相位调制器。方案、说明

相位调制器。无线电电子电气工程百科全书

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在业余 VHF 发射机中，可以使用相位调制器，其电路如图所示。它由麦克风放大器、石英主振荡器和相位调制器组成。

（点击放大）

来自麦克风的信号通过低通滤波器 (R1C1C2) 被馈送到放大器（电路 A1）。然后通过另一个滤波器 (L1C8C10C11) - 到晶体管 V3 的基极，它充当相位调制器。来自晶体管 V2 上的主晶体振荡器的射频电压也在这里提供。相位调制信号取自晶体管 V3 的集电极。

电感器 L1 绕在 Selga 无线电接收器的输出或匹配变压器的磁路上，包含 760 匝 PEV-1 0,1 线。在主振荡器中，您可以使用频率为 6、8、9、12 或 16 MHz 的石英谐振器。相位调制器的工作模式通过选择电阻器 R9 来设置。所需的偏差由微调电阻 R3 设置。

作者：G. Rybakov；出版：N. Bolshakov, rf.atnn.ru

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用于高速开关器件的高压 MOSFET 12.04.2016

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新的增强型 MOSFET 采用东芝的第八代 Pi-MOS-8 平面半导体制造工艺制造，该工艺结合了高集成度和优化的单元结构。该公司表示，该技术可减少栅极电荷和电容，而不会失去低 RDS(ON) 的优势。

东芝将这些 MOSFET 设想为采用 DTMOS800 超级结技术的现有 4V DTMOS IV 系列的低电流补充。 TK3A90E 2,5A 和 TK5A90E 4,5A 晶体管的 VDSS 额定值为 900V，典型的 RDS(ON) 额定值分别为 3,7 和 2,5 欧姆。 4A TK80A4,0E 和 5A TK80A5,0E 晶体管的 VDSS 额定值为 800V，典型 RDS(ON) 额定值分别为 2,8 和 1,9 欧姆。

东芝的新型 MOSFET 具有仅为 10µA (VDS = 60V) 的超低最大漏电流和 2,5 至 4,0V 的栅极电压阈值范围（在 VDS = 10V 和 0,4mA 漏极电流时）。所有设备均采用标准外形尺寸 TO-220SIS 外壳发货。

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