KT222 系列晶体管组件。参考数据

KT222 系列晶体管组件。参考数据

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匹配的硅 n-p-n 晶体管对 KT222AS-KT222BC 适用于广泛应用的电子设备，特别是用于构建差分放大器。该组件采用矩形塑料外壳 2101.8-1 (DIP-8) 制成，端子经过硬镀锡（见图）。重量 - 不超过 1 g。最接近的国外类似物是 DIONICS Inc. 的 DI4044。

KT222系列晶体管组件

装配引脚排列：结论 1、2 和 3 - 分别是第一个晶体管的集电极、基极和发射极；引脚5、6和7——第二个晶体管的发射极、基极、集电极；引脚 4 和 8 是空闲的。

从技术上讲，该组件是在具有元件介电绝缘的单芯片上制成的，在集电极电流为 10 μA 至 1 mA 及以上时，可提供主要参数（静态电流传输系数、基极-发射极压降）的接近值整个工作温度范围。同时，该组件的晶体管具有低互电容。

主要电气规格*

晶体管基极-发射极电压值的差异，V，不再，集电极电流为10μA，集电极-发射极电压为5V.....3
KT10AC 集电极电流为 5 μA、集电极-发射极电压为 222 V 时晶体管基极静态电流传输系数值之比 ..... 0,8 ... 1,25
KT222BS.....0,9...1,11
KT222VS.....0,95...1,05
集电极结反向电流，nA，不再，结电压为 45 V，环境温度为 25 °C.....1
70°С.....50
发射结的反向电流，nA，不超过，在 5 V 的结处电压.....1
集电极-发射极电压为 5 V、集电极电流为 10 μA 时静态基极电流传输系数不小于.....200
1毫安.....225
晶体管集电极之间的电容，pF，不再，晶体管集电极上的电压值差异5V ..... 0,8
截止频率，MHz，不少于，集电极电流为 1 mA，集电极-发射极电压为 10 V.....200

*除非另有说明，否则在 25°C 环境温度下。

操作限制

集电极电流10μA时集电极结最高反向电压..... 60
集电极电流为 1 mA 时的最高集电极 - 发射极反向电压 V ..... 60
发射结的最高反向电压 V，发射极电流为 10 μA ..... 7
最高直流集电极电流，mA ..... 1,5
晶体管集电极上电压值的最大差异，V.....100
工作环境温度范围，°С.....-10...+70

作者：布良斯克 S.Konovalov

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