TS3V339 系列的微功率比较器。 参考数据
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例如,在选择用于组装安全系统的电子元件和组件时,其最重要的参数之一是待机模式下的功耗。 如果对于CMOS结构的微电路来说,它通常不超过几微瓦,那么弱信号放大器(没有它,通常没有一个电子看守器可以做)消耗更多。
为了将微弱信号放大到 CMOS 技术采用的水平,需要使用比较器 - 运算放大器,生成适合直接控制数字微电路的输出电压。
THOMSON微电子公司的TS3V339芯片的比较器应该被归类为最高能效的器件。 一个比较器(一个外壳中有四个比较器)的电流消耗典型值不超过10μA。 拉脱维亚公司 Alfa 生产了带有两个比较器的类似微电路,名称为 AS3V393。
该器件采用塑料外壳设计,有两种设计选项:用于传统安装 - DIP14 - TS3V339N 和 AS3V393(图 1,a)以及用于表面安装 - SOP14 - TS3V339D(图 1,b)。 结论 - 层状刚性镀锡
该器件的内部连接图及其引脚排列如图 2 所示。 图3是一个比较器的简化电路图——图XNUMX。 XNUMX. 输出 - 开漏晶体管 n-MOS。
主要技术特性*
- 电源电压,V ...... 2,7 ... 16
- 消耗电流,uA,
- 没有了...... 20
- 典型值......9
- 开启延迟,μs(典型值),负载电阻为 5,1 kOhm,负载电容为 15 pF,输入电压为 5 mV ...... 2,5
- 关断延迟,μs(典型值),负载电阻为 5,1 kOhm,负载电容为 15 pF,输入信号电压为 5 mV ...... 1,5
- 输出饱和电压,V,不再,输入电压超过1V,输出电流6mA......0,5
- 典型值......0,4
- 共模输入电压,V,最小值......0
- 最大......1,8**
- “零”偏置电压,mV,不大于......5
- 输入电流,nA(典型值)......1
- 反相和同相输入的输入电流值之差,pA(典型值)......1
- 输出漏电流,μA,不大于,输出电压 3V,输入电压大于 1V ...... 1
- 共模抑制比,dB(典型值)......70
- 电源电压衰减系数,dB(典型值)... .70
- 工作环境温度范围,°C......-40...+85
* 对于单个比较器; 除非另有说明,在 ZV 电源电压和 25 °C 环境温度下。
** 等于电源电压减去 1,2V。
在设计安全系统时,比较器应设置为在待机模式下其输出晶体管关闭的模式。 那么通过负载的电流将不会超过器件的输出漏电流,并且功耗将最小。
值得注意的是,还有许多其他节能比较器,例如 TS3704、TS861。 国内行业没有生产出如此经济的比较器; 其中最好的 - 1053CA2 - 消耗电流为 1,5 mA。
作者:Yu.Vinogradov,莫斯科
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