开关电源，220/29x2 伏特 8 安培。方案、说明

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无线电电子与电气工程百科全书 / 电源供应器

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为高功率音频放大器供电需要一个电源，通常具有带中点的双极输出或两个电流非耦合输出。输出电压实际上不应随着负载电流在从最小到最大范围内的突然变化而变化，并且当电源电压变化时，电源的效率应为最大。必须保护电源免遭短路和过载。

本文介绍的开关电源 (SMPS) 可以满足所有这些要求。它是在广泛的元件基础上制成的，不含昂贵或稀有的元件。

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SMPS 组件的用途：

SA1——电源开关；

FU1——保险丝，在源头发生事故时保护电源；

RK1——热敏电阻，将电容器C1.C4的初始充电电流限制为二极管VD1和VD2的安全值；

RU1——压敏电阻分流从网络渗透的过电压脉冲；

C5-C6-L1——网络滤波器，抑制转换器产生的高频振荡；

VD1-VD2-C1、C4-R1-R2 - 带电容分压器的电源整流器。

当电源从网络上关闭时，电阻器 R1 和 R2 对电容器 C1 ... C4 进行放电。电容器C1、C3和C2、C4的电容量一般不相同，分压器的中点相对于电源电压的一半偏移。但由于电容C8处于稳态，偏置电流不会流过电源变压器T1；

C7-C10-C11-L2-VD3-VD5-VD6 和 C13...C15-L2-VD9-VD10-VD16 - 带有平滑 LC 滤波器的输出整流器，根据 McLeaman 方案制造。在输出整流器之后立即安装电解电容器是不可接受的，因为这些电容器会因大的电压纹波而迅速过热并失效；

C9-C12-DA1-R3-R4-VD4-VD7 和 C16-C17-DA2-R9-R11-VD17-VD22 是补偿稳压器（低压降型），可提供过载和短路保护。当电源关闭时，二极管VD4和VD22保护DA1和DA2微电路免受来自电容器C9和C16的反向电压的影响，并保护二极管VD7和VD17免受来自电容器C12和C17的反向电压的影响。通过选择电阻R3、R4和R9、R11可以改变稳压输出电压；

R5-HL1-VD8和R8-HL2-VD13——指示稳定器保护操作的电路；

T1——脉冲电源变压器，电隔离电源的输入和输出；

R6、R7、VD11、VD12是防止直通电流流过关键晶体管的元件。在一个晶体管的基极电路中的多余载流子被解决之前，另一个晶体管将无法打开；

VD14、VD15、VD18、VD19——阻尼二极管；

VD20-VD21——电压脉冲限制器EMF自感电抗器L3；

L3 - 由于集电极电流的限制而提供打开晶体管的延迟的电抗器。由于晶体管的安全开关，半导体结构不会发生二次击穿；

VT1、VT2——开关晶体管。 T2 变压器和防止直通电流的电路提供给其基极的电压应大致相同。在这种情况下，当从T2取出的电压的极性改变时，这些电压被补偿，并且基极电流不会流过闭合的晶体管；

R15-HL3-VD23——开关电源接通的指示灯元件；

C19-R10-R16-T1-T2——提供转换器自激的正反馈电路。随着功耗的增加，转换频率增加，变压器T1所有绕组上的电压降低。但几乎相同的电压被施加到关键晶体管的基极-发射极结，因为开关变压器T2的绕组上的电压几乎不会由于电容器C19的电容的减小而减小。由于电容C19的存在，晶体管VT1和VT2不工作在有源区，此时它们消耗的功率会成倍增加，转换器的效率会降低。电容器C19与变压器T1的绕组IV直接连接是不可接受的，否则关键晶体管将失效；

C18-R14-VS1——触发电路，打开源后产生脉冲，使晶体管VT2打开，从而启动自动发电。

T2是饱和开关变压器。磁路参数和绕组匝数决定了转换器的发电频率。整体尺寸越小，绕组匝数越少，转换频率越高。

KR1EN2A型集成稳压器DA142、DA22可用LT1083替代。每个微芯片都安装在冷却表面积为 350 cm2 的散热器上。开关晶体管 VT1 和 VT2 (KT839A) 替换为 KT838A、KT846A、BU208A 或类似器件，反向电压至少为 1000V，集电极电流至少为 4A。每个晶体管安装在面积为 60 平方米的散热器上。 2平方厘米。

Dinistor VS1 (KN102D) 可以用 DB-3、DB-4 或该系列中的任何 dinistor 替代。 KN102。二极管 VD1 和 VD2 - KD203G 型。可以用KD203D、HFA06TB120或类似产品代替，反向电压至少为1000V，正向电流至少为8A。

二极管VD3、VD5、VD9、VD16（KD2997V）替换为KD213A、30CTQ100、SFA1604G或反向电压至少100V、直流电流至少10A、频率至少100kHz的类似产品。每个二极管固定在散热片上，散热表面积至少为50 cm2。必须在散热器上安装二极管。您可以使用 KD4B、KD6B (V)、KD7B (V)、KD10A、MUR17、SF20 或反向电压至少为 22 的类似二极管代替二极管 VD212、VD226、VD243、VD247、VD528、VD120、VD34 (KDl100A) V和直流电流不小于1A。二极管VD11、VD12（KD2997A）可以用KD2997、KD213系列中的任何二极管代替，二极管KD527A、1N5822、31DQ10、50SQ080、50SQ100或类似的直流电流不小于3A至少 14 A。阻尼二极管 VD15、VD18、VD19 228 、VD243 (BY247) 替换为 KD527Zh KD528Zh KD1D、KD7D、1A7、1F4007、1N5408。 1N5399、150N02、208EBU26、HER26、BYM157E、BYV207E、FR207、FR1000、RL1 或类似器件，反向电压至少为 23 V，正向电流至少为 102 A。二极管 VD103 (KD221A) 可用 KD509A、KD510A 替换、KD518 522A、KDXNUMXA、KDXNUMXA 或 KDXNUMXB。

