一个简单的红外线发生器。方案、说明

一个简单的红外线发生器。无线电电子电气工程百科全书

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IR 发生器的示意图如图 29 所示。 XNUMX.

多谐振荡器安装在元件 DD1.1、DD1.2 上，以 F = 30 ... 35 Hz (F@1/2R2*C1)。微分电路 R3C2 和元件 DD1.4...DD1.6 在常闭晶体管 VT1 的基极中形成持续时间为 timp 的电流脉冲@10 µs （时间@R3 * C2)，它激发包含在其集电极中的 IR 二极管 VD1。表 5 显示了 IR 二极管 Iimp 中的电流幅度和发生器所消耗的电流 Iconsumed 对电源电压 Upp 的依赖性。

图29。红外脉冲发生器（点击放大）

简易红外线发生器
米。 30.发电机电路板

发电机的印刷电路板由双面箔玻璃纤维制成，厚度为 1 ... 1,5 mm（图 30）。零件侧面的箔仅用作中性线-“接地”。在导体通过的地方，应在其中蚀刻直径为1,5 ... 2 mm的圆圈（图中未显示），焊接到电容器“接地”引线的零箔的地方，电阻器等以黑色方块显示。

例如，在图。图31显示了AL402 IR二极管的相对辐射功率对直流脉冲电流Ipr.i的依赖性。它们几乎是线性关系，并且具有脉冲电流的如此显着的加力，这通常是 IR 二极管的特征，使得在计算系统的“范围”时可以关注的不是辐射功率，而是易于控制的电流红外二极管。

简易红外线发生器
米。 31. 相对辐射功率对正向脉冲电流的依赖性

表5
乌皮特，B Iimp,A 电位器，毫安
4,5 0,24 0,40
5,0 0,43 0,57
6.0 0,56 0,96
7,0 0,73 1,50
8,0 0,88 2,10
9.0 1,00 2,80

出版：cxem.net

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HTC One X+ 具有与之前型号相同的 Nvidia Tegra 4 四核处理器和相同的 3GB RAM。内置闪存容量为 1 或 16 GB（未提供 microSD 插槽）。处理器频率从 32 增加到 1,5 GHz。显示器的尺寸和分辨率也保持不变：1,7 英寸，4,7 x 1280 像素。智能手机的尺寸没有改变：720 x 134,4 x 69,9 mm。重量略有增加 - 高达 8,9 克。

除了处理器频率提升和闪存容量翻倍外，HTC One X+ 还拥有更高容量的电池——2100 mAh，而上一代机型为 1800 mAh。 SlashGear 援引官方消息称，超频处理器的性能提高了 67%，而新电池的通话时间比 HTC One X 多 6 小时。

HTC One X+ 的外壳略有更新 - 由哑光塑料制成，背面带有红色装饰。据 SlashGear 称，这款新机型是 HTC One X 的“抛光版”，六个月前才开始销售。

该智能手机基于 Android 4.1 Jelly Bean 平台，配备专有的 HTC Sense 4+ 外壳和更新的 Beats Audio 声音技术。主摄像头分辨率为 8 MP（有 LED 闪光灯），前置摄像头为 1,6 MP。智能手机支持 GPS 和 GLONASS。

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