高压直流稳压器。方案、说明

高压直流稳压器。无线电电子电气工程百科全书

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当构建高质量的高压稳压器（例如为灯级供电）时，必须使用特殊电路来打开调节元件，这使此类稳定器的电路变得复杂。

同时，还有集成电路，使用它们可以创建简单的高压补偿型稳压器，输出电压为70至140 V。这些是SE070N、SE080N、SE090N、SE105N、SE110N、SE120N、SE125N的微电路， SE130N、SE135N、SE140N 类型。这些微电路旨在控制和调节直流电压。

正如您可能猜到的，微电路标记中的数字名称将对应于微电路的工作电压（以伏特为单位）。

上图。图 1 显示了输出电压为 115 V DC 的线性稳压器的可能选项之一。稳定器的电压源是220V交流网络，在其他设计中，电压源可以是例如电源变压器的次级绕组、电压转换器整流器的输出。该稳定器由集成电路 SE115N 制成，它是 115 V 电压检测器。来自稳定器输出的受控电压被馈送到输入 DA1 - 引脚 1。

高压直流稳压器
图。 1

如果稳定器输出端的电压趋于增加到高于工作电压DA1，则微电路的输出npn晶体管打开，其集电极连接到DA2的引脚1。这导致栅源电压VT1降低，进而导致稳压器的输出电压降低。在强大的高压场效应n沟道晶体管VT1上制作源极电压跟随器。

交流电源电压提供给桥式二极管整流器VD1-VD4。电容器C1平滑整流电压的纹波。电阻器 R1 可减少设备连接到网络时通过整流二极管和放电电容器 C1 产生的浪涌电流。 VD5 齐纳二极管可保护场效应晶体管免遭高栅源电压击穿。

发光的 HL1 LED 指示存在输出电压，此外，当负载关闭时，R3HL1 电路会对氧化电容器进行放电。

电阻 R1 必须是电线。

其阻值和功率根据与稳定器连接的负载的参数来选择。其余电阻为对应功率的C2-33、MLT、RPM中的任意一个。电阻R2的阻值根据稳压器的输入电压来选择，应注意1脚流入的最大电流DA2不应超过20mA。 K50-68 型电容器或进口类似电容器。

如果在您的设计中，C1 将是，如图所示。 1接50Hz交流桥式整流器的输出，其电容应按每4W负载1uF选取。一般情况下，电容C2的电容量应与电容C1的电容量相等，整流二极管1N4007可替换为1N4006、UF4006、RL105、KD234D等。可以使用 BZV55C-12、55N13A、1S4743T、KS2T 代替 BZV212C-212 齐纳二极管。 LED 适用于任何类型的连续发光，最好具有增加的光输出。 HV82 MIS FET 的额定最大漏极电流为 6,5 A，漏极至源极电压为 800 V，最大功耗为 150 W（带散热器）。在此设计中，可以将其替换为 IRF350、IRF352 或其他在参数方面适合所连接负载的产品。

应该记住，例如，如果将 30 W 负载连接到稳定器的输出端，则当器件由 220 V 网络供电时，晶体管 VT1 上将消耗约 80 W 功率。例如，如果稳定器的输入电压为+180 V（“管”变压器的整流输出），则输出电压为115 V，负载电流为0,5 A，安装在稳压器上的晶体管散热器将耗散约 33 W 的热功率。这个量很大，因此，建议使用线性高压稳压器为小电流负载供电，例如示波器的电子管有源探头以及其他使用开关高压稳压器的地方是不可取的。

该器件可以安装在 105x50 mm 的印刷电路板上，其草图如图 2 所示。 XNUMX.

高压直流稳压器
图。 2

SE115N芯片引脚上的电流消耗。 1 约3mA。为了增加稳定器的输出电压，可以在输出电路3DA1中包括齐纳二极管。例如，如果您有一个“适用于140 V”的SE140N芯片，并且您需要一个输出电压为180 V的稳压器，那么您需要与该引脚串联。 3. 打开1N4755A稳压二极管或串联的两个KS520V稳压二极管。通过该引脚的电流总和将流过齐纳二极管。 1 和 2 DA1。除高压集成电路SE***N外，还有低压SE005N、SE012N、SE024N、SE034N、SE040N，也可用来制造补偿稳压器。按照与图1所示相同的原理制作的稳压器。 1，输入直流电压（在板 C8 上）必须超过输出至少 XNUMX V。

制造时按图组装结构。 1、请记住，其所有元件均处于电源电压下。

作者：Butov A.L.

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