KT6116 和 KT6117 系列的互补晶体管。参考数据

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KT6116 和 KT6117 系列的互补晶体管。参考数据

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KT6116A和KT6116B广泛应用的中功率硅pnp晶体管采用平面外延技术制造。它们设计用于信号放大器、变频器和其他电源电压较高的设备。

晶体管安装在标准塑料外壳 KT-26（根据西方分类 - TO-92）中，并带有硬镀锡端子（图 1）。国外类似产品 - KT6116A - 2N5401：KT6116B - 2N5400。

KT6116 和 KT6117 系列的互补晶体管

在图中。图 2 显示了 KT6116 系列晶体管的发射极电流与发射极结电压的关系。

KT6116 和 KT6117 系列的互补晶体管

如图所示。 3 - 来自集电极电流的基极电流的放大极限频率和静态传输系数。

KT6116 和 KT6117 系列的互补晶体管

集电极-发射极和基极-发射极饱和电压与集电极电流的函数关系如图 4 所示。 XNUMX.

KT6116 和 KT6117 系列的互补晶体管

晶体管集电极结电容对直流集电极-基极电压的典型依赖性如图 5 所示。 6、安全操作区域如图XNUMX所示。 XNUMX.

KT6116 和 KT6117 系列的互补晶体管

应用广泛的中功率硅npn晶体管KT6117A和KT6117B也采用平面外延技术制造。它们设计用于信号放大器、变频器和其他电源电压较高的设备。

晶体管安装在带有硬镀锡端子的标准塑料外壳 KT-26 (TO-92) 中（见图 1）。国外同类产品——KT6117A——2N5551； KT6117B - 2N5550。

晶体管KT6117A、KT6117B和KT6116A、KT6116B可以互补对选择。

KT6117 系列晶体管的发射极电流与基极-发射极电压的典型关系如图 7 所示。 8、典型的输出特性 - 如图 XNUMX 所示。 XNUMX.

KT6116 和 KT6117 系列的互补晶体管

集电极-发射极和基极-发射极的截止频率和饱和电压对集电极电流的典型依赖性，以及集电极结电容对恒定集电极-基极电压的典型依赖性如图 9 所示。分别为11-XNUMX。

KT6116 和 KT6117 系列的互补晶体管

KT6117系列晶体管的安全工作区域与KT6116系列晶体管相同（见图6）。

总之 - 两个系列晶体管共有的一些技巧。不建议在整个温度范围内以与不受控制的反向电流相当的低电流操作晶体管。也不允许在两个电气参数极限值下运行设备。

将晶体管连接到通电电路时，必须首先连接基极端子（最后断开）。

晶体管引线允许一次性弯曲，距外壳的距离不小于2mm；弯曲半径——不小于1.5毫米。弯曲时，必须采取措施防止力传递到身体上。

从外壳到引线焊接（镀锡）位置的距离至少为 3 mm。安装过程中，只允许重新焊接 265 次引脚。焊接温度——不高于4'C，焊接时间——不超过XNUMX秒。

允许在任何气候条件下运行的设备中使用常规气候改造的晶体管，但同时在安装后必须涂上三层或四层清漆UR-231（TU6-21-14）或EP -730 (GOST 20824)，随后干燥。

Tacr 时的主要特性 avg =25°C

集电极-发射极电压为 5 V、集电极电流为 10 mA 时基极的静态电流传输系数
KT6P6A......60...240
KT6116B......40...180
KT6116A 的集电极反向电流，μA，不大于（集电极-基极电压 120 V）......005
KT6P6V(100V).......0.1
反向发射极电流，μA。没有了，发射极-基极电压为 3 V，集电极电流为零......0.05
反向集电极-发射极电流。 mA，不再，KT6116A 基极关闭（集电极-发射极电压为 150 V）.......1
KT61165(120V)......1
集电极-发射极饱和电压。 V. 不再，在集电极电流
50 mA 和基极电流 5 mA......0.5
饱和电压基极-发射极，V，不再，集电极电流为50mA，基极电流为5mA......1
电流传输系数的极限频率，MHz。不少于，集电极-发射极电压为10V，集电极电流为10mA......100
集电极结电容。 pF。没有了，集电极-基极电压为 10 V，发射极电流为零，频率为 10 MHz......6
集电极-发射极电压为 3 V、集电极电流为 200 μA、基极电路电阻为 3 kOhm 时的噪声系数 (dB)。对于 KT1A，频率为 6116 kHz......8
KT6116B......10
热阻转变-环境。 °C/W，不再......200

