不是一件容易的事。 如果将场效应晶体管替换为双极性晶体管(图4),则可以通过选择电阻器R1来改善稳定器的参数并简化所需电流的设置。 当电阻器 R1 = 75 kOhm 时,电压与负载的相关性如图 2 所示。 4(曲线 6)。 在这种情况下,与场效应晶体管的情况一样,消耗的电流在 10 至 7 mA 之间变化,但在电源电压小于 1 V 的情况下,负载上的电压变化较小。 将电阻器 R1,5 的电阻减小约 51 倍(最高 9 kOhm)将导致电流消耗从 16 mA 变化到 5 mA,但负载上的电压稳定性将明显更高(曲线 XNUMX)。 因此,根据图4所示的方案制作的稳定器的优点是: 0,2、首先,当电源电压与稳压二极管的稳压电压之差为0,3…1V时,稳压器开始工作;其次,通过选择电阻R100,可以设定所需流过稳压二极管的电流。 另外,通过在晶体管的基极和发射极之间安装一个容量为200.. .XNUMX uF的电容器,可以显着降低负载上的电压纹波。 这对于主电源非常重要。 稳定器的缺点包括环境温度和电源电压对集电极电流的显着影响。 如果在场效应晶体管上使用电流稳定器来稳定晶体管的基极电流(图5),那么负载上的电压稳定性将会更高。 所需的集电极电流由微调电阻器 R2 设置。 然而,这种情况下的设备变得明显更加复杂,尽管它会更经济,因为当电源电压变化时,消耗的电流变化很小。 通过用晶体管替换镇流电阻器(根据图4)并使用表面安装方法安装电阻器R1,可以对已经制造的装置进行所描述的参数电压调节器的修改。 对于具有低功率齐纳二极管的稳定器,可以使用KT208、KT209、KT361系列具有任何字母索引或类似的、具有低集电极-发射极饱和电压的晶体管。 固定电阻建议使用MLH S2-33,微调器- SP3。 调整归结为通过电阻器 R1 设置流经齐纳二极管所需的电流。 作者:I. Nechaev,库尔斯克 查看其他文章 部分 业余无线电爱好者. 读和写 有帮助 对这篇文章的评论. 科技、新电子最新动态: 花园疏花机
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