晶体管 IRF610 - IRF644。 参考数据
无线电电子与电气工程百科全书 / 参考资料
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是否提供样品 |
公司 |
乌西,V |
集成电路,一个 |
磅/平方英寸 |
S,mA/V |
科普斯 |
类型 |
IRF610 |
IR |
200 |
3.3 |
36.0 |
800 |
TO220AB |
N通道 |
IRF610 |
SIL |
200 |
3.3 |
36.0 |
800 |
TO220AB |
N通道 |
IRF614 |
IR |
250 |
2.7 |
36.0 |
900 |
TO220AB |
N通道 |
IRF620 |
哈尔 |
200 |
5.2 |
50.0 |
1500 |
TO220AB |
N通道 |
IRF620 |
IR |
200 |
5.2 |
50.0 |
1500 |
TO220AB |
N通道 |
IRF620 |
SAM |
200 |
5.2 |
50.0 |
1500 |
TO220AB |
N通道 |
IRF6215 |
IR |
|
|
|
|
|
|
IRF630 |
SAM |
200 |
9.0 |
75.0 |
3000 |
TO220AB |
N通道 |
IRF630 |
于 |
200 |
9.0 |
75.0 |
3000 |
TO220AB |
N通道 |
IRF630 |
IR |
200 |
9.0 |
75.0 |
3000 |
TO220AB |
N通道 |
IRF630 |
哈尔 |
200 |
9.0 |
75.0 |
3000 |
TO220AB |
N通道 |
IRF630 |
VZPP |
200 |
9.0 |
75.0 |
3000 |
TO220AB |
N通道 |
IRF630 |
ST |
200 |
9.0 |
75.0 |
3000 |
TO220AB |
N通道 |
IRF630A |
公平 |
|
|
|
|
|
|
IRF640 |
哈尔 |
200 |
18.0 |
125.0 |
6700 |
TO220AB |
N通道 |
IRF640 |
SAM |
200 |
18.0 |
125.0 |
6700 |
TO220AB |
N通道 |
IRF640 |
IR |
200 |
18.0 |
125.0 |
6700 |
TO220AB |
N通道 |
IRF640 |
ST |
200 |
18.0 |
125.0 |
6700 |
TO220AB |
N通道 |
IRF640S |
IR |
200 |
18.0 |
125.0 |
6700 |
SMD220 |
N通道 |
IRF644 |
IR |
250 |
14.0 |
125.0 |
6700 |
TO220AB |
N通道 |
出版:cxem.net
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历史上曾有过很多伟人在梦中得到灵感的例子,这些伟人有时甚至会使用特殊的方法,以免忘记他们昏昏欲睡的洞察力。 例如,托马斯·爱迪生和萨尔瓦多·达利,在想着一些艰巨的创作任务时,躺下来打盹,手里拿着很重的东西。 当他们开始入睡时,手放松了,物体掉在地上,把他们吵醒了——结果发现,创造性问题的解决方案已经在他们的脑海里了。
索邦大学的员工决定测试这种方法,并邀请了 XNUMX 人进行实验,他们也应该拿着重物打瞌睡。 在入睡之前,他们被布置了一道数学题:几个数列必须再延续一个数,为了得到这个数,必须对数列应用两条数学规则。 但是,如果您注意到所需的数字始终与序列中的第二个数字相同,则问题的解决方案可能会更容易。
实验参与者记录大脑的电活动以监测他们的大脑如何入睡。 我们知道有快速眼动的快速眼动睡眠或快速眼动睡眠,以及非快速眼动睡眠或非快速眼动睡眠。 但是非快速眼动睡眠有几个阶段,其中一个叫做 N1,看起来像是睡眠和清醒之间的中间状态:脑电波被重建成困倦状态,但在人看来他还没有睡觉. 在 N1 阶段之后,非快速眼动睡眠的其他更深阶段开始。
睡眠的第一阶段真正唤醒了大脑的创造力。 如果一个人在没有睡着的情况下解决了上述问题,那么在 30% 的情况下会想到一个更简单的解决方案,但如果他睡着了并立即醒来,那么在 83% 的情况下已经想到了这个解决方案。 N1 阶段至少持续了 15 秒,重要的是不要陷入更深的睡眠——否则大脑会忘记它的想法。
或许“睡前”阶段确实可以推荐给那些迫切需要唤醒创造力的人。 诚然,如果这里出现某种装置,可以在你打瞌睡几秒钟后唤醒你,那就太好了——毕竟,手里拿着重物入睡并不是很方便。
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