手机充电器 AMT 旅行适配器。方案、说明

手机充电器 AMT 旅行适配器。无线电电子电气工程百科全书

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AMT 旅行适配器充电器可在 100...240 V 的宽电源电压范围内工作，提供 4,8...8,5 V 的稳定输出电压，最大负载电流为 0,6 A。它们根据如图所示的电路进行组装。图形设计简单，操作原理有趣。经 VD1-VD4 二极管电桥整流并经电容器 C1 平滑的电源电压馈入单周期反激电压转换器，该转换器的基础是基于 VT1 晶体管和具有三个绕组的 T1 变压器的自振荡器： I -网络，II-反馈，III-输出。绕组 II 和 III 相同，网络绕组 I 的匝数多 10 倍。

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当三极管VT1的基极电路通电时，有电流Ib1流过电阻R1，约等于300 V/R1\u0,4d 30 mA。该电流被晶体管放大，开始流经变压器的 I 绕组。在强正反馈的作用下，绕组II的电压（约1 V）通过电路C2R3R2R5的断开极性加到晶体管VT1上。再生过程发展，晶体管 VT6 进入饱和状态，结果，完全整流的电源电压被施加到绕组 I。该绕组的电流增加，变压器的磁路积累能量。此时，二极管VD8-VD30被反向电压闭合。绕组 II 和 III 上的电压达到 2 V。电容器 C2 快速充电，之后电流 Ib3 通过电阻器 R30 (10 V / 3 kOhm = 1 mA) 流入晶体管的基极，该电阻器被添加到 Ib1。总基极电流 Ib \u2d Ib3,4 + IbXNUMX 大约等于 XNUMX mA。

饱和晶体管的集电极电流增加到 h21e*Ib。其中 h21e 是基极电流传输系数，在晶体管脱离饱和后，变压器绕组上的电压降低。反向再生过程发展，晶体管闭合，绕组上的电压改变极性。二极管 VD6-VD8 开路。阻尼电路 VD7C3R4 降低了变压器 T1 的自感 EMF 浪涌，从而限制了晶体管 VT1 集电极的电压。通过肖特基二极管VD8对连接负载的电容器C5充电。 LED HL1 - 输出电压指示器，电阻器 R7 设置通过它的电流。通过二极管VD6，电容C4被充电到大于稳压二极管VD5的稳定电压的反向电压幅度，结果它打开，晶体管VT1的基极电压变为负值并阻止它打开。这是脉冲之间的暂停时间，它比脉冲的持续时间长得多。通过电阻R61的电流I1不流入晶体管VT1的基极，而是流入开路的齐纳二极管VD5和电容器C4，对其进行放电。该电容器上的电压随着晶体管 VT1 的增加而降低。当它达到约 0,7 V 时，暂停将结束，晶体管将打开并开始新的生成周期。通过选择元件R3、C4和VD5的值，可以调节器件的产生频率和输出电压。齐纳二极管 VD5 - 低功率，稳定电压为 3,3 ... 8,2 V。 LED HL1 - 任何低功率。

所考虑的充电器的特点是可靠性非常低。 Q1 系列的开关晶体管 VT13001 经常发生故障，从而损坏与其相关的元件。在维修过程中，它被替换为KT940A晶体管，因为它广泛使用而被选中。应该注意的是，它的工作没有电压裕度，因为它的最大允许集电极-发射极电压为 300 V。尽管如此，修复的设备并没有出现故障。

作者：V.Zorin，克麦罗沃州尤尔加；出版物：radioradar.net

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