非易失性存储器的工作电压为 1,2 V。免费技术库新闻

非易失性存储器工作电压为 1,2 V

16.11.2014

超低功耗存储器专家 Adesto Technologies 推出了一款工作电压仅为 1,2V 的非易失性串行存储器。

制造商自己称 RM25UL 内存是一项突破，由使用专有 CBRAM 技术提供。适用于各种应用，CBRAM 的功耗比当今的内存少 100 倍，而不会牺牲性能或可靠性。

低电源电压、极低的写入和读取电流使新存储器特别适用于使用低功耗无线接口（包括蓝牙 LE）的物联网电子设备。与现有内存相比，RM25UL 的电压要求降低了 25%。事实上，RM35UL 构成了超低功耗内存的新品类。

新技术已经在实践中进行了测试——XNUMX 月，Adesto 出货了其第 XNUMX 万个 CBRAM 存储芯片。

同时发布了RM25D系列。其中包含的微电路与 RM25UL 系列的微电路完全相似，但它们专为 1,65-3,6 V 范围内的电源电压而设计，在可穿戴、移动和其他消费电子产品中更为熟悉。 RM25UL 和 RM25D 系列包括高达 2 Mbps 的 IC。他们的实况调查样本应该会在 2015 年上半年出现，随后将开始批量生产。

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