变电站和装置。范围、定义

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第 4 节开关设备和变电站

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无线电电子与电气工程百科全书 / 电气装置安装规则 (PUE)

文章评论

4.3.1. 本规则的本章适用于为工业消费者供电的固定式变电站和具有每台容量为 100 kW 或以上的半导体变流单元的装置。

这些规则不适用于电气化铁路牵引变电站和特殊变流器装置，例如用于气体净化、实验室等。

4.3.2. 换流站和装置必须满足其他章节的要求，但本章未改变这些要求。

4.3.3. 变流器装置是由一个或多个半导体变流器、变压器以及启动和运行装置所需的仪器和设备组成的一套设备。

半导体转换器是一组半导体阀门（非受控或受控），安装在框架上或柜内，具有空气或水冷却系统，以及启动和操作转换器所需的仪器和设备。

4.3.4. 转换器单元各个元件的电压等级，根据带电部件之间的最小允许距离（从这些部件到地面、栅栏）以及通道的宽度以及门联锁的需要来确定：

1) 对于变压器、自耦变压器、电抗器——根据每两个输出之间以及这些设备的每个输出与接地部分之间的最高有效电压值；

2) 对于半导体转换器——根据交流侧每两个端子之间的最高有效电压值。

由转换器、变压器、电抗器等组成并安装在公共外壳中的完整设备的电压等级由第 1 条和第 2 条中规定的最高电压值决定。

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该分析还包括三星在去年的 ISSCC 上展示的数据。这家韩国制造商指出，3D NAND 芯片的记录密度已达到每平方英寸 1,19 Tbps，2016 年将超过每平方英寸 1,69 Tbps 的限制。美光在其实验室中成功实现了每平方英寸 2,77 Tbps 的记录密度。尽管当今最好的 HDD 的记录密度为每平方英寸 1,3 Tbit，但实验室的成就并没有像 3D NAND 那样令人印象深刻。

2014 年第三季度至 2015 年第三季度发布的硬盘记录密度增加了 60% 以上。也就是说，该行业并没有停滞不前。但 NAND 制造商的记录密度数据明显高于 HDD 开发人员的承诺。

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