无线电电子与电气工程百科全书 用于测试晶体管的前缀。 无线电电子电气工程百科全书 [在执行此命令时出现的错误] 在测量技术中使用二极管电桥的想法,从期刊的出版物中得知,使所提出的文章的作者能够开发一个简单的前缀 - 一种用于控制几乎双极和场效应晶体管参数的开关单元所有类型。 该前缀与多限直流毫安表和自主电源配合使用。 它允许您测量许多参数:在基极电流固定值(10、30、100、300 μA;1,3、10、30 mA)下具有共发射极的电路中双极晶体管的静态电流传输系数; p-n结或内置沟道场效应晶体管的初始漏极电流; 栅极电压等于漏极-源极电压一半时具有感应沟道的场效应晶体管的漏极电流; 每个都有两个栅极的场效应晶体管特性的陡度; 当使用衬底(外壳-衬底)的输出作为第二栅极时,场效应晶体管特性的陡度。 这个前缀的思想是借鉴于[1]的。 机顶盒示意图如图所示。 晶体管VT1和电阻R1-R8形成稳定的电流源,为被测双极晶体管的基极电路供电,其输出连接到X1-X1插座。 电流值由开关SA5设定。 二极管VD6、VD14和电阻器R9决定场效应晶体管源极电路中的偏置。 分压器R10、R11和R13-R31在第一(32)和第二(XNUMX)栅极上提供偏置。 第一个栅极(插座 X5)处的电压必须等于二极管 VD5、VD6 上的压降。 电阻器 R12、R13 的连接点应具有相同的电压。 电源电压的极性取决于双极(场效应沟道)晶体管的类型,由开关 SA2 设置。 同时,由于二极管VD1-VD4和VD7-VD10上的二极管电桥,可以在被测晶体管的基极和集电极(漏极)电路中无需极性切换。 开关 SA1 - 饼干式,SA2 - P2K 型或类似开关,用于两个位置,具有两组触点。 按钮 SB1-SB3 - MP9 或其他。 二极管 VD1-VD4 可以是任何硅,最大正向电流为 40-60 mA,反向电压至少为 30 V,VD5-VD10 - 也是硅,设计用于高达 1 A 的正向电流,反向电压至少为30V。二极管VD1-VD4和VD7-VD10可以用参数对应的KTs402-KTs405系列模块替换。 晶体管(除了图中所示的以外,还可以是 KP302V、KP302G)必须安装在散热器上,因为在检查大功率晶体管或将基极电流设置为 30 mA 时,会在其上消耗大量功率。 连接到附件的测量设备是任何类型的多量程,最大电流从几十到几百毫安。 电源必须提供 4 V 的恒定电压和高达 5 A 的电流 - 以便控制高功率双极晶体管。 为了控制具有感应通道的场效应晶体管,电源电压必须为 1 ... 9 V,因此,需要在电源中安装输出电压开关,顺便说一句,该开关不必是总算是稳定下来了。 设置机顶盒首先选择电阻器R1-R8,控制插座X1和X1之间的电流,并将SA10开关的活动触点设置到适当的位置。 如果电流与所需电阻的差异不超过 10%,则每个电阻器的选择均已完成。 然后,选择电阻R13、R5的阻值,使得它们两端的电压等于或略小于二极管VD6、VDXNUMX两端的压降。 为了方便将测试的晶体管连接到附件,有必要制作带有柔性引线的适配器面板,该引线的末端是插入附件插座的插头。 对于功率晶体管,单导体应采用鳄鱼夹和插头制成。 在连接晶体管进行控制之前,需要用开关设置结构(通道类型),连接具有最大测量极限的毫安表,打开电源。 仅在按下 SB 10 按钮进行测量时才应使用 SA30 开关设置 1 和 1 mA 的基本电流值,并且在释放该按钮时应切换毫安表测量限值。 双极晶体管按以下顺序进行测试。 1. 切换 SA2 以设置所需的结构 - p-n-p 或 n-p-n。 2. 将毫安表、电源和晶体管连接至相应的插座。 3. 切换 SA1 以设置所需的基极电流。 4. 按下 SB1 按钮,确定毫安级的集电极电流,然后使用公式 h21E = Ik / Ib 计算基极电流传输系数。 如果晶体管引脚的引脚排列未知,则必须首先使用欧姆表使用众所周知的方法确定晶体管的基极和结构。 发射极和集电极的结论由最大值h21E决定。 但是检查场效应晶体管的顺序是什么。 1.切换SA2设置通道类型。 2. 连接毫安表和电源。 3. 具有内置通道的 MIS 晶体管或具有 p-n 结的晶体管,连接到相应的插座:源极 - 带插座 X7(“I”),基板(外壳-基板) - 带 X8(“P”),门 - 带 X5(“31”),库存 -cX4(“C”)。 4. 按下SB1按钮,通过毫安表指针的偏差确定漏极电流的值——它必须与参考书上给出的Ic参数相对应。 5. 同时按下按钮 SB1、SB2,确定新的漏极电流值。 6. 根据公式 S=lc/U 计算特性的斜率,其中 lc 是根据第 4 段和第 5 段测量的电流之差,mA; U——电阻器R10、V两端的电压降。将获得的值与参考数据进行比较。 7. 将快门输出连接到X5 插座,将基板(基板盒)输出连接到XXNUMX 插座。 8. 按 SB1 按钮并确定漏极电流,然后同时按 SB1、SB2 并确定新的电流值。 9. 使用公式 sn = Ic/u 计算沿基底的斜率值,其中 Ic 是根据第 8 条测量的电流之间的差值,mA; U——电阻器R10、V两端的电压降。 文献[2]考虑了使用基板(基板本体)作为第二快门的问题,但参考书中没有给出这个参数。 当检查具有感应通道的 MIS 晶体管时,请按照前一种情况进行连接,但将栅极输出连接到插座 X6(“32”)。 首先按下 SB1 按钮,然后同时按下 SB1 和 SB2 按钮来测量漏极电流。 假定 U 是电阻器 R13 两端的压降,计算第一个栅极的斜率值。 要确定基板上的斜率,必须将该引脚连接到插座 X5 (31)。 与前一种情况一样,首先按下按钮 SB1,然后同时按下 SB1 和 SB2。 之后,假设 U 是电阻器 R10 两端的压降,则计算斜率值。 当控制这种类型的晶体管时,应该记住,根据第一点测量的漏极电流必须对应于参考书中给出的漏极-栅极特性系列所确定的电流(Usi - 电源电压;Usi = 0,5 Usi) 。 要控制双栅极场效应晶体管,必须首先使用 SA2 开关设置通道类型,然后将晶体管输出按以下顺序连接到控制台:源极、第一栅极、第二栅极、漏极。 通过按下按钮 SB1 进行操作,同时按下 SB1 和 SB2,同时按下 SB 1 和 SB3,测量漏极电流并计算栅极斜率值。 只有在浓缩模式下才能检查此类晶体管。 文学
作者:V.Kalendo,明斯克,白俄罗斯 查看其他文章 部分 业余无线电爱好者. 读和写 有帮助 对这篇文章的评论. 科技、新电子最新动态: 花园疏花机
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