电源，1-29 伏特 2 安培。方案、说明

电源，1-29 伏 2 安。无线电电子电气工程百科全书

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在许多现代稳定器中，为了提高其性能，都使用运算放大器，运算放大器具有较大的增益和稳定的特性。然而，对传统晶体管稳定器进行相对简单的修改可以显着改善其技术特性，并避免使用运算放大器设计稳定器时出现的一些困难（特别是在具有宽输出电压调节的设备中）。所述电源的高稳定系数（图3.4）是由于使用了带有动态负载的放大器。

该示例性电压源组装在场效应晶体管上，这使得可以降低稳定器的输出阻抗并获得输出电压的深度调节。

（点击放大）

主要技术特点：

稳定器输入电压 - 30 V;
输出电压调节限制 - 1...29 V；
最大负载电流，2 A；
电压稳定系数 - 60 dB；
输出阻抗 5...10 mOhm。

电压调节器由两个串联控制的动态负载放大器组成。第一个是由晶体管V13、V12组装而成，其中V13按共栅极电路连接，V12按共集电极连接；第二个是基于晶体管V14、V15（V14为共发射极，V15为共集电极）。来自电阻器R9的引擎的反馈信号施加到晶体管V3的源极，在没有相位反转的情况下被放大，并馈送到晶体管V14的基极。晶体管V13工作在接近电流截止的模式。源极和栅极之间的电压在稳定器中是示例性的。

电路R2、R3、V11仅用于晶体管V13漏极电流变化的温度补偿（没有它，当该晶体管的栅极靠近公共线时，稳定器的输出电压在3 ... 5°C的温度范围内变化20 ... 50%）。反相并放大的信号从晶体管V14的集电极传输到强大的调节晶体管V15的基极。控制元件由齐纳二极管 V10 和晶体管 V9 上的参量稳定器供电。为了使主整流器V1…V4获得较高的电压利用率，晶体管V9上的稳压器由二极管V5…V8和电容器C1、C2上的倍压器供电。乘法器连接到变压器T1的次级绕组。

灯H1用于在负载电路发生短路时限制通过晶体管V9、V14的集电极电流和晶体管VI5的基极电流，并指示过载。过载时，由于晶体管VI5基极电流的增加，参量稳定器输入端的电压下降至30V，其中灯H1上的电压几乎完全下降减去晶体管V9、V14和晶体管V15发射结上的压降。该电路中的电流不超过 120...130 mA，小于其元件允许的最大电流。

稳定器使用允许耗散功率为 3 W 的线绕可变电阻器（PPB-3、PPZ-40）。晶体管V13必须选择较低的初始漏极电流值，只有这样，稳定器的输出电压下限才会接近1V。在漏极和源极之间的电压为10V且栅极靠近源极时，该晶体管的漏极电流应在0,5…0,7mA以内。当在二极管V11和晶体管V13之间安装稳定器时，必须确保良好的热接触，为此只需将它们的外壳粘合即可。晶体管V15宜选择具有较大基极静态电流传输系数的晶体管。

除图中所示之外，还可以使用 KT203、KT208、KT209、KT501、KT502、KT3107 (V12)、KT814、KT816 (V14) 系列的硅晶体管、任意字母索引的 KT815、KT817 晶体管、KT807B (V9)、KT803A、KT808A、KT 819 与任何字母索引 (VI5)。

该稳定器还可以使用 MP40A 锗晶体管，以及 MP20、MP21、MP25、MP26 (V12)、GT402、GT403、P213 ... P215 (V14) 系列中的任何一个。可以使用齐纳二极管 D527、D813D（两个串联）、D814、D810V（三个串联）代替 KS814A。最好将晶体管 V9 和 V14 安装在小型散热器上（可用面积为 20 ... 30 cm2）。晶体管 VI5 需要散热器。

为了促进该晶体管的热状态，稳定器输入端电压的阶跃变化由拨动开关 S1 提供，设计电流为 2 A。在位置 1，为稳定器的输入提供 15 V 电压，在位置 2 - 30 V。当拨动开关位于位置 2 并且负载电阻接近最小值时，稳定电压不应设置为小于 15 V。

网络变压器绕制在变压器TS-60的磁路上。初级绕组不变，次级绕组重绕；它包含 200 匝（每个线圈 100 匝）PEV-2-1,16 电线。

稳定器中有时出现的高频产生可以通过增加电容器C6的值来抑制，或者通过在晶体管V15的基极电路中包括一个阻值为5…10欧姆、功率为1W的电阻器来抑制。为了保证稳定器的稳定运行，其安装必须使用最小长度的导体，并且具有大的导电芯横截面。

作者：Semyan A.P.

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