无线电电子与电气工程百科全书 稳定电源 220/1-29 伏 2 安培。 无线电电子电气工程百科全书 为了提高其质量,许多现代稳定器使用具有高增益和稳定特性的运算放大器。 然而,对传统晶体管稳定器进行相对简单的修改可以显着改善其技术特性,并避免使用运算放大器设计稳定器时出现的一些困难(特别是在具有宽范围输出电压调节的设备中)。 所述电源的高稳定系数是由于放大器具有动态负载。 该示例性电压源组装在场效应晶体管上,这使得可以降低稳定器的输出阻抗并获得输出电压的深度调节。 主要技术特点
稳定器输出电压的不稳定性通常是参考电压的不稳定性和运算放大器的漂移之和。 在所描述的稳定器中,其主要仅由第一有源元件的温度漂移决定。 稳定器(见图)由两个带有串行控制动态负载的放大器组成。 第一个组装在晶体管V13、V12上,其中V13按照共栅极电路连接,V12连接到公共集电极; 第二个 - 晶体管 V14、V15(V14 - 具有共发射极,V15 - 具有共集电极)。 来自电阻器R9的引擎的反馈信号施加到晶体管V13的源极,在没有相位反转的情况下被放大,并馈送到晶体管V14的基极。 晶体管V13工作在接近电流截止的模式。 源极和栅极之间的电压在稳定器中是示例性的。 电路 R2R3V11 仅用于晶体管 V13 漏极电流变化的温度补偿(没有它,该晶体管的栅极靠近公共线,稳定器的输出电压在温度范围内变化 3...5% 20...50°C)。 反相并放大的信号从晶体管V14的集电极传输到强大的调节晶体管V15的基极。 控制元件由基于齐纳二极管 V10 和晶体管 V9 的参数稳定器供电。 为获得较高的主整流电压利用率(参见文章“改进小功率稳压器”——《无线电》,1981年第10期,第56页)晶体管V1上的V4-V9稳压器由一个电压供电乘法器位于二极管 V5-V8 和电容器 C1、C2 上。 乘法器连接到变压器T1的次级绕组。 灯H1用于在负载电路发生短路时限制通过晶体管V9、V14的集电极电流和晶体管V15的基极电流,并指示过载。 过载时,由于晶体管 V15 基极电流的增加,参量稳定器输入端的电压降低至 30 V,其中灯 H1 上的电压几乎完全下降减去晶体管两端的压降V9、V14和晶体管V15的发射结。 通过该电路的电流不超过 120...130 mA,小于其元件允许的最大电流。 稳定器使用允许耗散功率为 3 W 的线绕可变电阻器(PPB-3、PP3-40)。 晶体管 V13 必须选择较低的初始漏极电流值 - 只有这样,稳定器的输出电压下限才会接近 1 V。该晶体管的漏极电流在漏极和源极之间的电压为 10 V 和靠近源极的栅极应在 0,5 ...0,7 mA 范围内。 当在二极管V11和晶体管V13之间安装稳定器时,必须确保良好的热接触,为此只需将它们的外壳粘合即可。 晶体管V15宜选择具有较大基极静态电流传输系数的晶体管。 除了图中所示的以外,还可以使用 KT203、KT208、KT209、KT501、KT502、KT3107(V12)、KT814、KT816(V14)系列的硅晶体管、具有任意字母索引的晶体管 KT815、KT817、KT807B( V9)、KT803A、KT808A、KT819 以及任何字母索引 (V15)。 该稳定器还可以使用 MP40A 锗晶体管,以及 MP20、MP21、MP25、MP26 (V12)、GT402、GT403、P213-P215 (V14) 系列中的任何一个。 您可以使用齐纳二极管 D527、D813D(两个串联)、D814、D810V(三个串联)代替 KS814A。 建议将晶体管V9和V14安装在小型散热器上(有用面积为20...30厘米2). V15晶体管需要可用面积至少1500cmXNUMX的散热器2。 为了促进该晶体管的热状态,稳定器输入端电压的阶跃变化由拨动开关 S1 提供,设计电流为 2 A。在位置 1,向输入端提供 15 V当拨动开关处于位置2且负载电阻接近最小值时,稳压电压不应设置低于30V。 网络变压器绕在TS-60变压器的磁芯上。 初级绕组不变,次级绕组重绕; 它包含 200 匝(每个线圈 100 匝)PEV-2 1,16 线。 为了提高稳定器的可靠性,可以补充“晶体管保护装置”一文(《无线电》,1980年,第9期,第63页)中描述的保护装置。 稳定器中有时出现的高频产生可以通过增加电容器C6的值来抑制,或者在晶体管的基极电路中插入一个阻值为15...5欧姆、功率为10W的电阻器V1。 为了保证稳定器的稳定运行,其安装必须使用最小长度的导体,并且具有大的导电芯横截面。 作者:A.格里戈里耶夫; 出版:cxem.net 查看其他文章 部分 电源供应器. 读和写 有帮助 对这篇文章的评论. 科技、新电子最新动态: 花园疏花机
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