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先进的红外显微镜 02.05.2024

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昆虫空气捕捉器 01.05.2024

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硅自旋电子学 11.10.2013

通过根据电子自旋（“向上”或“向下”）而不是电荷对信息进行编码，自旋电子器件有望成为非易失性原子级器件。这可能使创建一个即使在关闭时也能记住其状态的超低能量电路成为可能。

不幸的是，大多数这些所谓的稀磁半导体与硅的兼容性尚未见报道。现在，北卡罗来纳州立大学 (NCSU) 的科学家们发现了在室温下与硅兼容的新型稀磁半导体。锡酸锶半导体已成功地沉积在硅衬底上的薄锆边界层上。

北卡罗来纳州立大学的杰伊·纳拉扬教授说：“稀磁半导体对于在电子的磁自旋中存储信息的自旋电子器件非常有前景。”“其他材料，如氧化锌，也是稀磁半导体，但它们是不过，由于锡酸锶的立方对称性和晶格常数与硅接近，因此可以很容易地与硅衬底集成。”

其他研究小组也对稀磁半导体进行了实验，但其中许多都使用了 III-V 族材料，例如砷化铟或砷化镓。其他人报告说，锗量子点可能与硅兼容，但在室温下不兼容。现在北卡罗来纳州立大学实验室报告了在室温下与硅的兼容性。

具有讽刺意味的是，研究人员与北卡罗来纳州立大学教授贾斯汀·施瓦茨（Justin Schwartz）正在寻找一种与硅不兼容的自旋电子学材料，而是一种拓扑绝缘体——一种具有电介质特性但具有导电表面层的半导体。然而，在研究了锡酸锶之后，科学家们发现它也是一种稀磁半导体。

“锡酸锶在理论上被预测为一种拓扑绝缘体，我们通过实验发现了锡酸锶薄膜中拓扑绝缘体的某些特性，”Narayan 在氧气环境中说。

接下来，科学家们计划开始在这种材料中形成自旋电子晶体管，以确认使用锡酸锶作为硅半导体中一个有前途的新方向的想法。

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