可调稳定器 30/3-25 伏特 2 安培。方案、说明

可调节稳定器 30/3-25 伏 2 安培。无线电电子电气工程百科全书

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该文章描述了一种稳压器，其中调节晶体管两端的电压降最小，因此稳定器消耗的功率也减少了。它的用途对于用原电池和电池组为电子设备供电特别有用。

几乎所有电子设备都需要稳定的电源。稳定器很容易构建在众所周知的 KR142EN 系列微电路或分立元件上。但为了使这种稳定器成功运行，压降（即所提供的电源电压超过稳定电压的值）必须至少为 2 ... 3 V。这会导致调节晶体管的高功耗问题，因为在这种情况下，它需要几伏的“顶部裕度”。

所提出的稳定器在调节晶体管的集电极和发射极之间的电压等于饱和电压（0,1 ... 0,5 V，取决于负载电流）时保持其特性。

主要技术特性最大负载电流-2A；最大输入电压 - 30 V；输出电压范围 - 3...25 V；稳定系数 - 150。

这是一个串联调节晶体管VT1的补偿稳定器（见图）。运算放大器DA2上装有比较器。示例性电压由场效应晶体管 VT2 和齐纳二极管 VD2 上的稳定电流源产生，并馈送到运算放大器的反相输入端。同相输入接收来自分压器 R3R4 的电压，该电压与输出成比例。运算放大器比较这些电压，并在其输出处出现必要的控制信号，该信号被馈送到 DA1 微电路，该电路包含四个相同的 p 型 MOSFET。每个晶体管都具有与 KP304 系列分立晶体管相同的参数：开路电阻 - 不超过 100 欧姆。该特性的斜率约为 4 mA/V。

微电路的所有晶体管都是并联连接的，因此可以说，一个晶体管充当源极跟随器。这样做是为了增加这种晶体管的允许源电流，可以达到 80 mA。斜率也增加至 16 mA/V。 “复合”MOSFET具有低沟道电阻，可有效控制调节晶体管VT1。可以看出，发射极VT1的电位将始终高于基极电位，这保证了即使在发射极和集电极之间电压非常低（饱和电压）时稳压器也能工作。

电阻R1限制DA1芯片晶体管的最大电流，其值不能超过80mA。电源接通时需要电阻R2和二极管VD1来启动稳压器。那么这些元素实际上不会影响设备的操作。可变电阻器R3设置所需的输出电压。其下限等于VD2 稳压二极管的稳定电压（对于KS133A 约等于3,3V），上限可由公式U = 3,3 • R3 / R4 确定。

输入电压不大于25V时，K547KP1B微电路可用于稳定器，小于15V-K547KP1V。晶体管VT1——允许集电极电流大于3A、允许集电极-发射极电压至少35V的任何pnp结构，例如KT816B-KT816G、KT818B-KT818G。可以使用KPZOZ或KP2系列晶体管代替VT307。可以用 K140UD1208 或 K140UD6 代替 OU K140UD7；在这种情况下，请排除电阻器 R5。二极管 VD1 - 任何低功率硅。

由可维修部件组装而成且没有错误的稳定器不需要进行调整。

（点击放大）

作者：A. Zavrichko，新沙赫京斯克，罗斯托夫州；出版：cxem.net

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