带匹配变压器的放大器。方案、说明

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带匹配变压器的放大器。无线电电子电气工程百科全书

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无线电电子与电气工程百科全书 / 晶体管功率放大器

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该器件的一个特点是使用采用特殊技术制成的匹配变压器将前置端子级联与最终端子级联连接。这使得可以用少量的部件获得放大器操作的高稳定性，并且无需保护末级免受负载短路的影响。

在放大器的最后一级，可以使用发射极和集电极之间限制电压相对较小（等于电源电压）的晶体管。

带匹配变压器的放大器

主要参数：

标称频率范围（边缘幅频特性下降不超过3dB），Hz......5...100
电阻4欧姆负载时的额定输出功率（谐波系数不大于1%），W......20
额定输入电压，mV.......100
输入阻抗，kOhm.......45
噪声和背景的相对水平，dB.......-65

该放大器包含晶体管V1、V3、V4上的两级信号电压放大器和具有相同结构的晶体管V5、V6的末级。较低频率区域中的特性（频率响应）。

放大器由一个公共 OOS 覆盖，其电压从负载移除并馈送到晶体管 V1 的发射极电路。另一个 OOS - 本地 - 通过连接预端子级输出的 R2R6 * 电路创建到第一个的输入。电流的可变分量通过C2R1C1电路闭合，同时该电路的电容器C2和电阻R1与电阻R2一起对穿过放大器输入端的频率为100Hz的纹波提供补偿。 R8C6电路在不稳定电压供电时。微调电阻R1和电容C1在前置放大器的电源电路中构成去耦滤波器。如果使用另一个电源为前置放大器供电，则必须用 1 kΩ 电阻器并联电容器 C3。

在放大器的前末级和末级中，需要成对使用静态电流传输系数h21e接近的晶体管。晶体管V5和V6应安装在冷却表面积约为400 cm2的散热器上。热敏电阻 R13 应粘在第一个热敏电阻的主体上，R14 应粘在第二个热敏电阻的主体上。

对于匹配变压器 T1，任何横截面积为 1,5...2,5 cm2 的磁芯均适用，例如 Ø12 X 16。绕组采用一束折叠在一起的 2 根电线缠绕：六级 PEV -0,17 - 2 和两个 - PEV-0,31 -2。绕完后，将线端镀锡，用欧姆表识别每根PEV-0,17-2线，将它们串联起来，得到绕组I，剩下的两根PEV-0,31-XNUMX线用作绕组 II 和 III。

电源变压器 T2 缠绕在 USh20 x 30 磁路上。绕组 I 包含 1600 匝 PEV-2 - 0,41 导线，绕组 II 和 III - 各 185 匝 PEV-2 - 0,9 导线（绕两根导线）。

调整从设置晶体管模式为直流开始，将微调电阻R1的滑块拨至最左（如图所示）位置，在A点断开OOS电路，选择电阻R6*可达到点电压B 等于电源电压的一半。然后，选择电阻R9*和R11*，在B点设置相同的电压。通过选择相同的电阻，可以实现末级晶体管所需的(450...500mA)静态电流。

此后，将频率为 3 kHz 的 10..20 mV 电压从信号发生器施加到放大器的输入端，并使用示波器检查输出电压的形状。通过增加晶体管V3、V4的静态电流可以消除其“阶跃”形式的失真。最简单的方法是暂时用可变电阻（电阻 3 kOhm）替换电阻器 R1。增大其阻值直至失真消失，需保证晶体管V3、V4的静态电流（方便通过电阻R7两端的压降控制）不超过10…12mA。通过选择电阻器 R10*、R12* 来实现对超过标称电平的信号的对称限制。

此后，恢复通用OOS电路，并使用微调电阻R8，将其深度设置为20dB。通过将输入信号降低至零，微调电阻器 R1 可以在负载上实现 100 Hz 频率纹波最小化。该操作是通过连接到电源电路的前置放大器来执行的。为了获得低非线性失真，该放大器的输出阻抗不应超过 1...5 kOhm。通过选择 C5* 电容器可实现音频范围较高频率下的最小失真。

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