无线电电子与电气工程百科全书 晶体管 12 伏 600 毫安的简单强大并联稳定器。 无线电电子电气工程百科全书 所提出的文章描述了并联稳定器的工作原理,并考虑了使用它来稳定强大的高质量低音放大器电源的可能性。 还显示了带有并联稳压器的完整电源图。 在无线电爱好者以及高品质工业音频设备中,并联稳定器被广泛使用。 在这些装置中,稳定元件与负载并联,这在稳定器的速度等参数中得到了很好的体现。 事实上,稳定器的速度是由稳定元件的速度决定的。 此外,并联稳定器的优点包括以下事实:无论稳定器消耗的电流如何,其从电源消耗的电流保持不变。 这一事实对整个 PSU 发出的噪声水平有积极影响(因为消耗电流偏差不流经变压器和整流桥),尽管这是其效率低的原因。 考虑上述最简单的并联稳定器示例 - 齐纳二极管上的参数稳定器(图 1)。
电阻器 R0 设置流过齐纳二极管和与其并联的负载的总电流。 不难看出,当负载电流变化时,流经电阻R0的电流将保持恒定,只有流经稳压二极管D1的电流会发生变化。 只要满足条件 (1),就会发生这种情况: IН<IR0-Ist.min. (1)
该稳定器的速度主要取决于齐纳二极管[1]势垒电容值的变化率以及电容器C1的充放电时间。 然而,这种稳定器也有缺点——特别是,为了获得或多或少不错的稳定系数(>100),与负载电流相称的电流必须流过齐纳二极管。 考虑到绝大多数齐纳二极管设计用于高达 100 mA 的电流,这种情况使得在强大的设备中使用参数稳定器变得困难。 为了绕过这个障碍,将一个强大的有源元件(例如 MOSFET 晶体管)与稳定器并联放置,如图 2 所示。 XNUMX.
在该电路中,齐纳二极管仅在晶体管Q1的栅极上设置稳定的电压,主电流流经其漏源电路。 齐纳二极管 VD3 可保护 Q1 免遭因本实施方案的高电压而击穿。 有关该方案操作的更多详细信息可以在[2]中找到。 图一所示的电路能够在大电流下工作(受到所用 MOSFET 的限制特性的限制),但它释放的功率较多,并且效率较低(小于 30% - 如果电阻器 R1 两端的压降相对较大)。大,通过 MOSFET 的电流与通过负载的电流相当,输入和输出电压值不超过 100 V),这在高功率应用中是一个严重的缺点。 但是,如果消除该电路中的不稳定源,则可以显着减少流经 MOSFET 的电流,而不会影响稳定系数。 让我们更详细地讨论一下。 当稳定器输入端的电压发生变化时,流过电阻器R1的电流发生变化,可以通过增加该电阻器的阻值来减小这种变化,但这反过来又需要增加该电阻器两端的压降,从而降低效率。 我认为最好的解决方案是用电流源代替这个电阻,可以将电流源上的压降设置为等于输入电压偏差+2-3伏之和,以使电流源的有源元件工作通常情况下。 考虑到这些附加内容,开发了带有并联稳定器的电源电路,如图 3 所示。 XNUMX. 这里电流设置电阻的功能是由晶体管Q1上的电流源来执行的。 为了降低其产生的电流的不稳定性,它由另一个较低功率的电流源供电,该电流源又通过 RCR 滤波器供电以减少纹波。 电阻R7可以粗调调节稳压器的工作电流,电阻R4可以平滑调节。 电阻R8可以在小范围内调节稳压器的输出电压。 R6代表PSU负载,消耗电流约600mA(请勿空载连接PSU!)。 晶体管Q1和M1可以安装在面积至少为500平方厘米的共用散热器上。 稳定器(带输入、输出RC滤波器)主要技术特点:
不难看出,该电路在效率和Kst方面具有足够高的参数,可与补偿串联稳压器的特性相媲美,同时几乎完全保留了并联稳压器的优点。 同时,该电路相当简单,不需要稀缺零件,即使是无线电爱好者新手也可以设计。 电路中输入电压高达50V,可以使用-Q1-BD244C、Q2-BC546A、M1-IRF630。 作为齐纳二极管 D7,您可以使用 8,2 V 的任何电压、二极管 D1-D4(例如 SF54)、二极管 D5、D6、D8、D9(例如 1N4148)。 文学
作者:Oleg Baushev 又名 Olegyurich; 出版物:cxem.net 查看其他文章 部分 浪涌保护器. 读和写 有帮助 对这篇文章的评论. 科技、新电子最新动态: 控制和操纵光信号的新方法
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