防止电场和磁场影响的生物保护

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第 4 节开关设备和变电站

电压高于 1 kV 的开关设备和变电站。防止电场和磁场影响的生物保护

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无线电电子与电气工程百科全书 / 电气装置安装规则 (PUE)

文章评论

4.2.72. 检修人员所在区域（检修人员移动通道、工作场所）的330kV及以上变电站和户外开关设备，其电场强度（EF）必须在国家标准规定的允许范围内。

4.2.73. 检修人员驻留区域的电压为1～20kV的变电站、开关柜，其磁场强度（MF）必须符合卫生法规的要求。

4.2.74. 在330 kV及以上的户外开关设备中，维护人员所在区域的允许电压水平通常应通过使用固定和库存屏蔽装置的结构和布局解决方案来保证。这些区域的电场强度应根据具有相同设计和布置方案的户外开关设备的测量结果或通过计算确定。

4.2.75。在电压330kV及以上的变电站和户外开关柜，为了减少电力对人员的影响，需要：

采用镀锌、镀铝或铝元件制成的户外开关设备金属结构；
通常，用于爬上金属门户横梁的梯子应位于机架内部（位于外部的梯子必须用屏蔽装置围起来，以在内部提供可接受的电压水平）。

4.2.76. 在330 kV及以上的变电站和户外开关柜中，为了降低EP强度水平，应排除相邻单元中同名相的接近。

4.2.77。电压330kV及以上的变电站，生产、储存建筑宜位于供电影响区之外。允许将它们放置在该区域，前提是这些建筑物的入口处受到屏蔽。如果位于影响区域的建筑物的入口相对于载流部件位于外部，则通常不需要对通道进行屏蔽。

4.2.78. 设计用于人员永久停留的生产设施不应位于靠近室内开关设备和其他电气装置的载流部分以及设备载流部分的下方和上方（例如，电流导体），除非计算出的磁场水平不超过最大允许值。

服务人员停留区域应远离屏蔽电流导体和（或）总线桥，确保符合最大允许的磁场水平。

4.2.79. 限流电抗器和断路器不应位于6-10 kV开关设备的相邻单元内。

如果无法保证这一要求，则必须在限流电抗器和开关的单元之间安装固定铁磁屏蔽。

4.2.80。如果需要确保可接受的中频水平，应采用铁磁屏蔽对中频源或工作场所进行屏蔽，铁磁屏蔽的厚度和几何尺寸应根据所需的屏蔽系数计算：

柯 \uXNUMXd Hv / Hdop

其中 Hv 是屏蔽工作场所磁场强度的最高可能值，A/m； Hdop≥80 A/m——MP强度的允许值。对于因工作性质和条件而导致人员停留时间较短的工作场所，Hdop根据卫生规章制度的要求确定。

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俄亥俄大学教授 Joshua Goldberger 说：“我们已经能够制造出石墨烯的锗类似物，即与氢键合的单分子层，其方式与石墨烯相同，但制造起来要容易得多。”“在这个过程中，我们将改造从具有间接带隙的材料到具有直接带隙的材料，这使其也可以用于光学目的。

Goldberger 声称通过 GaGe2 的拓扑化学脱嵌首次合成了毫米级的氢键锗 (GeH) 纯晶格。 Goldberger 将这种材料描述为类似于键合石墨烯 (CH) 的层状范德华物质。 Goldberger 将他的材料命名为“germanan”，以表明其与称为 grafane 的单层石墨烯的相似之处。

除了新材料基于锗而不是石墨烯等碳这一事实之外，最显着的区别是使用标准半导体设备比石墨烷更容易生长锗。 Goldberger 预测，新材料将用于下一代光电器件和先进传感器，因为计算表明，电子迁移率将比体锗高 5 倍（比硅高 10 倍），带隙为 1,53 eV，略低于超过砷化镓。

石墨烯研究人员已经证明，半导体单层的电子特性可以明显优于块状材料，并且已经付出了许多努力来创建具有不同连接晶体结构的功能性单层。高载流子迁移率是以牺牲超薄拓扑结构的优良品质为代价的，但如果这些单层被配体用于特定应用，超薄材料也可能比散装材料对感官应用更敏感。

从历史上看，锗成为第一个用于电子产品的半导体。它发生在 1947 年的 AT&T 贝尔实验室。仅仅几十年后，研究人员设法克服了许多问题，使在电子产品中使用硅成为可能。看来，新的电子单层材料的情况可能会重演历史。

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