使用 3D V-NAND 内存将允许您创建 10 TB SSD 30.11.2014

3D V-NAND闪存已经证明了它的价值：它不仅比传统的MLC芯片提供更多的存储容量，而且与臭名昭著的TLC不同，它还具有很高的可靠性。 看来 3D V-NAND 即将在体积可与最新一代传统 HDD 相媲美的价格实惠的固态硬盘领域取得突破。 我们谈论的是 10 TB 及以上的容量。

这正是英特尔公司提出的倡议。 在最近的英特尔投资者会议上，宣布在 2015 年下半年，英特尔-美光闪存技术合资公司将开始量产 256Gb 和 384Gb 多层芯片。

在后一种情况下，将使用三级单元。 新的 3D-NAND 芯片的三维结构将有 32 层芯片使用类似于传统 TSV（硅通孔）的特殊垂直结构阵列连接。 具有这种容量的闪存芯片的出现将为制造当今根本无法获得的大容量固态驱动器开辟道路。 英特尔非易失性内存部门副总裁 Rob Crooke 认为，基于新技术的 SSD 在未来两年内可能会超过 10 TB。 相比之下，想要基于传统平面内技术创建 4 TB SSD 的 SanDisk 不得不使用 64 个极其昂贵的 512 Gb (64 GB) eMLC 芯片，每个芯片在一个封装中承载 128 个 XNUMX Gb 裸片。 这些芯片是使用最先进的薄型制造工艺制造的，这增加了它们的成本，但根本没有增加可靠性。

但容量为 256 和 384 GB（分别为 32 和 48 GB）的“三维”英特尔-美光芯片将使用更大、更便宜的技术工艺，同时更可靠。 不幸的是，英特尔仍然对涉及哪种工艺技术保持沉默。 但基于 256Gb“128D”芯片的 SSD 工作原型已经存在，其中之一在上述活动中进行了演示。 值得注意的是，三星也在积极生产“三维”闪存：其 24 Gb 芯片有 32 层或 42 层，并使用当今标准异常大的技术标准 - 86 纳米。 这些微电路的“表观容量”为 256 Gbit； 三星似乎在谨慎行事，希望不惜一切代价避免新技术出现假设性问题。 在此背景下，立即启动 XNUMX Gb 容量的英特尔-美光项目看起来更加雄心勃勃，但采用这种方法的最终产品成本会明显降低。 当然，普通用户也会从中受益。

但即使英特尔的新芯片具有更好的性价比，英特尔-美光联盟的制造能力还不能让我们谈论对 NAND 市场的严重影响。 据ChinaFlashMarket.com报道，IMFT联盟工厂每月可生产约70片300mm晶圆，这个数字包括不同类型的内存。 使用 IMFS 和 MTV 工厂每月可以再生产 80 到 40 片 300mm 晶圆，但这与三星的产能相比微不足道。 这家韩国巨头专门为生产新型闪存而建造的工厂中，只有一家能够每月生产 100 片晶圆，而适用于相同目的的三星其他生产设施可供应超过 400 片晶圆。晶圆在同一时期。

换句话说，英特尔的新型多层闪存芯片可能不会彻底改变整个 SSD 市场，但它们将使用户更容易获得高容量型号，并使公司显着巩固其在微电子行业的地位。 英特尔的 NAND 和 SSD 部门预计在 2014 年的总收入约为 2 亿美元，而新的 256-Gigabit 多层芯片的推出将在未来几年增加这一数字。