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填字游戏手册 / 字母索引
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艺术与文化 / 艺术 / 饰品
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镂空 - 通过雕刻或柳条
ELIMATE - 一种塑形方法
(5)
花环 - 元素
GIRIH - 元素，东
CRABB - 哥特式元素。 装饰品
PANTE - 描绘一篮鲜花和水果的装饰图案
CONE - 元素
(6)
ATSULEI - 明亮的蓝色西班牙瓷砖
(7)
KARTEL - 洛可可装饰元素
MASWERK - 哥特式
SOCKET - 类型
ROCAILLE - 类型
TREFOL - 元素
(8)
BUKRANIY - 来自公牛和山羊的头骨
GARLAND - 由编织的花朵、叶子和果实组成的装饰形式
MINIONET - 小花图案
万字符 - 永恒运动、火、生命的古老象征
(9)
VERMICULE - 一种哥特式和文艺复兴时期的装饰品
PEARL - 衣服上的装饰品类型
(11)
BANDELVERK - 交织在一起的丝带和捆绑形式的元素
五角星 - 五角星
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科技、新电子最新动态：
花园疏花机
02.05.2024
在现代农业中，技术进步的目的是提高植物护理过程的效率。创新的 Florix 疏花机在意大利推出，旨在优化采收阶段。该工具配备了移动臂，可以轻松适应花园的需求。操作员可以通过使用操纵杆从拖拉机驾驶室控制细线来调节细线的速度。这种方法显着提高了疏花过程的效率，提供了根据花园的具体条件以及花园中生长的水果的品种和类型进行个性化调整的可能性。经过两年对 Florix 机器在各种水果上的测试，结果非常令人鼓舞。 Filiberto Montanari 等农民使用 Florix 机器多年，他们表示疏花所需的时间和劳动力显着减少。
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先进的红外显微镜
02.05.2024
显微镜在科学研究中发挥着重要作用，使科学家能够深入研究肉眼看不见的结构和过程。然而，各种显微镜方法都有其局限性，其中之一是使用红外范围时分辨率的限制。但日本东京大学研究人员的最新成果为研究微观世界开辟了新的前景。东京大学的科学家推出了一种新型显微镜，它将彻底改变红外显微镜的功能。这种先进的仪器可以让您在纳米尺度上以惊人的清晰度观察活细菌的内部结构。通常，中红外显微镜受到分辨率低的限制，但日本研究人员的最新进展克服了这些限制。据科学家称，所开发的显微镜可以创建分辨率高达120纳米的图像，比传统显微镜的分辨率高30倍。 ... >>
昆虫空气捕捉器
01.05.2024
农业是经济的关键部门之一，害虫防治是这一过程中不可或缺的一部分。来自西姆拉印度农业研究委员会中央马铃薯研究所 (ICAR-CPRI) 的科学家团队针对这一问题提出了一种创新解决方案——风力昆虫空气捕捉器。该设备通过提供实时昆虫种群数据来解决传统害虫防治方法的缺点。该捕集器完全由风能提供动力，使其成为一种无需电力的环保解决方案。其独特的设计使您能够监测有害和有益昆虫，从而全面了解任何农业地区的昆虫数量。卡皮尔说：“通过在正确的时间评估目标害虫，我们可以采取必要的措施来控制害虫和疾病。” ... >>
| 来自档案馆的随机新闻 Germanan是石墨烯的竞争对手
18.05.2013
日耳曼语 (Germanane) - 锗单层 - 由于其独特的特性和易于制造，在电子产品中可能有需求。 哥伦布俄亥俄州立大学的研究人员开发了一种在单层（即一个原子厚的层）中沉积锗的新方法，同时与硅相比，效率提高了 10 倍，并创造了一种比下一代材料更简单的制造方法，例如作为石墨烯（碳原子的单层）。
俄亥俄大学教授 Joshua Goldberger 说：“我们已经能够制造出石墨烯的锗类似物，即与氢键合的单分子层，其方式与石墨烯相同，但制造起来要容易得多。”“在这个过程中，我们将改造从具有间接带隙的材料到具有直接带隙的材料，这使其也可以用于光学目的。
Goldberger 声称通过 GaGe2 的拓扑化学脱嵌首次合成了毫米级的氢键锗 (GeH) 纯晶格。 Goldberger 将这种材料描述为类似于键合石墨烯 (CH) 的层状范德华物质。 Goldberger 将他的材料命名为“germanan”，以表明其与称为 grafane 的单层石墨烯的相似之处。
除了新材料基于锗而不是石墨烯等碳这一事实之外，最显着的区别是使用标准半导体设备比石墨烷更容易生长锗。 Goldberger 预测，新材料将用于下一代光电器件和先进传感器，因为计算表明，电子迁移率将比体锗高 5 倍（比硅高 10 倍），带隙为 1,53 eV，略低于超过砷化镓。
石墨烯研究人员已经证明，半导体单层的电子特性可以明显优于块状材料，并且已经付出了许多努力来创建具有不同连接晶体结构的功能性单层。 高载流子迁移率是以牺牲超薄拓扑结构的优良品质为代价的，但如果这些单层被配体用于特定应用，超薄材料也可能比散装材料对感官应用更敏感。
从历史上看，锗成为第一个用于电子产品的半导体。 它发生在 1947 年的 AT&T 贝尔实验室。 仅仅几十年后，研究人员设法克服了许多问题，使在电子产品中使用硅成为可能。 看来，新的电子单层材料的情况可能会重演历史。
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