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适用于 144 MHz 频段的简单发射机。 无线电电子电气工程百科全书

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无线电电子与电气工程百科全书 / 民用无线电通信

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一个简单的双晶体管发射器(见图)设计为在 144 MHz 频段工作。 它可以在更强大的发射器中用作激励器,或者在设置无线电接收器时用作发生器。

144 MHz 频段上的简单发射机

在主振荡器(在晶体管 T1 上)中,使用了一个自然谐振频率为 48 MHz 的石英谐振器。 L1C2 电路调谐到相同的频率。 晶体管 T2 有一个三倍频器。

线圈 L1 缠绕在直径为 12,7 mm 的框架上。 它包含 8 圈直径为 0.25 毫米的电线。 绕组长度 12,7 毫米。 出口由线圈的中间制成。 线圈 L2 包含 8 匝直径为 1,3 mm 的导线。 绕组长度 25 毫米(框架直径约 8 毫米)。 线圈 L3 包含 3 匝直径为 1,3 mm 的导线。

两个扼流圈(Dr1、Dr2)的电感约为 1.8-2 μH。

发射器可以使用晶体管KT315D和KT603A,但需要改变电源的极性。

文学

  1. 《73 杂志》(美国),#02 1974

出版:N. Bolshakov, rf.atnn.ru

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美国国家标准与技术研究院 (NIST) 的研究人员提出了一种测量硅中带电粒子迁移率的新方法,该方法如果不被推翻,将大大扩展对半导体电荷转移过程的理解。

科学家们提出的方法可以对硅中电荷的移动速度进行最灵敏的测量,这是其作为半导体有效性的一个指标。 因此,新方法将使更准确地评估某些掺杂剂对硅电导率的影响成为可能,并将为改善半导体器件的特性奠定基础。 只有通过更好地了解流程,这是一个几乎无偿提高芯片性能的机会。 可以这么说,进行调音。

传统上,硅中电子和空穴的迁移率是通过霍尔法测量的。 该方法假设触点焊接在硅(半导体)样品上以通过电流。 这种方法的缺点是焊点处会出现缺陷或杂质,从而导致测量结果失真。

为了实验的纯度,NIST 的科学家使用了非接触式方法。 硅样品首先以可见光的超短脉冲形式暴露在低强度的光下,然后用远红外或微波范围的辐射脉冲照射样品。 弱可见光对硅产生了光掺杂效应:带电粒子以电子和空穴的形式出现在硅层中。

由于显而易见的原因,可见光无法穿透硅的厚度。 为此,用太赫兹辐射(在远红外范围内)照射光掺杂样品,其中硅是透明的。 并且样品中的带电粒子越多,穿透或被样品吸收的光就越多。 这里需要注意的是,为了更准确地测量样品中的电子迁移率,它的厚度应该相当大,最高可达 1 毫米。 这排除了样品表面缺陷对测量的影响。

然而,样品中可见光“引入”的电子和空穴数量必须尽可能少,以降低测量过程中的灵敏度阈值。 通常,为此,用一个光子照射样品,但在厚样品的情况下,一个光子会敲除硅中带电不足的粒子。 在用两个可见光光子照射样品中找到了一条出路。 之后,太赫兹辐射自由穿过样品,材料主体中的带电粒子数量最少。 据科学家称,灵敏度阈值从每平方厘米 10 万亿个电荷载流子降低了 100 倍至 2 万亿。

敏感度的门槛一降低,惊喜就一目了然。 事实证明,硅中电子的迁移率甚至能够增长到材料中非常稀少的载流子状态,这是以前没有人怀疑过的。 实际上,流动性本身比之前想象的要高 50%。 对于对照检查,使用同样是光敏半导体的砷化镓 (GaAs) 进行了类似的实验。 发现这种材料中电荷载流子的迁移率随着它们的密度降低而继续增长。 用新方法测得的载流子密度极限比之前认为的低约 100 倍。

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