软启动装置。方案、说明

软启动装置。无线电电子电气工程百科全书

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很多时候，设备在连接到网络时就会出现故障。发生这种情况是由于电源中具有强大的电源变压器和高容量平滑电容器的脉冲电流浪涌。这种现象也是开关电源所固有的。

减少浪涌电流的常用方法是在电源输入端安装大功率、低阻值的电阻，然后通过继电器触点将其旁路。但这种方案不能很好地防止电源电压周期性丢失，因为它的自复位速度很慢。

所提出的设备（图1）提供可靠的设备保护，并且可以在任何电源的输入处打开。它由交流电源供电（当受保护设备接通三相时，从其中一相供电）。整流器VD1通过镇流电容器C1连接，其电容限制消耗的电流量。电阻R2在市电电压关断后对电容C1进行放电，电阻R1限制C1的初始电流（接通瞬间）。

如果需要使用不同的电压为设备供电，则需要重新计算电容 C1。

（点击放大）

齐纳二极管 VD2 将电源电压限制为 15 V。R5-C4-VD4 链用于在通电时将元件 DD1.2、DD1.3 上的 RS 触发器设置为其初始状态（当通电时，二极管 VD4 快速对 C4 放电）。网络丢失）。当器件开启时，输入8 DD1.2 为低电平。

对于逻辑元素2I-NOT，该电平是切换的。 RS触发的特点是它由第一个零脉冲触发，对其余脉冲不响应。

积分电路R3-C3-VD3在导通时产生延时（约3s）。电容器 C3 的电荷通过电阻器 R1 来自整流器 VD3（如果电源电压丢失，二极管 VD3 会快速对 C3 进行放电）。初始时刻输入8 DD1.2 - 低电平，输入13 DD1.3 - 高电平。在RS触发器输入信号的这种状态下，DD11的输出1.3为低电平，并且晶体管VT1闭合。微电路DA1断电，双向可控硅VS1关断，负载Rн串联限流电阻R10。对电容C4充电后，8脚DD1.2处设置为高电平。 RS触发器两个输入端的单个信号对应于信息存储模式。

3秒后，DD13的输入1.3处出现“0”，触发器翻转并向晶体管VT1提供高电平。晶体管打开并打开 DA1 芯片的 LED。该微电路由红外发射二极管组成，通过光学方式耦合到双向电压过零检测器和三端双向可控硅开关输出电路。输出电路DA1打开双向可控硅VS1（微电路的脉冲输出电流可达1A，但该输出不能带恒负载）。

晶闸管 VS1 打开，旁路限流电阻 R10，并向负载提供全部电源电压。

当网络出现故障时，电容C4通过VD4放电，在DD8的输入1.2处形成低电平，触发器返回到原来的状态，即低电平加到晶体管VT1上。

三极管截止，可控硅VS1截止，限流电阻R10接入负载电路。当网络出现并且延迟时间（3秒）结束时，触发器切换，并且打开的双向可控硅旁路限流电阻。

可以通过更改 R3-C3 链的额定值来校正时间延迟。

该器件采用尺寸为 91x41 mm 的印刷电路板制成（图 2）。

电源软启动器

电阻R10的阻值根据被保护设备的最大允许电流来选择。

可控硅VS1根据所需工作电流选择。应该考虑到，双向可控硅开关的电流取决于温度。

因此，双向可控硅必须安装在散热器上。 DA1 芯片的一个输出端只能连接一个三端双向可控硅开关元件。

测试该器件时，电源电压在120V至270V范围内变化。如果不需要如此宽的范围，电容器C1的电容可以减半。

作者：V.卡拉什尼克，沃罗涅日

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