光电晶体管。参考数据

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光电晶体管 - 光敏半导体辐射接收器，其结构类似于双极pn-p或n-p-n晶体管。与光电二极管不同，它不仅将光辐射转换为电信号，而且还提供其放大功能。向器件提供电源电压，使得集电极结闭合而发射极结开路。数据库通常处于禁用状态。

在结构上，光电晶体管的设计方式是，通过输入窗口进入的全部光通量被基极吸收，在其中形成光生载流子对。结果，当电压施加到光电晶体管时，集电极电流开始流过它。

由于器件的工作基于载流子扩散，因此光电晶体管的工作频率通常不超过几十千赫兹。

目前量产的主要是硅光电晶体管。但有几种类型的设备是基于锗制成的。

光电晶体管的高灵敏度，以及相对较低的成本，使得这些器件可以广泛应用于不需要最大速度的控制和自动化系统中，在各种光传感器、消防、安全等、光继电器、分析液体和气体光学特性的设备。无封装光电晶体管在光耦合器和混合微电路中用作电流隔离元件。

下面介绍的所有光电晶体管都在红外 (IR) 辐射区域工作。

KTF102A、KTF102A1

光敏元件面积为 102 mm102 的硅全 npn 光电晶体管 KTF1A 和 KTF0,64A2 采用刚性镀锡引线的塑料外壳生产（分别如图 1 和图 2）。

光电晶体管

KTF102A的重量——不超过0,2克； KTF102A1 - 0,1 g. 对于 KTF102A1 器件，发射器输出用彩色点标记。

光电晶体管设计用于录像机和其他家用电子设备。

Tacr.av 的主要技术特性 = 25°С

集电极光电流。 mA 不少于，集电极-发射极电压 5 V，波长 0,85 µm 照度值 0,5 mW/cm2......0,95
0,1 mW/cm2......0,2
暗集电极电流，μA，不再，集电极-发射极电压为 5 8，环境温度为 +25°C......1
典型值......0,1
+55°C......10
饱和电压。五、不再，在集电极光电流为0,85 mA时，波长为0,5 µm 2 mW/cm0,25的照度值......0,15
0,06 mW/cm2 (0,2 mA)......0,5
照射时光响应脉冲的上升时间，μs，不多于，光照度为 0,06 mW/cm2，波长为 0,85 μm，集电极-发射极电压为 5 V，负载电阻为 15 kOhm... ..0,5
典型值......0,2
光谱感光面积，µm.....0,73...1,05
最大光谱感光波长，µm......0,87

操作限制

集电极的最高光电流。 mA，环境温度 -19...+35°С......40
+36...+55°С......5
环境温度-10...+35°C时最高集电极-发射极电压V......10
+36...+55°С......6
最高耗散功率。毫瓦环境温度 -10...+35°С......30
+36...+55°С......10
工作环境温度范围，°C......-10...+55

不同光照条件下光电晶体管的电流-电压特性如图3所示。 4、典型的轻型 - 如图 5 所示。 XNUMX. 仪器的相对光谱灵敏度如图 XNUMX 所示。 XNUMX——辐射波长电流值处的集电极光电流与最大灵敏度波长处的光电流之比）。

在图中。图6示出了暗集电极电流对温度的依赖性。

光电晶体管

KTF104A - KTF104V

硅平面 npn 光电晶体管 KTF104A、KTF104B。 KTF104V的感光元件面积为0,64mm2，采用塑料外壳生产，与KTF102A相同（见图1）。端子也是硬镀锡的，但安装部分的长度为 2,9 毫米。而不是 10,1 毫米。重量 - 不超过 0,2 克。

光电晶体管适用于家用电子设备。

Tacr.av 的主要技术特性 = 25°С

KTF8,5A 集电极-发射极电压 5 V、照度 104 lux 时集电极光电流，mA 不小于......0,15
KTF104B......0.1
KTF104V......0,05
KTF8.5A......104 集电极-发射极电压为 1 V 时，暗集电极电流，μA，不再
典型值......0,1
KTF104B、KTF104V......5
典型值......0,5
对于 KTF8,5A，暗集电极电流为 µA，集电极-发射极电压为 55 V，环境温度为 +104°C......10
最大光谱感光面积，µm......0,67..0,77
最小故障间隔时间，h......15 000
保质期，年...... 8

光电晶体管的主要参数（定义）：

积分电流灵敏度——光电晶体管输出端电流变化与引起输出电流变化的辐射通量变化之比；
单色电流灵敏度——光电晶体管输出端的电流变化与给定波长的辐射通量变化之比；
集电极光电流——在指定集电极电压下流过光电晶体管的电流，由辐射通量的影响引起；
暗集电极电流——在没有辐射通量的情况下，在规定的集电极电压下流过光电晶体管的电流；
光响应脉冲的上升或下降时间 - 光电流从稳态值分别从 0,1 变化到 0,9 或从 0,9 变化到 0,1 的时间间隔。

操作限制

最高的集电极-发射极电压。在12
环境温度工作范围°C......-10...+55

光电晶体管KTF104A-KTF104B的相对光谱光敏度如图7所示。 XNUMX.

