8 Gbit LPDDR4 移动 DRAM 内存芯片。免费技术图书馆新闻

8Gb LPDDR4 移动 DRAM 芯片

26.01.2014

韩国电子制造商三星电子宣布推出首款用于智能手机和平板电脑的 8Gb LPDDR4 DRAM 芯片。

“支持 LPDDR4 接口的新一代存储芯片正在为全球移动 DRAM 市场的发展做出重大贡献，因为 LPDDR4 标准将很快成为主导，”销售执行副总裁 Young-Hyun Jun 表示，“我们将继续推出领先于其他产品的最先进的 DRAM 内存模块，使 OEM 能够及时向用户提供创新的移动设备。”

新的 8Gb 高速 LPDDR4 DRAM 芯片提供高水平的性能和能效，确保快速移动应用和在移动设备中高效使用超高分辨率屏幕，同时最大限度地降低功耗。

8Gb LPDDR4 芯片采用 20nm 工艺制造，是迄今为止所有存储芯片中存储密度最高的。由于四个 8 Gb 芯片组装在一个封装中，移动设备制造商有机会立即在一个模块中安装 4 GB LPDDR4 RAM。这将使移动设备在不牺牲尺寸或功耗的情况下达到新的性能高度。

值得注意的是，三星 8Gb LPDDR4 内存采用了新的 LVSTL（Low Voltage Swing Terminated Logic）I/O 接口，该接口由三星首先向 JEDEC 委员会提出，随后成为 LPDDR4 DRAM 内存的标准。基于新接口，LPDDR4 芯片能够提供每针 3200 Mbps 的数据传输速率，是上一代 3 纳米级 LPDDR20 DRAM 性能的两倍。此外，新接口在 40 V 的工作电压下功耗降低了 1,1%。

随着新芯片的发布，三星将专注于移动市场的高端市场，包括具有超高清大屏幕的智能手机、平板电脑和屏幕分辨率比以前型号高四倍的超薄笔记本电脑。该芯片还将用于高性能网络系统。

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超亮、高性能东芝白光 LED 26.02.2015

Toshiba Electronics Europe 推出了一系列新的大功率 LED，非常适合商业和工业照明应用。与以前的系列相比，TL1L4 系列提供了改进的设备。

新的TL1L4系列产生高光通量，其值在室温（CCT=5000 K，Ra=70，@IF=350 mA）超过160 lm，比TL60L1系列高出3%，是（根据东芝研究，4 年 2014 月 85 日）行业领先的价值。在 Ta = 1 C 的条件下，工作电流可以达到 XNUMX A。这提高了 LED 器件的光输出并降低了功耗。

硅基氮化镓 (GaN-on-Si) 技术用于制造 TL1L4 系列的高能效和高性能 LED。这些二极管提供从 2700K 到 6500K 的九种色温。

这些器件采用紧凑的 3,5mm x 3,5mm 封装，能够在 Ta<1,5C 和 Tj<55C 时提供 150A 的最大正向电压。这些 LED 在 85C 和 IF= 下进行了分档、电气和光学性能测试350 mA，模拟真实工作条件。

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