适用于大规模应用的射频芯片的 SOI 工艺技术。免费技术图书馆新闻

用于大规模应用的射频芯片的 SOI 工艺技术

05.12.2015

Toshiba Electronics Europe 宣布开发新一代 TarfSOI（东芝高级 RF SOI）工作流程，该工作流程针对射频 (RF) 开关的生产进行了优化。使用新的 TaRF8 工艺技术制造的射频开关 IC（例如新的 SP12T 器件）提供业界最低的插入损耗等级。基于新制造工艺的 SP12T 射频开关 IC 试用样品将于 2016 年 XNUMX 月开始发货。

专为智能手机设计的 SP12T 射频开关 IC 具有用于移动解决方案的集成 MIPI-RFFE 控制器。这些开关可用于 3GPP GSM、UMTS、W-CDMA、LTE 和 LTE-Advanced 设备。

使用新型 TaRF8 SOI-CMOS TarfSOI 晶圆工艺制造的产品在 0,32 GHz 时提供 2,7 dB 的业界最低插入损耗等级。与基于东芝当前 TaRF6 工艺技术的产品相比，插入损耗提高了 0,1 dB，同时保持了相同的失真水平。

当今的移动通信需要高速传输大量数据，因此移动设备和智能手机中使用的射频开关 IC 必须支持多端口操作并具有更高的射频性能。在这方面，减少插入损耗被认为特别重要，因为它减少了无线电信号传输功率的损失，从而增加了移动设备的电池寿命。

东芝使用集成了模拟和分立电路的 SOI-CMOS 技术自行开发高性能射频开关 IC。通过追求制造工艺的各个方面，从射频元件工艺开发到射频开关IC的设计和制造，东芝能够在自身射频开关IC开发成果的基础上，快速发展SOI-CMOS技术。作为一家集成设备制造商 (IDM)，该公司能够快速创建适合大规模生产的新制造工艺技术，并使用最先进的制造工艺将产品推向市场。

公司将继续提高自有TarfSOI工艺的效率，通过领先于其他制造商推出基于最新技术的产品，满足市场和客户对射频开关IC的需求。

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液晶是具有晶体某些特性的流体物质。其中——各向异性：这些物质的物理性质（例如光速）在不同的方向上是不同的。

这是解释的。液晶分子被拉长，平行排列，通常或多或少是有序的。在最小的 - 在向列液晶中。在它们中，分子相对于彼此随机移动，尽管它们的方向相同。

如果将这种物质应用于任何表面，那么它的分子会以某种方式在上面定向，如果表面不均匀，那么在它的不同部分，分子将以不同的方式“排列”。向列液晶的这种特性已经被用于材料科学，但事实证明它在医学上的应用同样成功。特别是，要确定肿瘤 - 良性和恶性，其中，事实证明。

不同的表面张力（对于固体，也使用这个概念）。因此，向列液晶分子在它们上的位置不同：在良性分子上 - 在大斜率上，在恶性分子上 - 几乎垂直。当通过偏光显微镜观察时，这是非常清楚的：斜的看起来很亮，而垂直的看起来很暗。

该方法的作者认为它对于肿瘤疾病的早期诊断非常有前景。

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