国外生产的半导体器件的符号系统。 无线电电子电气工程百科全书
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目前,国际上已形成三种半导体器件的命名体系:美国(JEDEC)、欧洲(Pro-Electron)、日本(JIS)。 让我们逐一了解一下这些系统。
JEDEC系统
JEDEC(联合电子设备工程委员会)系统给出了用于指定电子设备的以下格式:数字-字母-数字-后缀。
该数字表示半导体器件中pn结的数量。 如果第一位是1,那么它是一个二极管; 2——晶体管; 3(例如)- 具有两个栅极的场效应晶体管。 无论如何,该数字表示器件引线的数量减一。
字母 N 不带有语义负载,它只是两个数字名称之间的分隔符。
该号码不携带有关设备的信息,它只是设备的注册号。
指定晶体管时使用后缀:A - 低增益晶体管,B - 中增益晶体管,C - 高增益晶体管。
例如,2N3061B 是中等增益晶体管。
亲电子系统
本系统给出以下格式:两个字母-字母-数字-后缀。
第一个字母表示半导体材料:A——锗; B——硅; C——砷化镓; R——复合材料。
第二个字母表示设备类型:
A——低功率二极管或信号;
B——可变电容二极管(varicap);
C——小功率低频晶体管;
D——低频大功率晶体管;
E——隧道二极管;
F——小功率高频晶体管;
G——各种设备;
H——磁敏二极管;
K——霍尔效应器件;
L——高频大功率晶体管;
N——光耦合器;
P——光电探测器;
Q——光发射器;
R——开关器件(晶闸管、三极管、单结晶体管等);
S——低功率开关晶体管;
T——强大的开关器件(晶闸管、三端双向可控硅开关等);
U——大功率开关晶体管;
W——表面声波上的器件;
X - 二极管倍增器(变容二极管);
Y——整流二极管;
Z - 齐纳二极管。
第三个字母表示该仪器用于工业或军事应用(而非商业)。
该号码不携带有关设备的信息,它只是设备的注册号。
指定晶体管时使用后缀:
A是低增益晶体管,B是中增益晶体管,C是高增益晶体管。
例如,BFY51B 是一款适合工业应用的中等增益硅低功率高频晶体管。
JIS系统 (Japanese 工业标准 - 日本工业标准)。
本系统给出以下格式:数字 - 两个字母 - 数字 - 后缀。
该数字与 JEDEC 代码中的名称相匹配,即这是器件引线的数量减一。
字母表示设备的应用:
SA——pnp结构的高频晶体管;
SB——pnp结构的低频晶体管;
SC——npn结构的高频晶体管;
SD——npn结构的低频晶体管;
SE——二极管;
SF——晶闸管;
SG - 江恩装置;
SH——单结晶体管;
SJ——p沟道场效应晶体管;
SK——n沟道场效应晶体管;
SM——双向可控硅;
SQ——发光二极管;
SR——整流器;
SS——低功率(信号)二极管;
ST——二极管;
SV - 可变电容;
SZ——齐纳二极管。
该号码不携带有关设备的信息,它只是设备的注册号。
各种日本公司可以在他们认为合适的时候使用该后缀。
比如2SC2335C就是一个pnp高频晶体管。
然而,许多大公司使用自己的晶体管名称:
MJ - 来自摩托罗拉的强大晶体管,装在金属外壳中;
MJE - 来自摩托罗拉的强大晶体管,装在塑料外壳中;
MPS - 来自摩托罗拉的塑料外壳中的低功率晶体管;
MRF——摩托罗拉公司的高频和超高频晶体管;
TIP——德州仪器的强大晶体管;
TIPL 是德州仪器的大功率平面晶体管。
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