硅光电二极管。参考数据

硅光电二极管。参考数据

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硅光电二极管旨在用作红外辐射接收器，作为光学传感器的一部分。它们用于光电自动化系统、非接触式温度测量设备、计算机和测量设备、工作辐射波长范围为 0,5 ... 1,12 微米的程控设备。实际上，光电二极管的接收器是其pn结。在辐射作用下，过渡的CVC发生显着变化。

光电二极管可包含 20 个光敏元件、0 个 (FD-19-Z246K)、12 个 (FD-64KK) 及更多。 FD-XNUMX光电二极管的光敏区域被分为XNUMX（或XNUMX）个元件。这允许以六位格雷码捕获输出信号。元件的几何形状和尺寸也可以不同。

浸没锥体用作 FD-K-227 光电二极管的入口窗口，光导用于 FD-252 和 FD-252-1。 FD-20 Z0K 设备的输入窗口没有保护性透明“玻璃”。

光电二极管是在各种设计的密封玻璃金属外壳中生产的。设备的正极端子在主体上用对比色的点标记，或者在电线端子上用一块彩色 PVC 管标记。在没有标签的情况下，较长的输出是积极的。

该器件以两种电气模式运行——有外部偏置和无偏置。在第一个中，光电二极管提供高电流单色灵敏度，在第二个中，光电二极管提供高可检测性。

硅光电二极管的主要尺寸、引脚排列和灵敏度光谱特性如图1所示。 23-XNUMX。

硅光电二极管

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该装置的主要技术特性总结于表中。 1、表中划线表示对应器件的划线参数未按规范进行标准化。

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基本参数、尺寸和定义（根据 GOST 21934-83）

光谱灵敏度区域，μm——光谱特性的波长区间，其中辐射接收器的灵敏度超过最大值的10%。

最大光谱灵敏度的波长，μm是最大光谱灵敏度特性对应的波长。

工作电压。 V是施加到接收器的恒定电压，在该电压下为长期运行提供参数的标称值。

温度电流，A - 在没有辐射通量的情况下，在给定电压下流经辐射接收器的电流。

光电流（光信号电流），A——在指定电压下流过接收器的电流，由于辐射通量的影响。

积分电流灵敏度，A/lm - 光电流与引起光电流出现的辐射通量（给定光谱成分）的功率之比。

灵敏度阈值，W - 作用在给定光谱分布的接收器上的调制测量流的一次谐波的 RMS 值，此时光信号电压（电流）的一次谐波的 RMS 值等于根 -流辐射调制频率下给定频带内电压（电流）噪声的均方值。

单一频段内的灵敏度阈值，VgPts（或lmlGHz）——辐射接收器的灵敏度阈值，简化为放大器的单一频段。

光电耦合系数，%（或相对单位）——位于被照射（被照射）旁边的未被照射（未照射）的光敏元件的光信号的电压（电流）值与电压值（电流）的光信号照明（对于多元件辐射探测器）。

检测功率，W~'——灵敏度阈值的倒数。

平面视角 (2c)，度。是在垂直于光敏元件的平面中平行辐射束的入射方向之间的角度，在该角度处辐射接收器的光信号的电压(电流)减小到预定水平。

在表中。其中，如图1所示，有一个参数“辐射接收器的时间常数，s”，而GOST21934-83中没有该参数。在部门法线中，该参数定义为从光辐射的矩形脉冲开始影响光电探测器到光信号电压达到最大值的1-1/e的时刻的时间。值（参见 Aksenenko M. D.、Baranochnikova M. Ya、Smolina O. V. MicroElectronic photo detectors. - M.：Energoatomizdat，1984 年，第 137 页一书）。

时间常数t决定了调制辐射通量的脉冲信号再现的上限频率值：Fv.rp°1/2πt（如果t以秒为单位，则频率Fv.rp以赫兹为单位）。

光电二极管 FD-9K（图 7，a）经过两种修改生产 - 感光元件尺寸为 4,4x4,4 毫米或 5,6x5,6 毫米。 FD-20-ZZK装置的工作区域（图15a）由两对尺寸为0,3x1,4毫米和0,4x1,4毫米的感光元件组成。

FD-246 器件设计在统一的金属外壳中（图 20），引线数量与感光元件的数量相对应。光电二极管 FD-7K、FD-9K、FD-17K、FD-18K、FD-24K 的结论采用扁平花瓣形式，带有用于焊接导体的孔。适用于光电二极管 FD-6K、FD-8K、FD-10K、FD-21-KP、FD-23K、FD-25K、FD-26K、FD-27K、FD-28KP、FD-K-155、FD-K- 227、FD-256 柔性多线引线。

光电二极管 FD-11（图 8）采用多线柔性引线和单线引线生产。 (图1)中的光电二极管FDK-1和FDK-1具有两根导线的正极端子。某些类型的设备（例如 FD-28KP。图 17，a）具有来自屏幕外壳的附加输出。

技术传播区域在光谱特性图上用阴影表示。

硅光电二极管能够在非常宽的工作参数范围内工作。这些参数的值如表所示。 2.

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总之，我们注意到，在器件的批量生产过程中，对有关电气特性和工作模式的技术文档进行了许多更改和澄清。因此，应使用上述信息来预先选择一种或另一种类型的设备，然后需要参考其规格。

文学

Aksenenko M.D.，Baranochnikov M.L.光辐射接收器。目录。 - M.：无线电和通信，1987 年。
Aksenenko M, D., Baranochnikov M. L., Smolin O. V. Microelectronic photodetectors - M.: Energoatomizdat。 1984 年。
GOST 17772-79。辐射接收器和接收半导体光电器件

作者：L. Lomakin，莫斯科

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