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KP742 系列的强大场效应晶体管。 参考数据

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硅n沟道场效应晶体管KP742A和KP742B具有绝缘栅极、沟道富集、内置保护性反向二极管,采用外延平面技术制造。 这些器件设计用于无变压器输入的二次电源、具有连续和脉冲控制的调节器、稳定器和电压转换器、电动机驱动器以及日常生活和工业中使用的其他设备。

晶体管安装在带有刚性冲压镀锡引线的塑料矩形外壳 KT-43 (TO-218) 中(图 1); 设备重量 - 不超过 6 克。

KP742 系列强大的场效应晶体管

来自 SGS-THOMSON 的晶体管 KP742A - STH75N06、KP742B - STH75N05 的国外模拟。

Тkorp 的主要技术特性 = 25 °С

  • 阈值电压,V,漏极电流为 0,25 mA,栅极和漏极连接......2...4
  • KP300A 的开路电阻,欧姆,不超过,脉冲持续时间不超过 50 μs,占空比至少 40,漏极电流为 10 A,栅源电压为 742 V .... ..0,014
  • KP742B......0,012
  • 最大漏源电压和零栅源电压时的剩余漏电流,μA,不再...... 250
  • 栅极漏电流,nA,不再,栅源电压 ±20 V 和零漏源电压...... ±100
  • I-V 特性斜率,A/V 不小于,脉冲持续时间不超过 300 μs,占空比至少 50,漏极-源极电压为 10 V,漏极电流为 40 A。 ....25
  • 最大放大频率,MHz,不小于......1
  • 开启时间*,μs,最大值,漏极-源极电压 25 V,漏极电流 40 A,信号源输出阻抗 6,2 Ohm,漏极电路电阻 50 Ohm,栅源极电压 10 V,脉冲持续时间不超过 300 µs其占空比不小于50……1,57
  • 关断时间*,μs,最大值,漏极-源极电压 40 V,漏极电流 75 A,信号源输出阻抗 50 Ω,漏极电路电阻 50 Ω,栅极-源极电压 10 V,脉冲持续时间不超过 300 µs KP50A 的占空比不小于 742 ...... 0,97
  • KP742B......1,08
  • 晶体管电容*,pF,不大于,漏极-源极电压 25 V、零栅极-源极电压和频率 1 M Hz 输入 ...... 5200
  • 周末...... 2300
  • 检查点......650
  • 水晶壳热阻,С/W,不超过......30
  • 开路保护二极管的恒定正向电压。 V,不多,零栅源电压,脉冲持续时间不超过 300 μs,占空比至少为 50,对于 KP742A,通过漏极输出的电流为 75 A,KP742B - 80A ...... 1,6
  • 二极管反向恢复时间*,在漏极-源极电压为 35V、二极管电流上升率为 100A/μs、脉冲持续时间不超过 300μs、占空比至少为 50(对于 KP742A)通过漏极输出的电流为 75 A 和 KP742B - 80 A ...... 130

* 参考参数。

限值

  • KP742A的最高漏源电压V......60
  • KP742B......50
  • 最大栅源电压,V ...... ± 20
  • KP25A 的最高直接漏极电流*,A,外壳温度不超过 742°C ...... 75
  • KP742B......80
  • 最高脉冲漏极电流*,A,对于KP742A......300
  • KP742B......320
  • 保护二极管最高正向电流A,对于KP742A......75
  • KP742B......80
  • 最大连续耗散功率**,W,外壳温度 25 °С......200
  • 晶体的最高温度,“C……175
  • 环境温度工作范围,“С......-55...+150

* 前提是不超过最大耗散功率和晶体温度的值。

** 在环境温度超过25°C时,最大允许功率Pmax必须按照公式减小

其中Tkp max和Tkorp是晶体的最高允许温度和晶体管外壳的当前温度的值; Rt kr-corps - 晶体外壳的热阻。

静态电位的允许值 - 500 V,符合 OST 11 073.062。 在设备中安装晶体管的模式和条件 - 根据 OST 11 336.907.0。

晶体管 KP742A 和 KP742B 参数的典型图形依赖性如图 2 所示。 7-XNUMX.

KP742 系列强大的场效应晶体管

上图。 图2中,a和b显示了器件在两个外壳温度值下的输出特性家族, 3 - 开路电阻的温度依赖性(相对于晶体温度 Tcr = 25 °C 的点进行归一化)。 米。 图4示出了漏极电流和栅源电压之间的关系。

KP742 系列强大的场效应晶体管

器件的输入、输出和吞吐量电容对漏源电压的依赖性如图 5 所示。 6. 根据图 XNUMX 中的曲线,漏极电流应随着外壳温度的升高而减小。 XNUMX.

KP742 系列强大的场效应晶体管

开路保护二极管两端的电压降取决于通过它的正向电流,如图 7 所示。 XNUMX(此处 Ic 是通过器件漏极输出的电流)。

KP742 系列强大的场效应晶体管

作者:V.Kiselev,明斯克,白俄罗斯

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