无线电电子与电气工程百科全书 用于测试高压晶体管的设备。 无线电电子电气工程百科全书 检查半导体设备,尤其是从无线电市场购买的半导体设备,不仅是可取的,而且也是必要的,因为您可能会买到有制造缺陷或假货的部件。 作者提出的设备以数字或模拟设备附件的形式制成,可让您快速确定半导体结处的最大允许反向电压。 众所周知,由于测试时的电压较低,使用模拟或数字万用表测试半导体器件并不能完全保证其可用性。 显然,用于测试低压晶体管(例如KT315B、KT815A)的探头不适合测试强大的高压器件。 需要记住的是,如果被测晶体管的反向集电极电流明显高于参考书上所示的值,那么这可能不仅仅是一个低质量的复制品,而是一个假货(所谓的“磨” ”),当其他东西以同一封装中的一个晶体管为幌子出售时。 该装置设计用于测量电压为 50 ... 600 V 时任何结构的双极晶体管的反向电流。它们还可以检查整流二极管、晶闸管、双向可控硅的反向电流并确定气体放电灯的工作电压、高压稳压二极管、压敏电阻。 该装置的示意图如图所示。 交流220V电压通过电源开关SB1和电阻R1、R2加倍压提供给二极管VD1、VD2上的半波整流器。 如果如图所示,电阻器 R2 的滑块处于上方位置,则电容器 C1、C2 中的每一个都将被充电到接近电源电压幅值的电压,即略高于 300 V。此时,根据电路中电阻R8、R9左端的可调恒压可以达到600V。 电阻R3、R4的目的是为了在断电后加速电容C1、C2的放电。 氖灯HL1在电压超过100V时点亮,电阻R6、R7和微安表RA1搭建一个刻度为600V的简单电压表,电阻R8、R9限制负载的短路电流至 6 毫安; 同时它们的功耗高达 3,6 瓦。 HL2 LED 表示 p-n 结反向电流增加,在 100 μA 电流时开始几乎不明显发光(建议选择低电流时光通量最高的 LED)。 硅二极管 VD3 保护所连接的微安表免受过载影响。 该器件使用适当功率的恒定 MLT 电阻器。 可变电阻器R2 - SP-1 1 W,具有线性特性(A组)。 一些固定电阻器的功率增加是由于它们在高电压下工作。 电容器 C1、C2 - 氧化物,K50-7、K50-27 型或类似电容器,电压至少为 350 V。可以使用每 73 V 容量为 17 微法的非极性 K2,2-400 或类似电容器。 二极管 VD1-VD3 可用任何其他允许反向电压至少为 700 V 的低功耗硅二极管代替。 氖灯 HL1 - 电流不超过 250 μA 时具有足够亮度的任何类型。 电源开关 SB1 - 按钮(非锁定!),工作电压至少为 250 V。 微安计 PA1 M4761 型,框架电阻为 1 kOhm,来自卷盘磁带录音机“Saturn 202C-2”的电平指示器 它可以用任何其他具有箭头全偏转电流 50 ... 300 μA 的产品代替、M68501、M4260、M4204。 通过这样的替换,可能需要对电阻器R6、R7的电阻进行显着调整。 从结构上看,该设备可以放置在尺寸为100x150x30毫米的塑料盒中。 在电阻R2的轴上,一定要安装一个塑料手柄。 在经常使用的情况下,该装置可配备极性开关来测试“npn”和“pnp”结构的晶体管。 为了避免测量过程中触电,电源电路中的电流受到限制,操作人员的双手很忙:需要同时按下电源按钮并调整负载上的电压。 因此,该设计提供了将半导体器件的端子固定在处于电压下的连接器的端子或夹具中。 在测试半导体器件的最大电压之前,您仍然应该使用传统的欧姆表检查其主要参数,在测试的第一阶段就过滤掉有缺陷的参数。 检查晶闸管时,将其连接到np-p结构晶体管的端子上,控制极连接到基极的端子上。 使用两个选项来检查三端双向可控硅开关元件的输入电压极性,使控制电极保持未连接状态。 任何设计的微安计连接到插座X1、X2; 使用数字万用表尤其方便。 可以将附加电压表连接到触点 X4、XXNUMX。 应逐渐增加测试电压,用测量装置监测反向电流的增加或LED的外观。 由于晶体管封装类型多种多样,因此很难对它们与器件的连接给出单一的建议; 您只需将电线焊接到晶体管端子即可。 只需遵守两个基本要求:所有与设备的连接都应在断电的情况下进行(设备未与电源隔离!),并且滤波电容器完全放电。 有时在室温下测量反向电流可能不够,因此可以用电吹风对晶体管或其他半导体器件进行加热。 测试结果可能会导致更谨慎地使用具有足够电压裕度的半导体器件。 为了排除测量电路与网络的电流连接,建议通过隔离变压器连接设备 作者:A.Butov,雅罗斯拉夫尔地区库尔巴村 查看其他文章 部分 测量技术. 读和写 有帮助 对这篇文章的评论. 科技、新电子最新动态: 花园疏花机
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