低功率场效应晶体管KP214A9。参考数据

低功率场效应晶体管KP214A9。参考数据

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硅n沟道场效应晶体管KP214A9具有绝缘栅极和沟道富集，内置保护背接二极管，采用平面外延技术制造。晶体管设计用于无变压器输入的二次电源、具有连续和脉冲控制的调节器、稳定器和电压转换器、低功率电动机的控制单元以及国民经济和日常生活中的其他电子设备。

晶体管采用塑料封装 KT-46A (SOT-23) 封装，带有扁平镀锡引线（图 1），用于表面安装。

低功率场效应晶体管 KP214A9

晶体管 KP214A9 - 2N7002LT1 的外国模拟。

引脚排列和内部连接图如图所示。一。

Tacrav 的主要技术特性 = 25+10 °С

漏极电流为 0,25 mA 并连接栅极和漏极时的阈值电压 V......1 ...2,5
开沟道电阻，欧姆，不超过，脉冲持续时间不超过300μs，占空比至少50，漏极电流0,5A，栅源电压10V……7,5
开沟道电阻，欧姆，不超过，脉冲持续时间不超过300μs，占空比至少50，漏极电流0,05A，栅源电压5V……7,5
漏极-源极电压 60 V、栅极电压为零时的剩余漏极电流，μA，不再...... 1
栅极漏电流，μA，不再，漏源电压为零且栅源电压±20 V......±0,1
电流-电压特性的斜率，mA/V，不小于，脉冲持续时间不超过300μs，占空比至少50，漏极-源极电压为7,5V，漏极电流为0,2一个……80
开路保护二极管的恒定正向电压，V，不超过，晶体管的栅源电压为零，流过漏极和源极端子的电流为 115 mA ...... 1,5
热阻晶体环境，°С/W，没有更多......625
开/关时间*，不，不再，在漏源电压为25V，漏极电流为0,5A，信号源输出阻抗为25Ohm时……30/40
晶体管电容*，pF，不再，栅源电压为零、漏源电压 25 V、频率 1 MHz
输入...... 50
周末...... 25
检查点......5

* 参考参数。

限值

最高漏源电压，V ...... 60
最大栅源电压，V ...... ± 20
最高脉冲栅源电压 V，脉冲持续时间不超过 1 s，占空比至少 300 ... ± 40
栅源电压10V、环境温度不超过25℃时的最高直接漏极电流*，mA...... 115
最高脉冲漏极电流**，mA，脉冲持续时间不超过300 µs......800
最大连续耗散功率***，W，环境温度不超过25°C......0,2
保护二极管的最高正向电流，mA......115
保护二极管的最高脉冲电流**，mA，脉冲持续时间不超过 300 µs ..... 800
晶体的最高温度，°С ...... 150
环境温度工作范围，°С -55...+125

* 当环境温度上升到 125

根据图 2 中的图表，漏极电流必须降低至零（前提是不超过最高耗散功率的值）。 XNUMX.

** 前提是不超过最高功耗值。 *** 在环境温度25°C至125°C范围内，最大耗散功率Рmax按下式计算

其中 RTkp-cp 是晶体环境热阻。

静态电位的允许值 - 30 V，符合 OST 11073.062。在设备中安装晶体管的模式和条件 - 根据 OST 11336.907.0。用烙铁焊接引线时，需要用带有大块铜海绵的专用镊子除去热量。镊子安装在外壳附近的输出端。烙铁必须接地。

低功率场效应晶体管 KP214A9

KP214A9 晶体管参数的主要典型图形依赖性如图 3 所示。 7-3. 上图。图 25a 和 10b 显示了晶体温度 Tcr = 150±4°C 和 5°C 时漏极电流 lc 与漏极-源极电压 Us 的关系。漏极电流对栅源电压Uzi 的依赖性如图XNUMX 所示。 XNUMX，以及开放通道 RK 规范的电阻的归一化温度依赖性 - 如图 XNUMX 所示。 XNUMX.

低功率场效应晶体管 KP214A9
米。图6示出了当漏极-源极电压变化时晶体管的电容变化的性质。 7 - 开路保护二极管的电流-电压特性。最大允许直接漏极电流 lc max 对晶体温度的依赖性如图 2 所示。 XNUMX.

作者：V.Kiselev，明斯克，白俄罗斯

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