高频信号发生器。方案、说明

高频信号发生器。无线电电子电气工程百科全书

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高频信号发生器设计用于测试和调整高频电子设备。

Основныепараметры

生成频率范围，MHz	0,12 15 ...
输出信号的最大幅度（负载为 100 欧姆），V，以子范围表示
0,12...0,42 兆赫	0,95
0,4-1,67兆赫	0,8
1,6-6,67MHz	0,65
5-15兆赫	0,3
子范围内输出信号幅度的不规则度，dB	2
输出电阻，欧姆	100
信号的声音频率调制深度，%	30
调制频率范围，Hz	30...30 000
频率设定误差，%	10

该发生器由射频发生器本身（晶体管 V3）、射极跟随器（晶体管 V4）、输出放大器（晶体管 V6）和幅度调制器（晶体管 V5）组成。

（点击放大）

所需的生成频率子范围由开关S1选择，发生器由可变电容C6的双块电容器重建（两部分并联）。晶体管V3的栅极电路中的二极管VI充当限制器，这增加了发生器调谐时（在子范围内）输出信号幅度的稳定性。电阻器 R1*-R4* 减弱正反馈，改善波形。该级的电源电压由齐纳二极管 V2 稳定。

高频振荡电压从晶体管V3的源极提供给射极跟随器，从而在发电机和负载之间提供去耦。发生器（晶体管 V3）产生的电压明显大于后续级正常运行所需的电压。因此，信号从晶体管V9发射极电路中的电阻器R10和R4形成的分压器提供给输出放大器。

输出宽带放大器（晶体管 V6）采用共发射极电路制成。其负载是可变电阻器R15，信号从其引擎馈送到输出同轴连接器K2。为了提供足够宽的输出放大器带宽，该电阻的阻值应不超过150欧姆。然后，在约 50 pF 的电容负载（约 0,7 m 长的同轴电缆的电容）下，放大器的带宽为 20 .. 30 MHz。在这种情况下，必须有相对较大的电流（约10mA）流过晶体管。电阻器 R15 两端的电压降应约为输出信号幅度的 2 倍。

幅度调制在输出级进行。调制器的晶体管 V5 与晶体管 V6 串联连接，来自连接器 X1 的调制电压同时提供给两个晶体管的基极（在 V6 上 - 通过电阻器 R13 *）。结果是输出信号的混合（集电极-基极）调制。使用这种调制，只需增加 AF 电压，即可获得几乎 100% 的高频信号调制，且非线性失真较低。打开调制开关S2。

发生器使用小型双块可变电容器（其各部分在安装过程中并联连接）和固体电介质 KPTM-4（来自 Neiva、Etyud、Signal、Orbita 晶体管收音机）。该块的轴线用一根直径为4、长度为18毫米的黄铜棒加长。在其一端钻一个8毫米深的轴向孔，然后在其中切出M2螺纹。连接时使用 M2 X 8 钢销，将其涂上 BF-2 胶拧入 KPE 块轴上的螺纹孔中，并将延长杆拧到同一胶上的突出端上直至失效。

为了调节输出电压，使用了可变线电阻PPB-1V，但也可以使用另一个电阻，其阻值不会超过150欧姆。

发电机使用电容器KT-1a（C1-C4）、K50-6（C13）、KM（C15）和KLS（其余）。所有固定电阻器，R10-VS-0,125 除外（MLT-0,125、MLT-0,25 等）。电阻器R10-MON-0,5，如有需要，可独立制作，例如在阻值至少为2Ω的MLT-0,06电阻器本体上缠绕一根直径为0,5毫米的PEV-100电线欧姆。将一段 790 毫米长的电线对折，并用一滴熔化的松香将环固定在电阻器上。缠绕后，将末端焊接到电阻器的端子上。

该器件可以使用KP303系列的任何场效应晶体管和任何低功耗硅高频晶体管。

晶体管 V4 和 V6 的静态电流传输系数必须至少为 60，晶体管 V5 - 至少为 30。二极管 V1 - 任何高频硅。

发电机线圈L1和L2缠绕在M1000NM-A-K10 X 6X 4,5铁氧体环上（外径10，内径6，高度4,5毫米，铁氧体等级1000NM）。第一个包含 25 + 50 匝直径为 2 毫米的 PEV-0,15 线，第二个包含 7 + 14 匝直径为 2 毫米的 PEV-0,41 线。线圈L3和L4分别缠绕在铁氧体棒M600NN-2-CC3、5 X 20（直径3,5，长度20毫米）和M600NN-3-CC2,8 x 12（直径2,8，长度12毫米）上。线圈L3由10+20匝直径为2毫米的PEV-0,25线组成，L4由4+8匝直径为2毫米的PEV-0,5线组成。

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