限值

集电极-基极电压最高。 B、适用于KT6116A......160
KT6116B......130
KT6P6A 最高集电极-发射极电压 V......150
KT6116B......120
最高基极-发射极电压，V……5
最高直流集电极电流，A ...... 0.6
集电极的最高恒定耗散功率，W......0,625
静电电位允许值（IV 级刚性，根据 OST 11073.062），V......500
最高转变温度，°С ...... 150
环境工作温度限值，°С......-45...+100
Tacr.av = 25°C 时的主要特性
KT5A 集电极-发射极电压 10 V、集电极电流 6117 mA 时的静态基极电流传输系数......80...250
KT6117B......60...250
集电极反向电流，μA，不再，对于KT6117A（集电极-基极电压120V时）……0,05
KT6117B(100V)......0,1
反向发射极电流，μA，不再，发射极-基极电压为 3 V，集电极电流为零......0,05
反向集电极-发射极电流。 mA，不再，KT6117A 基极关闭（集电极-发射极电压为 160 V）.......1
KT61175(140V)......1
KT50A 集电极电流为 5 mA，基极电流为 6117 mA 时，集电极-发射极饱和电压，V. ...... 0.2
KT6117B......0.25
基极-发射极饱和电压。五、不再赘述，KT50A集电极电流5mA，基极电流6117mA......1
KT6117B......1,2
电流传输比的截止频率。 MHz以上，集电极-发射极电压10V、集电极电流10mA......100
集电极结电容，pF，不再，集电极-基极电压为 10 V，发射极电流为零，频率为 10 MHz ...... 6
对于 KT5A，在集电极-发射极电压为 200 V、集电极电流为 2 μA、基极电路电阻为 1 kOhm、频率为 6117 kHz 时的噪声系数（dB）......8
KT6117B......10
热阻过渡-环境，'С/W，没有更多......200

限值

KT6117A 最高集电极-基极电压 V......180
KT6117B......160
KT6117A的最高集电极-发射极电压V......160
KT6117B......140
最高基极-发射极电压，V……6
最高直流集电极电流，A ...... 0.6
集电极的最大恒定功耗。 W ...... 0,625
静电电位允许值（IV 级刚性，根据 OST 11073.062），V......500
最高转变温度，°С ...... 150
环境工作温度限值，°С......-45...+100

作者：V.Kiselev

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HTC 发布了与 Valve 合作开发的虚拟现实耳机 Vive。该设备将于今年晚些时候上市销售，Vive 开发者版将于春季上市。

这家台湾公司已承诺参加下周的游戏开发者大会，开发者将有机会近距离接触 Valve 的虚拟现实技术。

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HTC 的新闻稿称，它是世界上第一款提供完整房间级虚拟体验的设备，“让您可以攀爬、行走和探索您的虚拟空间，从任何角度探索物体，并真正与周围环境互动。”

使用陀螺仪、加速度计和激光定位传感器以十分之一度的精度跟踪头部运动。该设备将配备一个 Steam VR 基站，用于跟踪虚拟空间中的运动。看起来基站将创建虚拟房间的 3D 模型。一对基站将在 15 x 15 英尺（约 20,9 平方米）的空间内跟踪用户的物理位置。以前版本的 Valve 眼镜使用摄像头通过放置在房间墙壁上的二维码标签来跟踪用户的位置。

HTC 首席营销官 Jeff Gattis 表示，Vive 耳机重量轻，因此可以长时间使用而不会产生任何后果。 Vive 开发者版耳机配备了一个音频插孔，但该设备的商业版很可能有一个集成的音频解决方案。

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