光电晶体管

KTF108A

具有选择性光敏性的硅全 npn 光电晶体管 KTF108A 采用塑料外壳生产，并配有硬镀锡引线（图 8）。设备重量不超过1克。

光电晶体管

光电晶体管设计用于家用摄像机和其他电子设备的搭便车系统。

Tacr.av 的主要技术特性 = 25°С

集电极光电流。 mA，不少于，集电极饱和电压0,4V，照度20mW/cmg，波长0.85μm......0,4
典型值......5
集电极暗电流，μA，不再，集电极-发射极电压为 10 V，环境温度为 +25°C......0,025
典型值......0,01
+70°C......1
集电极上的饱和电压。 V，仅此而已，在波长为 20 μm 时，照度为 2 mW/cm0,85 ...... 0,4
最大光谱感光面积，µm.....0,76...0.96
最小故障间隔时间，h......25 000
保质期，年...... 10
操作限制
最高恒定集电极-发射极电压，V ...... 15
最大功耗，mW，环境温度 +35°С......60
+70°C......25
工作环境温度范围，°C......-10...+70

在图中。图 9 显示了 KTF108A 光电晶体管的暗电流对集电极-发射极电压的典型依赖性。 10 - 温度（技术分散区域为阴影）。

光电晶体管的光谱特性如图11所示。

光电晶体管

KTF109A

硅平面 npn 光电晶体管 KTF109A 采用塑料外壳生产，配有硬镀锡引线（图 12）。重量 - 不超过 0,15 克。

光电晶体管

这些设备适用于录音机和其他家用设备的搭便车装置，以及安全报警系统、远程控制和自动化以及转速计。

Tacr.av 的主要技术特性 = 25°С

集电极光电流。嘛。集电极-发射极电压为5V、照射功率为0,3mW时，不少于...... 0,08
典型值......0.4
最大值......1
集电极-发射极电压5V、波长0.83μm照射下单色电流灵敏度A/W不低于......0,25
集电极暗电流。 µA，不再，集电极-发射极电压为 5 V，环境温度为 +25°C......0,5
+55°C......2
照射时光响应脉冲的上升时间，μs，不再......15
去除辐照时光热脉冲的衰减时间，µs，不超过......5
最大光谱感光波长，µm......1,08
故障之间的最短保修时间，h......20 000

操作限制

最高恒定集电极-发射极电压，V ...... 10
最大功耗，mW......10
工作环境温度范围，°C......-60...+55

KTF109A 光电晶体管集电极光电流与辐照功率的关系如图 13 所示。图 14 暗电流与温度的关系XNUMX（技术分散区用阴影表示）。

光电晶体管

COF224A、COF224B

硅平面 npn 光电晶体管 KOF224A、KOF224B 采用塑料外壳生产，配有刚性镀锡板引线（图 15）。重量 - 不超过 0,8 克。

光电晶体管

该设备在无线电电子设备中用作红外辐射接收器，用途广泛。

Tacr.av 的主要技术特性 = 25°С
集电极-发射极电压为 5 V 时的积分电流灵敏度，μA/lx，不小于......0.7
暗集电极电流。 µA，仅此而已，对于 KOF224A......1
COF224B......0,1
施加或去除照射时光响应输出脉冲的上升或下降时间，μs，不再，对于 KOF224A......80
COF224B......20
最大光谱感光波长，µm......0,95
最小故障间隔时间，h......10 000
保质期，年...... 8

操作限制

最高恒定集电极-发射极电压，V ...... 5
工作环境温度范围，°C......-60...+55

FT-1K、FT-1K-01、FT-L K-02、FT-2K

硅全 npn 光电晶体管 FT-1K gr.1。 FT-1K gr.2。 FT-1K-01、FT-1K-02。 FT-2K 克。 A、带有圆形感光元件（直径 2 毫米）的 FT-1,8K gr.B 是在带有柔性镀锡引线的圆柱形金属玻璃外壳中生产的（图 16）。入口窗户是平的。重量 - 不超过 0,9 克。

