集成稳压器KR142的应用。方案、说明

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KR142 系列微电路在业余无线电设计中得到了广泛应用。它们的设计几乎相同，并包含内置负载电路保护装置。它们的区别仅在于最大输出电流和额定输出电压，其值为以下值之一：5、6、9、12、15、20、24 和 27 V。

我们向您展示使用这些微电路制成的各种稳压器的精选电路。

稳压器可防止放电电流损坏电容器

如果输出电路MV中有大电容，有时需要对微电路采取保护措施，即防止电容通过其电路放电。事实上，通常用于设备电源电路中的容量高达10μF或以上的电容器具有较低的内阻，因此，在设备的特定电路紧急关闭的情况下，发生电流脉冲，其值可达数十安培。而且虽然这种脉冲的寿命很短，但它的能量可能足以毁掉微电路。脉冲能量取决于电容器的电容、输出电压及其下降速率。在这种情况下，为了保护微电路免受损坏，使用了二极管。在如图所示制作的装置中如图2.10所示，当CH输入端短路时，二极管VD1保护微电路DA1免受电容器C2的放电电流的影响，二极管VD2保护微电路DA3免受电容器CXNUMX的放电电流的影响。

最适合用于稳定器的是氧化钽电容器，即使在高频下也具有低阻抗（当然，具有所需的电容）：这里容量为 1 μF 的钽电容器相当于容量为 25 μF 的氧化铝电容器大约XNUMXμF。

集成稳压器KR142的应用

MV 带阶梯开关

该器件中“开关”元件的功能由晶体管 VT1 执行（图 2.11）。电源接通时，电容器C3开始充电，因此晶体管打开并旁路分压器R1、R2的下臂。当电容器通过电阻器 R3 充电时，晶体管关闭，DA8 引脚 1 处的电压以及器件输出处的电压增加，一段时间后输出电压达到指定电平。输出电压建立的持续时间取决于电路R3、C3的时间常数。

集成稳压器KR142的应用

具有更高稳定性输出电压的 MV

从图2.12中可以看出，该CH与前面讨论的CH（除了没有保护二极管和电容器C3之外）的区别在于将电阻R2替换为齐纳二极管VD1。后者在 DA8 芯片的引脚 1 处保持更稳定的电压，从而进一步减少负载上的电压波动。该器件的缺点是无法平滑调节输出电压（只能通过选择稳压二极管VD1来改变）。

集成稳压器KR142的应用

输出电压可在 0 至 10 V 范围内调节的 MV

在图中。图 2.13 所示为输出电压可在 0 至 10 V 范围内调节的装置的示意图。所需的值由可变电阻 R2 设定。当其电机安装在较低（如图所示）位置时（该电阻为完全从电路中移除），DA8的1脚电压为负极性，因此输出电压CH为0。

当该电阻器的滑块向上移动时，IC 引脚 8 处的负电压减小，并且在一定电阻下变得等于微电路的输出电压。随着电阻阻值的进一步增大，输出电压CH从0增大到最大值。该电路的缺点是需要-10V的外部电压源。

集成稳压器KR142的应用

带有外部控制晶体管的 CH

微电路 142EN5, 142EN8, 142EN9，根据类型，可以向负载提供高达 1,5...3 A 的电流。但是，它们在最大负载电流下运行是不可取的，因为它需要使用有效的散热器（晶体的允许工作温度低于大多数功率晶体管）。在这种情况下，您可以通过连接外部控制晶体管来促进微电路的操作。

带外部控制晶体管的 SN 基本版本原理图如图 2.14 所示。 180. 当负载电流高达 190...1 mA 时，电阻器 R0,6 上的压降很小，并且器件的工作方式与没有晶体管时相同。在较高电流下，该压降达到 0,7...1 V，晶体管 VT1 开始打开，从而限制通过 DA1 芯片的电流进一步增加。它将输出电压维持在给定水平，就像在典型连接中一样：当输入电压增加时，输入电流减少，因此晶体管 VTXNUMX 发射极结处的控制信号电压减少，反之亦然。

当使用这样的SN时，应该记住输入和输出电压之间的最小差必须等于所使用的微电路上的最小电压降与控制晶体管的电压之和。还必须注意限制通过该晶体管的电流，因为当负载短路时，它可能会超过通过微电路的电流，其倍数等于晶体管的静态电流传输系数，并达到 20 A 或更。在大多数情况下，这样的电流不仅足以毁坏控制晶体管，而且足以毁坏负载。

通过调节晶体管限制电流的可能 MV 选项的图表如图 2.15 所示。 2.16、2.17、1。在第一个方案中，通过在晶体管 VT1 的发射极结并联两个串联的二极管 VD2、VD7 来解决这个问题，如果负载电流超过 8 A，则二极管 VDXNUMX、VDXNUMX 断开。稳定器继续工作，但进一步增加一些电流，但一旦达到XNUMXA，就会触发芯片过载保护系统。所考虑的选项的缺点是保护系统的响应电流对晶体管和二极管的参数的强烈依赖性（如果确保这些元件之间的热接触，则其可以被显着削弱）。

这个缺点在另一个稳定器中表现得要少得多（图 2.16）。如果我们假设晶体管VT1发射结处的电压和二极管VD1的正向电压大致相同，那么DA1微电路和控制晶体管之间的电流分布取决于电阻器R2的阻值之比和R1。在低输出电流时，电阻R2和二极管VD1两端的压降很小，因此晶体管VT1截止，只有微电路工作。

随着输出电流的增加，该电压降也会增加，当达到 0,6...0,7 V 时，晶体管开始打开，越来越多的电流开始流过它。同时，微电路将输出电压维持在由其类型决定的水平：随着电压升高，其调节元件关闭，从而减少流过其的电流，并且R2、VD1电路两端的压降减小。结果，控制晶体管VT1两端的压降增大，输出电压减小。

（点击放大）

如果 MV 输出端的电压降低，则调节过程朝相反方向进行。在晶体管VT1的发射极电路中引入电阻R1，可以增加电压的稳定性（防止其自激），但需要增加输入电压。同时，该电阻的阻值越大，过载响应电流越小，取决于晶体管VT1和二极管VD1的参数。然而，随着电阻器的电阻增加，其上消耗的功率增加，其结果是效率降低并且器件的热条件恶化。

作者：Semyan A.P.

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