无线电电子与电气工程百科全书 用于 LED 灯的 UCC28810 芯片上的高级电源。 无线电电子电气工程百科全书 在作者的文章“UCC28810 for LED lamp with a power of 18 ... 48 W”的电源中,描述了一种用于 LED 灯的电源,其参数使其可以被归类为高级(优质)电源。 ) 来源。 作者设法升级了设备,简化了它,但参数保持在较高水平。 改进后的装置的一个显着特点是使用了有源电流测量分流器。 继续 LED 照明的热门话题,即 LED 灯的电源,我想介绍基于广泛使用的 UCC28810 芯片 [1] 的 LED 驱动器的另一个版本。 这是[2]中描述的源的修改和简化版本。 决定放弃在L6561D芯片上使用额外的有源功率校正器,该校正器主要用于为UCC28810芯片提供直流电,从而可以消除频率为100 Hz的输出电流纹波。 在所提出的版本中,通过完全改造反馈单元解决了输出电流脉动问题,从而解决了灯的光通量脉动问题——事实上,改变了其工作原理,这也导致了设备约三分之一。 诚然,我们不得不在电源的技术特性上做出一些牺牲:输入电压范围变窄,功率因数略有下降,但光通量的脉动系数保持在同一水平 - 小于 1%。 生成的源图如图 1 所示。 XNUMX. 主要技术特点
除了某些元件的额定值外,LED 驱动器的主要部分保持不变。 次级部分的一个显着特征是有源电流测量分流器,它根据流过它的电流来改变其电阻。 其电阻由电阻器R19、R26和场效应晶体管VT3的沟道电阻组成。 特定时刻分流器的总电阻取决于晶体管VT3的状态。 运算放大器 DA2.1 上的比较器控制其状态,从而控制分流器的总电阻。 来自分流器的电压降通过分压器 R29R32R37 和保护齐纳二极管 VD16 馈送到运算放大器 DA2.2 上的比较器的反相输入,该运算放大器控制光耦合器 U1。 两个比较器的参考电平均由 DA3 并联稳定器上的通用精密源设置。 初始时刻,比较器DA2.1的输出为高电平,晶体管VT3开路。 这种情况下的分流电阻主要由电阻器 R19 决定,因为开路状态下晶体管沟道的电阻仅为 65 mΩ 左右。 由于分流器的总电阻较小,因此其两端的电压降也较小 - 小于非反相输入 DA2.2 处的示例电平,因此,该比较器的输出为高电平并且光耦合器闭合。 随着流经电阻R19的电流增大,其两端的压降将接近阈值,当达到该阈值时,比较器DA2.1将切换,其输出将变低,晶体管VT3将截止。 立即,分流器的总电阻将急剧增加 - 高达约 100 欧姆(由电阻器 R26 确定)。 分流器上瞬间增加的电压将切换比较器DA2.2,其输出将被设置为低电平,光耦合器将打开,转换器初级部分的发电将停止。 此外,随着氧化物电容器C16放电,电阻器R19两端的电压降将变得低于阈值,比较器DA2.1将返回到其原始状态。 晶体管VT3打开,分流电路的总电阻再次急剧下降到1欧姆左右,比较器DA2.2切换到原来的状态,光耦合器关闭,发电恢复,整个过程循环重复。 事实上,VT3晶体管和DA2.1比较器上的节点是著名的场效应晶体管电子扼流圈的改进。 仅在我们的例子中,该电子扼流圈通过光耦合器控制整个反激式转换器的操作。 使用并联电阻 R22、R23,可以设置 290 至 390 mA 范围内的任意输出电流。 当然,可以用一个适当阻值的电阻器来代替它们,例如,对于350mA的输出电流,可以使用一个阻值为39kΩ的电阻器来代替两个19,5kΩ的电阻器。 您也可以使用小尺寸的调谐电阻。 如有必要,可以通过选择电阻R3来设置功率因数的最大值。 电阻器R3、R22、R23、R25优选以1%的公差使用。 65C6600 场效应晶体管 (VT2) 可以替换为任何其他漏极至源极电压至少为 550 V、电流至少为 4 A、通态沟道电阻不超过 1,5 V 的 N 沟道 MOSFET。大于 5 欧姆(沟道电阻较高的晶体管可能需要散热器),适合,例如 STP60NK024Z。 SOT-3封装的IRLL223NPBF(VT40)晶体管可以用类似的低压晶体管替代,漏源电压至少为1,5 V,电流至少为200 A,开路沟道电阻不超过1 毫欧。 所有绕组元件 L2、L1、T2 与原型 [XNUMX] 中的相同。 印刷电路板由一面层压玻璃纤维制成,其图纸如图2所示。 3. 所有表面安装元件均位于印刷导线一侧,输出元件位于相反一侧。 各部件的布置如图所示。 4. 组装后的装置照片如图 5 所示。 XNUMX、图。 XNUMX. 与任何脉冲源一样,第一次启动最好通过串联白炽灯完成。
文学
作者:V.拉扎列夫 查看其他文章 部分 电源供应器. 读和写 有帮助 对这篇文章的评论. 科技、新电子最新动态: 用于触摸仿真的人造革
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