两个 144 MHz 的发射机。方案、说明

两个 144 MHz 发射器。无线电电子电气工程百科全书

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引起读者注意的发射器设计用于在两米范围的 145,5 ... 145,85 MHz 频率范围内进行频率调制。它们既可以用作独立设备，也可以用作两米无线电台的组成部分。

功率为 1 W 的发射机示意图如图 1 所示。在运算放大器 A1 上制作了麦克风放大器——频率调制器。使用国外电话机的内置放大器的驻极体麦克风作为麦克风。通过电阻 R1 为麦克风供电，电阻 R1 也作为该麦克风内置放大器的负载。从其输出，通过耦合电容器 C1 的声音电压被馈送到运算放大器 A70 处的调制放大器。该放大器的未失真输出电压摆幅达到电源电压的 7%。该输出电压通过充当 HF 和 LF 路径之间的去耦元件的电阻器 R1 进入 VDXNUMX 变容二极管并根据低频信号的形状改变其电容。

图1（点击放大）

主振荡器由 VT1 晶体管制成，它以 1 MHz 的 Q16,2 石英谐振器的三次机械谐波运行（您也可以使用 16 MHz 谐振器，但在这种情况下频率范围将降至 144 MHz）。集电极电路L2C9被调谐到48,6MHz的频率。为了获得所需的频率，在主振荡器之后级联晶体管VT2，充当三倍频器。信号通过电路 L2C9 和 L3C11 之间的电感耦合馈送到它，这些电路的线圈轴彼此相距 7 毫米，这提供了它们之间必要的连接。该晶体管的集电极电路中的电流具有脉冲特性，并且包含在其集电极电路中并调谐到145,7MHz谐振频率的电路在输入脉冲信号的三次谐波处被激励。于是，L4C12电路中产生正弦高频电压，通过L5耦合线圈馈送到晶体管VT3和VT4搭建的两级功率放大器。此外，晶体管 VT3 在基极具有偏置电压，在射频信号进入输出功率放大级之前提供必要的初步放大，而晶体管 VT4 在没有初始偏置的情况下运行。 L9C21的输出电路设置为与75欧姆阻抗的天线一起工作。

频率调制，以及在选定频率段内的调谐，在晶体管 VT1 上的主振荡器的第一级中执行。与石英谐振器串联的 LC 电路由线圈 L1 和元件 VD1、C4、C5 的复电容组成。该电路提供了谐振器谐振频率的轻微偏移，这种偏移的程度取决于电感和电容分量。通过调节L1，选择这样一个电感元件，在该电感元件处，可变电容器C5的转子在中间位置，发射器发射频率为145,7MHz的信号。 145,5 ... 145,85 MHz 内的调谐是通过使用电容器 C5 改变电容元件来实现的。频率调制是通过使用 V01 变容二极管的电容分量的额外变化来执行的。

微调电容器 - 具有陶瓷电介质的 PDA 类型，电容范围为 4 ... 15 pF 至 6 ... 25 pF，但如果有具有空气电介质的微调电容器则更好，但是在这种情况下，为了防止发射器级发生故障 - 由于极板之间可能存在短路，需要开启与这些电容器串联的数千 pF 的永久陶瓷极板。晶体管VT4可以是KT904或KT907，晶体管VT3可以是KT606或KT904。如果使用一对KT904（VT3）和KT907（VT4）并将这些级的电源电压提高到20V，则可以获得约2-3W的功率，但需要选择R13的值和匝数L5以获得最大不失真输出功率。

电容器 C5 - 采用空气电介质，KPV 型，其最小电容可为 5-15 pF，最大电容分别为 70-150 pF。

KT368晶体管可以用KG 316代替，但效果会更差。

线圈 L1-L3 缠绕在直径为 4-5 mm 的聚苯乙烯框架上，带有调谐磁芯 MP-100（来自高频铁氧体）。 L1有7圈，L2有10圈，L3也有10圈，但L3从第二圈开始有抽头，从上往下数（按图）。绕线PEV 0,2-0,3。

线圈 L4 和 L5 具有相同的框架，但其中的铁氧体磁芯被一根粗铝线（来自电线）或黄铜棒所取代。 L4包含4匝直径0,6-1mm的线材，L5绕在L4上，包含2-3匝PEV线材0,2-0,3。

功率放大器线圈绕在直径为 10 毫米的无芯陶瓷框架上（也可以制成无级联）。绕线采用直径约0,6-1毫米的镀银（或镀锡，更差的）线进行。 L6 和 L8 相同，它们包含 4 圈，分布在 15 毫米的长度上。 L7 和 L9 也相同，包含 3 个沿 10 mm 长度分布的匝。 DL4电感绕在电阻R15上，它包含35匝PEV 0,12线。电感DL1-DL3绕在由7NN铁氧体制成的K4X400XZ环上（或在由100NN-600NN铁氧体制成的其他类似尺寸的环上），它们包含15匝PEV 0,2-0,3线。

变送器以容积方式安装在一个带有隔室的盒子中，根据阶段的数量，用锡或黄铜焊接。该盒子安装在一块巨大的铝板上，用作晶体管 VT4 和 VT3 的散热器。所有安装均在接触花瓣和安装面板以及强大晶体管的输出上进行。线圈 L2 和 L3 固定在两个常见的 getinax 板上，沿线圈框架的直径有孔。板中孔中心之间的距离为 7 mm。因此，当这些板放置在线圈框架上时，它们将线圈相对于彼此刚性地固定在轴之间 7 mm 的距离处，从而提供必要的电感耦合。

第二个发射器的示意图如图 2 所示。它在 75 欧姆负载下产生大约 3-4 瓦的功率。其主要区别在于使用了高频石英谐振器，频率为 48,4 MHz。

图2（点击放大）

麦克风放大器和调制和调谐系统与之前的发射器没有区别。主振荡器由晶体管VT1制成，在其基极电路中包括一个石英谐振器，其谐振频率比传输信号的频率低三倍。

功率放大器在晶体管 VT2 和 VT3 上是两级的，它们都在没有初始偏置的情况下工作。 L4C9 和 L7C11 电路调谐到等于石英谐振器三次谐波的频率 - 145,2，该频率是该范围的中间频率。可以使用 48,6 MHz 的谐振器，而频率将等于 145,8 MHz。

线圈L1与发射机主振荡器的线圈绕在同一框架上，其电路如图1所示。它包含5匝SEW 0,2-0,3。所有其他线圈都是无框的，用直径为0,7-1毫米的镀银线缠绕。 L3的直径为6毫米，绕线长度为20毫米，匝数为8，L4的直径为8毫米。绕线长度7毫米，匝数3，L6直径6毫米，绕线长度b毫米，匝数3，L9——直径10毫米，长度12毫米，匝数3。L9——直径6毫米，长度5毫米，匝数 1,5 ,10，L10 - 直径 80 毫米，长度 4 毫米。匝数 XNUMX.

线圈 L5、L2 和 L8 是绕在固定电阻器 MLT-0,5 上的扼流圈，电阻至少为 100 kOhm，它们包含 30 匝 PEV 0,12 线。

发射机的设计与根据前一方案制作的相同。在屏蔽盒中安装体积。细节类似。

作者：Andreev S.；出版：N. Bolshakov, rf.atnn.ru

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