用于灯具设备的脉冲可调电源。方案、说明

用于灯设备的脉冲可调电源。无线电电子电气工程百科全书

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所提出的用于灯设备的开关电源是根据通用部件的简单方案组装的，它产生在 50 ... 250 V 范围内调节的稳定电压。最大负载电流为 0,3 A。纹波水平不超过十分之几一伏特。

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该图显示了所提出的设备的示意图。它包含网络变压器T1、阳极电压整流桥VD1、电容器01和C6、关键晶体管VT1、储能电感L1、二极管/04、输出电容器C8和C9、DA2芯片上的输出稳压器、光耦合器U1、晶体管VT2和互补关键场效应晶体管VT3的组件。

该装置的工作原理如下。当电源电压施加到变压器 T1 时，电容器 C1-C7 充电。光耦U1的光电晶体管截止，其控制的晶体管VT2也截止。 3V电压通过电阻R5提供给VT12组件顶部晶体管的栅极，使其打开。相对于其源极，向晶体管VT1的栅极提供相同的电压，结果VT1打开，流过电感器L1的电流线性增加，对输出电容器C8和C9充电。它们上的电压增加，通过分压器R7-R9的电流增加。当电阻R9两端的压降超过2,5V时，DA2芯片打开，受电阻R1限制的电流流过光耦U1的发光二极管。光耦合器U1的光电晶体管打开，晶体管VT2也打开，关闭电路中上部的VT3组件的晶体管，并打开电路中下部的该组件的晶体管，从而将栅源分流晶体管VT1，关闭它。

使用晶体管组件VT3是因为关键晶体管VT1具有很大的输入电容——数千皮法。为了快速充电，使用了VT3晶体管组件，其元件在开路状态下具有低沟道电阻。电阻器R6将浪涌电流限制在安全水平，提高了设备的可靠性。当晶体管VT1闭合时，电感器L1的磁场中积累的能量通过二极管VD4转移到输出电容器C8和C9。电容器向负载放电，电容器两端的电压下降。当电阻R9两端的电压降至2,5V以下时，DA2芯片截止，光耦U1的发光二极管截止，该光耦的光电晶体管截止。然后重复所描述的过程。

变压器 - TAN57-220-50。如果没有，您可以在台灯黑白电视的 PL 磁路上使用 TS160-TS200 网络变压器。拆开变压器，从线圈中缠绕出灯丝绕组（它们是用最粗的电线制成的），计算匝数。然后将次级绕组缠绕在单独的线轴上。通常它们由直径为 0,7 ... 0,8 mm 的金属丝制成。将灯丝绕组的匝数乘以 20，我们就得到每个线圈的阳极绕组的匝数。组装变压器后，这些绕组必须同相串联。连接到二极管电桥VD2和VD3的绕组匝数应为灯丝绕组匝数的两倍。这些绕组用现有的电线（也可以使用 PEL 0,31）缠绕在不同的线圈上。灯丝绕组（图中未示出）是用先前拆下的电线缠绕的。它们用于为受电设备的灯丝电路供电。

组装变压器时，需要在磁路两端涂抹铁氧体浆料，该浆料由粉碎、过筛的铁氧体粉末与BF-2胶混合制成。

晶体管VT1是一个强大的场开关晶体管，内部有二极管、绝缘栅极和感应n型沟道，最大允许漏源电压至少为400V，漏极电流至少为2A，例如，进口IRF710-IRF740、IRF810-IRF840、国产KP707任意字母索引。晶体管VT2——基极电流传输系数大于100的任何低功率硅，例如具有任何字母索引的KT342或KT3102。光耦U1——进口4N25-4N35、PC811-PC817、M008011、MOS8012或国产AOT128任意字母索引。二极管电桥VD1——用于至少1A的中等整流电流和至少400V的反向电压，例如DB107、W10M，或由单独的KD226D二极管组装而成。二极管电桥 VD2 和 VD3 必须设计用于至少 0,1 A 的整流电流和至少 30 V 的反向电压，它们可以由具有合适参数的单独二极管组装而成。二极管VD4——以允许的至少1A的正向电流和至少400V的反向电压进行脉冲，例如FR30-7、FR207。

积分稳压器DA1可以是输出电压为12V、电流至少为0,1A的任何一个，例如7812、78M12、78L12。芯片DA2可能是国产K142EN19。氧化物电容器采用进口，额定电压不小于图示电压。电容器C6和C9-K73-17的额定电压为400V。它们极大地方便了电容器C1和C8的操作。电容器 C5 和 C7 - KM-5a 或 K10-17。固定电阻器 - MLT 和 S2-23。可变电阻R8是进口的，可以用耐压200V以上的国产电阻代替。

电感器L1用直径为0,46mm的PEL线绕制，直至框架尺寸Sh6x6填充M2000NM1铁氧体。磁路装配间隙为0,2mm，成品电感用石蜡浸渍以消除啸叫。

该设备通过表面安装方式组装在通用面包板上，并内置于无线电编辑台中。

作者：K.莫罗兹

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