可以使用 VD8 (KS13A)、D515D、KS814A (B)、KS509A 或稳定电压为 518 至 14 V 且最大电流至少为 20 mA 的类似二极管代替齐纳二极管 VD10。代替 VD21 (D816A)、D816B 或类似产品，稳定电压为 22 V 至 30 V，最大电流至少为 150 mA。

LED HL1 和 HL2 (L5013SGD) 可替换为 L5013SGD-B、L5013UEBC-B、HL3 (AL307GM) - AL102、AL307 系列的任何 LED。

电容器 C1、C2、C12、C17 - K50-27、K50-35 型； C3 ... C7、C10、C13、C14、C18、C19 - K73-16、K73-17； C8-K75-10、K75-12、K75-24； C9 C11、C15、C16 - KEA-II、K50-6、K50-27、K50-35。电容器 C8 的功率必须至少为 550 VAR，并且电容可以为 0,47 至 1,5 微法拉。电容器C19的电容可以为0,022至0,047uF。电容器可以替换为任何设计用于相同电压的类似电容器。

电阻器 R1、R9、R11、R15 的类型可以是 MLT、OMLT C2-22 C2-23，以及 R10 和 R16 - C5-16MV、C5-37 或 PEV-5。电阻器可以替换为任何设计用于相同功率的类似电阻器。压敏电阻 RU1 (VCR391) 可替换为 JVR-10N361K、JVR-14N361K、JVR-20N361K、JVR-10N391K、JVR-14N391K、

JVR-20N391K、JVR-10N431K、JVR-14N431K、JVR-20N431K 或类似产品，RK1 热敏电阻 (SCK-103NTC) - 在 MZ92-P220RM、MZ92-R220RM、MZ92-P330RM、MZ92-R330RM 或类似产品上。

扼流圈 L1 是在尺寸为 K55x60x24 的 alsifer TCHK14 或 TCH7 制成的环上制成的。绕组 I 和 II 各包含 20 匝 MGTF、PELSHO 或 PEV-2 01 mm 电线，并缠绕在两根电线中。另外，建议在每个绕组的一个端子上放置一个铁氧体环M2000NM K10x6x3，不建议使用接收器磁性天线的铁氧体棒作为L1，因为电感的杂散场会显着增加，并且屏蔽高压电感是一个很大的问题。

扼流圈L2缠绕在磁芯上。 Ш7х8 来自铁氧体 2000НМ。绕组 I 和 II 包含 75 匝 PETV、PEPSHO 或 PEV-2 线，每匝 01,7 毫米，并缠绕在两根线中。磁芯磁芯具有 0,3...0,5 mm 的无磁间隙，由 Textolite 或 getinaks 制成。为了减少杂散场，扼流圈通过用 0,05 ... 0,1 mm 厚的黄铜带将所有三个杆包裹在外面进行屏蔽。胶带的两端相互焊接。

L3 电抗器采用铁氧体环 M2000NM 或 Micrometals K20x10x6 制成。每个半绕组都有一匝电线。 MGTF PETV、PEV-2 或传统安装线 0,6 毫米。

变压器 T1 由尺寸为 K2000x1x2000 的铁氧体 M2000NM1、M17NM-A 或 M45NM28-8 折叠在一起的三个铁氧体环制成。绕组 I 和 III 包含 15 + 15 匝每匝 01,7 mm 的导线；绕组 II - 264 匝 0,9 mm；绕组 IV - 7 匝 0,41 mm；绕组 V 和 VI - 各 1 匝 0,25 mm。电线 - MGTF、PELSHO 或 PEV-2。绕组II首先绕制，包含4层绝缘：每绕66匝后，铺设一层PTFE或Mylar薄膜。

变压器 T2 采用铁氧体环 M2000NM-A K10x6x8 制成。所有绕组（I、II 和 III）均包含 0,3 匝电线。 MGTF、PELSHO 或安装线具有可靠的绝缘性能。在绕组 I 和 II 中，导线为 0,42 mm，在 III 中为 XNUMX mm。

设计。导体和源部分的相互布置并不重要。在我看来，源是通过铰链安装执行的。连接高压运行部件的电线直径必须为 1 毫米或以上，连接电源和负载的电线直径必须至少为 1,7 毫米。所有电线必须牢固绝缘。

设立。注意力！一些源元件处于高电压下，危及生命。遵守安全规定！

在打开电源之前，您应该仔细检查安装是否符合由可维修部件组装而成的 SMPS 电路，通常会立即开始工作。如果在打开电源后没有发生自动发电（HL3 LED 熄灭），则需要更改变压器 T1 的绕组 IV 或变压器 T2 的绕组 III 的相位（交换两端）。变压器TXNUMX。

如果在220V电源电压下，电源的空载电流超过40mA（在电源滤波器后测量），则需要按比例增加变压器T1所有绕组的匝数。如果输出电压不同于 29V，可以通过选择电阻 R3 和 R11 来设置。

作者：E. Mokatov，罗斯托夫地区塔甘罗格。

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修复牙釉质 14.12.2019

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由磷酸钙离子簇组成的材料可用于形成釉质前体层。这意味着人工措施可以诱导模仿类似自然过程的牙釉质晶体生长。他们的话的实际证明是一种新型的臭名昭著的磷酸钙离子簇（CPIC），其直径仅为 1,5 纳米（约十亿分之一米）。

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