SRAM瑞萨RMLV0816B和RMLV0808B芯片具有高抗辐射性。免费技术图书馆新闻

SRAM 芯片 Renesas RMLV0816B 和 RMLV0808B 具有高辐射硬度

21.12.2014

瑞萨电子宣布推出 RMLV0816B 和 RMLV0808B 系列的五款新型低功耗静态随机存取存储器（高级 LP SRAM）芯片。它们的密度为 8 Mbit，按照 110 nm 标准制造。

既然消费移动电子产品的微电路早已按照更精细的标准生产，为什么还要使用这种“粗略”的技术流程？

问题是通过增加元素，可以增加抗辐射性。根据制造商的说法，新存储器中不包括单一故障（Soft Error 或 Single-Event Upset，SEU）和晶体管闩锁（Latch-up）。

单个故障的原因是离子进入细胞时发生的电流脉冲。它使细胞处于相反的状态，但电路仍处于健康状态。由于新芯片中晶体管的尺寸相对较大，因此开关需要如此大的电荷，以至于故障概率趋于零。此外，在电池电路中引入了一个特殊的电容器。与 ECC 纠错不同，这种方法可以防止多个错误同时发生。据瑞萨电子称，使用这种技术和其他技术，可以获得与根据 150 nm 标准制造的微电路相同程度的抗辐射性。

至于晶体管锁存，它是由离子感应电流脉冲引起的，它导致由不同类型晶体管对的寄生结构形成的类似晶闸管的电路断开。由于闩锁，即使在离子暴露停止后，通过晶体管的电流也会增加，这可能导致微电路过热和故障。在新存储器中，仅在单晶衬底上形成n沟道晶体管，而p沟道晶体管则使用多晶硅形成薄膜晶体管，从寄生结构中消除了晶闸管的形成，从根本上消除了风险晶体管捕捉。一路走来，这使得减小单元面积和晶体尺寸成为可能，使这些指标更接近根据 65 nm 标准生产的存储器的指标。

待机电流消耗在 2°C 时小于 25µA，使这些芯片适用于电池供电设备中的数据存储。

瑞萨计划以 16 Mbps 的密度发布这种内存。

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