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技术事故和灾难的原因。 安全生活的基础

安全生活活动基础 (OBZhD)

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主要原因 重大人为事故和灾害有:

1) 由于制造缺陷和违反操作模式而导致的技术系统故障。 许多现代潜在危险行业的设计方式使得发生重大事故的概率非常高,估计风险值为 10-4 以及更多(不规范的危险化学品储存和运输会导致爆炸、高压系统破坏、火灾、化学活性液体泄漏等);

2) 人的因素: 技术系统操作员的错误操作(超过 60% 的事故是由于维护人员的错误造成的);

3) 技术系统的高能级;

4) 对能源、交通等的外部负面影响。 (冲击波和(或)爆炸导致结构破坏)。

因此,火灾和爆炸的常见原因之一,特别是在石油、天然气和化工生产设施以及车辆运行过程中,是静电放电(与自由电荷的形成和保存相关的一系列现象)表面以及介电和半导体物质的体积中),由带电过程引起。

对目前在技术领域运行的所有负面因素的分析表明, 人为的负面影响是主要影响, 其中技术因素占主导地位,是由于人类的改造活动和由此活动引起的生物圈过程的变化而形成的。 但是,大多数因素是 直接影响 (毒物、噪音、振动等)。 但近些年来,普遍存在 次要因素 (光化学烟雾、酸雨等)由于主要因素之间或与生物圈组成部分的化学和能量相互作用而在环境中发生。

当人和自然环境受到不可逆转的破坏性变化的威胁时,负面因素影响的水平和规模不断增长,并且在技术领域的许多地区已经达到了这样的价值。

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伴随着所有先前尝试证明该理论的主要问题是材料中需要极低的温度和少量的自由电子。 在新的实验过程中,有可能产生一层只有一个原子厚的二硒化钼。 这使得电子只在一个平面上移动,它们的数量取决于施加在两个透明石墨烯电极上的电压,在这两个电极之间有一个半导体。

材料被冷却到绝对零以上几度,电子分层不超过20纳米,这使得用显微镜研究它们成为可能。 研究人员通过使用一定频率的光激发半导体层中的激子,实现了电子的规则排列变得可见,从而可以看到维格纳晶体。

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