KT8115、KT8116 系列互补的强大晶体管。参考数据

KT8115、KT8116 系列互补的强大晶体管。参考数据

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采用外延平面技术制造的高性能硅复合晶体管 KT8115A - KTV115V（p-n-p 结构）和 KT8116A - KT8116V (n-p-n) 设计用于 3Ch 放大器的末级、电压转换器和其他广泛应用的设备。这些器件封装在带有刚性冲压镀锡引线的塑料外壳 KT-28 (TO-220) 中（图 1）。设备重量 - 不超过 2,5 克。

KT8115、KT8116系列互补功率晶体管

国外同类产品：KT8115A - TIP127、KT8115B - TIP126、KT8115V - TIP125、KT8116A - TIP122、KT8116B - TIP121、KT8116V - TIP120。

Tacr.av = 25°C 时的主要特性

KT100A、KT8115A 集电极-发射极边界电压，V，不小于集电极电流 8116 mA，基极电流为零时......100
KT8115B、KT8116B......80
KT8115V、KT8116V......60
反向集电极电流，mA，不再，在最大集电极-基极电压和零发射极电流......0,2
集电极-发射极反向电流，mA，不大于，对于 KT8115A、KT8116A（集电极-发射极电压为 50 V）、KT8115B、KT8116B（40 V）、KT8115V、KT8116V（30 V）.....0.5
反向发射极电流，mA，不再，基极-发射极电压为 5 V，集电极电流为零......2
集电极-发射极电压为 3 V、发射极电流为 0,5 A 和 1000 A 时基极静态电流传输系数不小于 ...... XNUMX
集电极电流为 3 A、基极电流为 12 mA 时的集电极-发射极饱和电压 V，不大于......2
分别为 5 A 和 20 mA......4
集电极电流为 3 A、基极电流为 12 mA 时基极-发射极饱和电压，V，不大于......2,5
基极电流传输系数模块，不少于，集电极-发射极电压为 4 V，集电极电流为 3 A，频率为 1 MHz ..... 4
热阻过渡外壳，°С/W，最大值......1,92

限值

KT8115A、KT8116A的最高集电极-基极电压V......100
KT8115B、KT8116B.....80
KT8115V、KT8116V......60
KT8115A、KT8116A的最高集电极-发射极电压V.....100
KT8115B、KT8116B......80
KT8115V、KT8116V......60
最高发射极-基极电压，V ...... 5
最高直流集电极电流，A ...... 5
最高集电极脉冲电流，A ...... 8
基极最高直流电流，A ...... 0,12
集电极的最高恒定功率耗散，W，带散热器......65
最高转变温度，°С ...... 150
环境温度工作范围，°С -60...+125

静电电位的允许值 - 2000 V（根据 OST 11073.062 的 VI 刚性等级）。不允许在两个或多个参数的极限值下使用晶体管。为了提高可靠性，建议在不超过最大允许值的70%的参数值下运行设备。

在通电设备中安装晶体管时，必须先焊接基极端子，拆卸时必须最后断开基极端子。不建议在整个工作温度范围内以与不受控制的反向转换电流相称的工作电流来操作晶体管。

引线的弯曲次数不得超过一次。弯曲点距离本体不应小于5毫米，弯曲半径应至少为1,5毫米。弯曲时，必须采取措施防止力传递到身体上。

在图中。图 2 显示了晶体管基极静态电流传输系数的典型依赖性，图 3 显示了晶体管基极静态电流传输系数的典型依赖性。 XNUMX - 集电极-发射极和基极-发射极饱和电压对集电极电流的典型依赖性。

KT8115、KT8116系列互补功率晶体管

当晶体管体的温度升高到+25°C以上时，集电极消耗的功率必须按照图4所示的曲线减少。 XNUMX.

KT8115、KT8116系列互补功率晶体管

米。图5定义了晶体管在静态和脉冲模式下的安全操作区域。

KT8115、KT8116系列互补功率晶体管

作者：V.Kiselev，明斯克

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