用于电子镇流器的BMT技术参数。方案、说明

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分立元件上的电子镇流器。电子镇流器用BMT技术参数。电路基础。无线电电子电气工程百科全书

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摩托罗拉几年前开发了高效双极功率晶体管 (BMT) 的生产技术，称为 H2BIP (高增益、高频双极晶体管).

笔记。这项新技术的本质是在同一半导体结构上，除了主要的高压BMT之外，还创建了该晶体管的有源欠饱和电路以及在其集电极和发射极之间集成的反并联二极管。

使用该技术创建的 BMT 的特点是双极晶体管中静态、动态和能量指标的最佳组合，同时它们在扩散时间 t 中的扩散很小（不超过 ±0,15 μs）。_s。该系列器件如BUL45D2、BUL38D、BUL39D、MJE18004D2以及流行的MJE13003、MJE13005、MJE13007、MJE13009已成功应用于电子镇流器（目前是有前途的大众市场产品）。

BMT 型号 MJE13003、MJE13005、MJE13007、MJE13009 由许多制造商生产，因此可能有 ST、RNE、KSE、HA、MJF 等名称代替 MJE。

在表中。 3.11显示了电子镇流器中最常用的BMT的技术参数。

电路特点

典型电子镇流器输出键模式的比较分析，采用半桥电路组装，在开关频率36-40 kHz下控制两个功率为30-50 W的荧光灯的工作，表明使用 BMT 类型 BUL45D2 时按键上的总功率损耗水平（也如摩托罗拉的 MJE13005 一样）是一个非常小的值（每个晶体管约 0,5 W）。

当在这些装置中使用 OAO ELEKTRONPRIBOR（ZAO FZMT，Fryazino）制造的 KT8136A 和 KT8181A 型国产 BMT 时，可以获得大致相同的指标。在电流和电压等效的此类镇流器中使用的情况

表 3.11。电子镇流器用BMT技术参数

用于电子镇流器的BMT技术参数。电路基础

IRF830 型 MOSFET 或 IR 的“超快”IGBT 型 IRGB410U，这些 MT 上的功率损耗水平高出 1,5-2 倍（每个晶体管 0,8-1,0 W）。

BMT 也明显比其竞争原型便宜，这对于获得较小的电子镇流器最终价格至关重要，因为它们的目的是用 LL 取代目前在灯的照明工程中使用的低效但廉价的机电镇流器（带启动器的扼流圈）。

作者：Koryakin-Chernyak S.L.

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