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分子记忆在室温下工作

05.02.2013

分子存储器将数据存储在位于两个铁磁电极之间的单个分子中。 这项技术具有巨大的潜力,因为它允许您在微小的介质上存储大量信息。 然而,直到现在,分子存储器一直很难制造,并且只有在冷却到接近绝对零时才能工作。

来自麻省理工学院和加尔各答印度科学与教育学院的一组科学家成功开发了一种新型分子存储器,这种存储器不仅更容易制造,而且可以在水的冰点温度下工作,物理学家认为是室温。 例如,对于功能强大的服务器站,您可以使用冰箱创建这样的温度,这比“围栏”低温冷却系统要容易得多。 此外,新电路只需要一个铁磁电极,大大简化了生产。 新记忆由附着在锌原子上的碳原子平板组成。 这种结构可以以非常高的精度制造,从而增加了分子存储器的可靠性。

两个铁磁电极是磁存储器的标准结构,其中电极磁场方向的急剧变化会导致器件电导率的急剧跳跃。 这两种导通状态分别是存储器的“1”和“0”。 令科学家惊讶的是,一项新的研究发现,在这种设计中,电导率不是一次跳跃,而是两次跳跃。

这一发现使得用单个电极生产分子存储器成为可能,极大地简化了分子存储器的技术并提高了其可靠性。 事实是,在存在两个电极的情况下,上电极的分子开始与存储信息的分子混合。 此外,直到现在,分子记忆的问题一直是需要仔细排列分子来存储信息。 正因为如此,实验通常仅限于使用 5-6 个分子,并且不存在商业生产新型存储器的问题。

新的分子记忆由附着在碳片上的锌原子组成。 这些材料具有自对准的特性,这意味着更容易从中产生具有所需特性的分子存储器。 到目前为止,新型分子存储器的电导率仅改变了 20%,对于新技术的广泛商业应用来说,这太小了。 然而,科学家们相信,他们将能够找到一种导电率波动较大的合适有机化合物。

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