光电晶体管

集热器出口加长或有色标。

这些器件设计用作工业和特殊用途电子设备中的红外辐射探测器。

Tacr.av 的主要技术特性 = 25°С

积分电流灵敏度，μA/lx，不小于，对于 FT-1K gr。 1. FT-2K gr.A......0,4
FT-1K gr.2。 FT-2K gr.B......0,2
FT-1K-01......0.5
FT-Zh-02......2
FT-5K gr.1.FT-1K gr.A......2 集电极暗电流，μA，不再，集电极-发射极电压为 3 V
FT-1K gr.2。 FT-2K gr.B......1
ФТ-1К-01. ФТ-1К-02......0,2
施加或取消照射时光响应脉冲的上升或下降时间，μs，不再......80
光谱感光面积，µm ....0,5...1,1
最大光谱感光波长，µm......0,85
对于 FT-1K gr.1、FT-1K gr.2，最小故障间隔保证时间 h。 FT-1K-01、FT-1K-02......2000
FT-2K gr.A、FT-2K gr.B.....3500
保质期，年，适用于 FT-1K gr. 1、FT-1K gr. 2 FT-1K-01、FT-1K-02......11
FT-2K gr.A、FT-2K gr.B......6

操作限制

最高直流集电极-发射极电压。在5
最高工作照度（10小时内）。 lx......1500
工作环境温度范围。 °C......-60...+75

在图中。图17显示了FT-1K、FT-2K系列光电晶体管的光敏度的光谱特性。

光电晶体管

FT-7B、FT-7B-01

带有圆形光敏元件（直径 1,1 毫米）的硅平面 npn 光电晶体管在带有透镜的圆柱形塑料外壳中生产（图 18）。端子为刚性镀锡线。重量 - 不超过 0,5 克。

光电晶体管

光电晶体管用于光隔离单元，以控制光流和报警系统。

Tacr.av 的主要技术特性 = 25°С

积分电流灵敏度，μA/lm，不小于，对于 FT-7B......0,04
FT-7B-01......0.35
集电极光电流。 FT-1000B 照度 7 lux 时 mA 不小于......0,2
FT-7B-01......2
标称集电极-发射极直流电压。 20 岁
集电极暗电流。 uA。不再，集电极-发射极电压为 20 V ...... 0,005
施加或取消照射时光响应脉冲的上升或下降时间，μs，不再......1,5
光谱感光面积，µm.....0,4...1,1
最大光谱感光波长，µm......0,85
保质期，年...... 10

操作限制

集电极-发射极允许电压限值，V......2...30
允许的工作照度限值，勒克斯..... 1...100 000
工作环境温度范围，°C......-15...+45

FT-8

光敏元件面积为 8 mm0,5 的硅全 npn 光电晶体管 FT-2 生产在带有刚性镀锡板引线的塑料外壳中（图 19）。重量 - 不超过 0,9 克。

它们在各种电子设备中用作红外辐射接收器。

光电晶体管

Tacr.av 的主要技术特性 = 25°С

积分电流灵敏度，µA/lx，不少于......2
集电极暗电流。微安。没有了，在集电极-发射极电压为 5 V、环境温度为 +25°C 的情况下......0,1
+75°C......20
光响应输出脉冲的上升时间，仅当照射波长0,9μm、集电极-发射极电压5V、负载电阻2kOhm时，μs......20
光谱感光面积，µm......0,5...1,1
最大光谱感光波长，µm......0,9..0.95
故障之间的最短保修时间，h......4000

作者：V. Yushin。莫斯科市

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本系列1769-L35E可编程控制器具有以下特点：

RSLogix 5000 软件；
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1769-SDN 通信接口模块，用于通过 DeviceNet 网络控制 I/O 设备和配置远程设备；
内置串口；
用于面板或 DIN 导轨安装的紧凑型 I/O 模块；
1,5 MB 内置内存，最多可支持 XNUMX 个任务；
支持的本地 I/O 模块数量为 30。

设计 CompactLogix 系统时请考虑以下事项：

CompactLogix 控制器始终是系统中最左侧的模块。
每个控制器最多可以使用三个 I/O 组和两条扩展电缆。
每个 I/O 组都需要一个单独的电源。
每个 CompactLogix 系统只能使用一个控制器。
端盖必须安装在通信总线的边缘：右侧为 1769-ECR，左侧为 1769-ECL。
1769-L35E 可编程控制器的应用包括污染类别 2 工业环境、海拔高达 60664 m 且不降额的 II 类过电压安装（根据 IEC 1-2000）等。

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