管状避雷器技术数据

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附件 3.1。管状避雷器的技术数据。无线电电子电气工程百科全书

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表26

避雷器类型	额定电压，千伏	开断电流，kA	外部火花隙，mm	灭弧室直径，mm		内部火花隙长度，mm
避雷器类型	额定电压，千伏	开断电流，kA	外部火花隙，mm	初级	决赛	初始	最终的
RTF-6	6	0,5 - 10	20	10	14	150±2	153±2
RTV-6	6	0,5 - 2,5 2 - 10	10 10	6 10	9 14	60 60	68 68
RTF-10	10	0,5 - 5 0,2 - 1	25 25	10 10	11,5 13,7	150±2 225±2	153±2 225±2
RTV-10	10	0,5 - 2,5 2 - 10	20 15	6 10	9 14	60 60	68 68
RTV-20	20	2 - 10	40	10	14	100	110
RTF-35	35	0,5 - 2,5 1 - 5 2 - 10	130 130 130	10 10 16	12,6 15,7 20,4	250±2 200±2 220±2	250±2 200±2 227
RTV-35	35	2 - 10	100	10	16	140	150
RTV-110	110	0,5 - 2,5 1 - 5	450 450	12 20	18 25	450±2 450±2	452±2 452±2

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现代电子产品对热非常敏感，数百摄氏度的温度对其不利。然而，科学家们多年来一直在努力解决这个问题，他们似乎取得了一些成功。例如，亚利桑那州立大学最近宣布在 NASA 资助的 HOTTech 计划下开发下一代电子模块，在此基础上可以制造出能够承受高达 300°C 甚至更高温度的存储元件.

氮化镓被用作制造高温电子产品的基础材料。事实上，传统上用于制造微处理器和内存模块的硅具有相对较低的带隙（该指标决定了电子从价带移动到导带所需的最小能量） - 只有 1,12 eV。同时，对于氮化镓来说，它是 3,4 eV，这使得器件可以在更高的温度下正常工作。同时，值得注意的是，作为高温电子项目的一部分，这并不是唯一正在研究的具有宽带隙的半导体材料。另一个具有宽带隙的有价值的候选者是碳化硅。

该存储器件是通过在氮化镓衬底上的化学气相沉积制造的。在测试过程中，内存模块在 25 至 300°C 的整个范围内均表现出稳定的性能。当温度升至 350°C 时，过程失去了控制，但在温度降至室温后又恢复了。因此，即使在极端发热的情况下，内存模块本身也不会丢失，尽管它会停止正常工作一段时间。同时，正如赵宇基所指出的，这项工作的成果是中间的，下一步将是创建在正常模式下可以承受高达 500°C 的内存模块，并且有了这样的电子产品，已经可以探索甚至金星的表面，甚至水星的表面。

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