场效应晶体管 KR504NT 上的多谐振荡器。方案、说明

场效应晶体管 KR504NT 上的多谐振荡器。无线电电子电气工程百科全书

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用于各种用途的对称和非对称多谐振荡器不仅可以建立在双极晶体管上，也可以建立在场晶体管上。这方面的一个例子可以在 [1] 中找到。鉴于场效应晶体管比双极晶体管具有许多优点，其中主要是在低频或静态模式下工作时控制电路中的极低电流，可以假设传统的双晶体管多谐振荡器，但仅在场效应晶体管上，将在组装在其双极对应物上的类似节点之前处于获胜位置。

您可以在图 1 中看到第一个 mulvibrator 的方案。 1.1. 它的操作在许多方面类似于 pn-p 双极晶体管上的多谐振荡器的操作 - LED 也会闪烁。不同之处在于，要关闭每个晶体管 VT1.2、VT4，必须施加正栅源电压，该电压必须超过这些晶体管的截止电压（约 1 V）。由于时间设置电容器 C2、CXNUMX 的存在，每次切换多谐振荡器臂时都会发生这种情况。这就是为什么不需要双极电源的原因。

场效应晶体管 KR504NT 上的多谐振荡器。 KR504NT上的多谐振荡器示意图
图。 1

该发生器中晶体管的开关频率为每 6 秒一次。安装高品质电解电容器（漏电流低）时，容量为 100 ... 4700 μF，可以实现数十分钟周期的晶体管开关，这是基于简单设备无法实现的。双极晶体管。

电阻R2和R3的阻值可以相差几千倍，例如R2可以取30MΩ，R3可以取10kΩ。多谐振荡器将变得不对称。电容器的电容以同样的方式变化。正确选择这些元件后，可以在其中一个晶体管的漏极输出处获得非常短的脉冲，随后获得大占空比（100 ... 10000）。如果在根据图1的方案制作的装置中36、代替普通的LED，打开闪烁的LED作为晶体管的负载，例如L-2BSRD，然后其中任何一个闪烁几次，将在其邻居闪烁时休息。如果需要在音频下操作多谐振荡器，则电阻器R3和R10的阻值必须减小20...XNUMX倍，并且电容器应采用数百皮法的容量。

您可以安装光敏电阻（FSK、SF2-x、SFZ-x、FR3 等）代替传统的电阻 R2、R117。在这种情况下，晶体管的开关频率将根据光照水平变化数千次。需要注意的是，如果电阻 R2、R3 的阻值小于 3 kΩ，则可能会导致发电失败。

根据图1所示的方案制造的多谐振荡器。 10 需要使用具有大初始漏极电流 (30 ... 504 mA) 的场效应晶体管。在没有 KR2 系列的此类组件的情况下，可以根据图 1 所示的方案组装类似的多谐振荡器。 4.这里，场效应晶体管以较低的漏极电流工作，为了获得足够的LED亮度，电流放大器安装在双极晶体管VT1、VT1上。该多谐振荡器的开关频率约为 4 Hz。如果您安装强大的 KT829 系列复合晶体管代替晶体管 VT2、VT6，则可以使用白炽灯作为负载。在这种情况下，没有安装 R829、RXNUMX，因为 KTXNUMX 类型的晶体管包含自己的内置电阻器。

如果这个多谐振荡器“拒绝”工作，那么电阻器 R3、R7 应该更准确地选择。在根据图 1 所示方案组装的节点中。如图 504 所示，可以使用 KR504、(K504、10) 系列匹配的场效应晶体管对的微组件，其初始漏极电流超过 504 mA。 KR4NT504V、KR302NTZV 是最合适的，但您可以尝试使用索引 A、B。在更改电源电压的极性和连接 LED 时，您可以使用 KP307 中的两个单独的场效应 n 沟道晶体管而不是晶体管组件，KP15系列。如果它们的截止电压很大，则电源电压可以增加到 XNUMX V。

场效应晶体管 KR504NT 上的多谐振荡器。 KR504NT上的多谐振荡器示意图
图。 2

对于节点来说，其方案如图2所示。 504、KR1NT504、KR2NT3任何字母索引的微电路都适用，选择电阻R7、R504时-KR504NTZ、KR4NT103。此外，KP101、KP73系列的许多场效应晶体管也无需调谐即可工作。最好使用无极性电容器，例如 17 V 的小尺寸 K63-307。“常规”LED 可以是 AL21、KIPD35、KIPD40、KIPD1 系列中的任何一个，以及 1513-934、L- 816等闪烁 - L-769BRSC-B、L-56BGR、L-1DGD、Т5410ВКXNUMX 等。

由于 KR504NT (1 ... 4) 组件的场效应晶体管允许最大源漏电压不超过 10 V，因此多谐振荡器的电源电压不应超过 10 ... 12 V。

文学

A.布托夫。场效应晶体管上的多谐振荡器。 - 广播，2002 年，N4，第 53 页。
微电路及其应用。 - M.：无线电和通信，1984 年，第 73 页。

出版：cxem.net

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